- •Тема 1: Предмет физики конденсированного состояния (фкс)
- •Тема 2: Классификация твёрдых тел. Типы связи.
- •2.1. Классификация твёрдых тел
- •2.2. Типы связи
- •2.3. Энергия связи
- •2.4. Молекулярные кристаллы
- •2.5. Ионные кристаллы
- •2.6. Ковалентные кристаллы
- •2.7. Металлы
- •Тема 3: Структура твёрдых тел
- •3.1. Кристаллические решётки. Трансляционная симметрия
- •3.2. Решётки Браве
- •3.3. Индексы Миллера
- •2.А. Осью симметрии (простой или поворотной) называется линия, при повороте вокруг которой на некоторый определённый угол, фигура совмещается сама с собой.
- •3.4.1. Пространственные группы
- •3.5. Дифракция в кристаллах
- •3.6. Обратная решётка
- •3.7. Зоны Бриллюэна
- •Тема 4: Дефекты кристаллического строения
- •4.1. Классификация дефектов
- •4.2. Точечные дефекты
- •4.2.1. Равновесная концентрация дефектов
- •4.2.2. Условие электронейтральности. Дефекты Шоттки и Френкеля
- •4.2.3. Центр окраски
- •4.2.4. Радиационные дефекты
- •4.3. Дислокации
- •4.3.1. Краевая дислокация
- •4.3.2. Винтовая дислокация
- •4.3.3. Подвижность дислокаций
- •4.4. Контур и вектор Бюргерса
- •4.5. Энергия дислокации
- •4.6. Источники дислокации
- •Тема 5: Энергетический спектр кристаллов.
- •5.1. Описание энергетического состояния кристалла при помощи газа квазичастиц. Примеры квазичастиц.
- •Адиабатическое приближение Борна-Оппенгеймера.
- •Валентная аппроксимация
- •Одноэлектронное приближение
- •5.3. Свойство волнового вектора электрона в кристалле
- •5.4. Энергетический спектр электрона в кристалле. Модель Кронега-Пенни.
- •5.5. Заполнение зон электронами. Металлы. Диэлектрики. Полупроводники
- •5.6. Эффективная масса электрона. Свободный электрон.
- •Тема 6: Тепловые свойства тт. Электронный газ Ферми.
- •Тема 7: Полупроводники
- •7.1.1. Донорные примеси
- •7.1.2. Акцепторные примеси
- •7.2. Собственная проводимость полупроводников
- •7.3. Проводимость примесных полупроводников
- •7.4. Свойства твёрдых тел в сильных электрических полях
- •7.4.1. Разогрев электронного газа
- •7.4.2. Эффект Ганна.
- •7.4.3. Ударная ионизация
- •7.4.4. Эффект Зинера
- •Тема 8: Диэлектрики
- •8.1. Основные механизмы проводимости в диэлектриках.
- •8.2. Поляризация диэлектриков
- •8.2.1. Электронная упругая поляризация.
- •12 И 13 декабря студенческое анкетирование в 10:00 3-02
- •8.2.2. Ионная упругая поляризация
- •8.2.3. Дипольная, упругая и тепловая поляризации
- •8.2.4. Ионная тепловая поляризация
- •8.2.5. Электронная тепловая поляризация
- •8.3. Пьезоэлектрический эффект.
- •8.4. Пироэлектрический эффект
- •8.5. Сегнетоэлектрики
- •Тема 9: Оптические свойства твёрдых тел
- •9.1. Виды взаимодействия света с твёрдым телом
- •9.2. Оптические константы
- •9.3. Поглощение света кристаллами
- •9.3.1. Собственное поглощение
- •Тема 10: Механические свойства твёрдых тел
- •10.2. Упругая деформация
- •Тема 11: Сверхпроводимость
- •11.1. Свойства сверхпроводников
- •4 Класса дефектов – 8 свойств сверхпроводников. Зонное строение металлов (полупроводников). Перечисление типов дефектов, типы частиц.
2.3. Энергия связи
Силы связи в молекулах и твёрдых телах имеют много общего, поэтому для количественной оценки энергии связи атомов в твёрдых телах можно рассмотреть сначала силы, которые удерживают атомы в двухатомной молекуле. Пусть имеются 2 атома: если атомы находятся далеко друг от друга, то они ведут себя как свободные. Энергию такой системы можно принять за 0. Начинают сближать эти атомы. При уменьшении расстояния между ними энергия системы понижается по сравнению с суммарной энергией изолированных атомов. Между атомами возникает сила притяжения. Этому соответствует уменьшение потенциальной энергии системы U(r). При некотором значении расстояния r = r0, энергия Ur3 достигает минимума:
При дальнейшем сближении атомов между ними начинают действовать силы отталкивания, быстро возрастающие с уменьшением r. Это сопровождается увеличением потенциальной энергии U(r). То есть полная потенциальная энергия взаимодействия может быть представлена в виде сумме двух членов с соответствующем потенциалом сил притяжения и отталкивания (см. формулу 2.3). При r = r0 образуется молекула, состоящая из двух атомов с наиболее стабильной конфигурацией. В этом состоянии ядра атомов совершают колебания с собственной частотой ω0. Вблизи положения равновесия формула кривой U(r) близка к параболе. В общем же виде для U(r) справедливо разложение в ряд Тейлора:
Первые два слагаемых и описывают …. . Из (*) следует, что при небольших отклrонениях атомов от положения равновесия (когда членами, начиная с 3-го порядка можно пренебречь) атомы колеблются как гармонические осцилляторы. Энергия колебания атомов в молекуле:
где n = 0,1,2,…
Энергия колебания – дискретная величина.
Глубина минимума U0 равна энергии связи атомов в молекуле.
Энергия связи или энергия сцепления равна разности потенциальных энергий системы в начальном и конечном состоянии: . За начальное состояние обычно принимают состояние, когда частицы (атомы, молекулы или ионы) находятся на достаточно больших расстояниях друг от друга, и не взаимодействуют между собой, то есть U1=0. Конечное состояние соответствует равновесному расположению частиц при Т = 0°К, то есть энергия связи . Для оценки энергии связи необходимо знать хотя бы в общем виде зависимости Uприт(r) и Uотт(r). Вид этих зависимостей определяется природой взаимодействующих атомов. Потенциал сил притяжения, исходя из электростатического характера, можно представить в виде: где а и m – константы, большие 0.
Для потенциала сил отталкивания, который обусловлен отталкиванием ядер взаимодействующих атомов, и который зависит от экранировки ядер окружающими электронами Борн и Ланде предложили такую запись:
Таким образом получаем выражение для полной потенциальной энергии взаимодействующих частиц:
Полная энергия взаимодействующих атомов (энергия Ланде).
Используя соотношение (2.5) можно найти равновесное расстояние r0.
Найдём – хуйня
(2.6) – равновесное расстояние в молекуле
Если поставить r0 в 2.5 то можно найти уравнение для энергии связи в молекуле:
(2.7) – энергия связи в двухатомной молекуле.
Теперь перейдём к кристаллу. Зависимости энергии связи в кристаллах от межатомного расстояния r так же, как и в молекулах определяется двумя главными членами:
-
Притяжением атомов, обусловленное взаимодействием валентных электронов
-
Кулоновским отталкиванием внутренних оболочек атомных остовов и отталкиванием ядер/
Для устоцчивого валнтного состояния необходимо наличие минимума для суммарного электронного потенциала, который соответствует стабильной конфигурации атмов кристаллической решётки.
NB: Энергия связи кристалла представляет собой энергию, которая необходима для разделения тела на составные части