- •4. Зависимость проводимости электролитов от концентрации и температуры. Проводимость электролитов для переменного тока. Зависимость проводимости от концентрации.
- •47. Источники оптического излучения фотоэлектрических ячеек.
- •5. Помехи в электродах и их классификация.
- •6. Водородный электрод.
- •7. Электрические характеристики биотканей. Методы измерения электрического сопротивления биообъектов.
- •13. Физические представления о шумах и их влияние на объективность измерений.
- •8. Виды электродов и особенности их применения. Микроэлектроды.
- •9. Эквивалентные схемы электрод-биообъект. Импеданс Варбурга.
- •50. Фоторезисторы и их измерительные цепи.
- •48. Фотопримники фотоэлектрических ячеек на фотодиодах и фототранзисторах.
- •49. Измерительные цепи для приемников оптических излучений на фотодиодах и фототранзисторах.
- •46. Проволочные чувствительные элементы (термометры сопротивления).
- •12.Типовые конструкции и материалы, применяемые при изготовлении электродов.
- •17. Классификация и основные характеристики датчиков.
- •18. Понятие датчик и погрешности преобразования.
- •19. Биодатчики.
- •20. Измерительные цепи параметрических преобразователей.
- •21. Измерительные цепи в виде равновесных мостов
- •23. Неравновесные мосты переменного тока с синхронным детектором
- •22. Измерительные цепи в виде неравновесных мостов
- •25. Физические основы тензометрии. Конструкция, технические характеристики и области применения тензодатчиков
- •26. Измерительные цепи тензодатчиков
- •27. Тензорезисторы и их применение в датчиках биомедицинских сигналов.
- •56. Электрокинетические преобразователи.
- •57. Полярографические преобразователи
- •58. Гальванические преобразователи
- •28. Емкостные преобразователи.
- •29. Измерительные цепи емкостных преобразователей с выходом на постоянном токе.
- •59. Газовые датчики.
- •15. Усилители экс, оснвоные особенности и технические характеристики.
- •31. Резонансные измерительные цепи емкостных преобразователей.
- •32. Пьезоэлектрические преобразователи: устройство и конструкция.
- •33. Измерительные цепи пьезоэлектрических преобразователей.
- •35. Усилители заряда и схема преобразования импеданса.
- •34.Эквивалентные схемы пьезоэлектрических преобразователей.
- •37. Основные расчета тепловых преобразователей.
- •38. Терморезисторы: основы расчета и применяемее материалы.
- •39. Полупроводниковые датчики температуры(датчики на pn - переходах)
- •40. Измерительные цепи терморегуляторов.
- •43. Термопара, принцип действия, схема включения .
- •52. Фотоплетизмографические датчики.
- •54. Классификация и источник помех при пульсовой оксиметрии.
- •36. Измерительные усилители
- •2.Измерение параметров электродов: схема измерения напряжения поляризации.
- •3.Измерение параметров электродов: схема измерения шумов.
- •1.Измерение параметров электродов: схема измерения импеданса.
- •42.Температурные чувствительные элементы из монокристалла германия.
- •16. Бат и измерение их параметров.
- •14.Биомедицинские сигналы и их основные особенности.
25. Физические основы тензометрии. Конструкция, технические характеристики и области применения тензодатчиков
В основе работы тензорезисторов лежит явление тензоэффекта, заключающеесяя в изменении сопротивления проводников и полупроводников при их механической деформации.
Сопротивление провода, имеющее поперечное сечение S, длину L и удельное сопротивление , определяется выражением:R=ρL/S.
При растяжении такого провода площадь его поперечного сечения уменьшается, что приводит к увеличению полного сопротивления провода. Кроме того, поскольку при деформации изменяется кристаллическая решетка (структура материала провода), может также изменяться и его удельное сопротивление; это, как правило приводит к еще большему увеличению сопротивления. Оба эффекта учтены в следующем выражении:
,
где - относительное изменение сопротивления;- коэффициент Пуассона;- относительное изменение длины;- относительное изменение диаметра;- относительное изменение удельного сопротивления. Первый член в правой части соответствует геометрическим изменениям, второй - изменению удельного сопротивления при деформации (пьезорезистивный эффект).Для того, чтобы можно было сравнивать рабочие характеристики различных тензочувствительных материалов, вводится коэффициент тензочувствительности материалов (часто называемый также чувствительностью к деформации). Он определяется как:
. (3.3)
Для большинства металлов коэффициент Пуассона равен приблизительно 0,3; поэтому . В табл. приведены коэффициенты тензочувствительности и температурные коэффициенты сопротивления для различных тензочувствительных материалов. Обратим внимание, что для полупроводниковых материалов коэффициент тензочувствительности в 50 - 70 раз больше, чем для металлов.
Коэффициенты тензочувствительности и температурные коэффициенты сопротивления для различных тензочувствительных материалов.
Кроме того, если коэффициент тензочувствительности металла определяется в основном изменениями размеров датчика, то в случае полупроводника доминирующую роль играет пьезорезистивный эффект. Преимущество полупроводниковых тензодатчиков - более высокое значение коэффициента тензочувствительности; к сожалению, эта положительная характеристика «компенсируется» слишком большим температурным коэффициентом сопротивления.
При всем многообразии задач, решаемых с помощью тензорезисторов, можно выделить две основные области их использования.
К первой области относятся исследования физических свойств материалов, деформаций и напряжений в деталях и конструкциях. Для этих задач характерны значительное число точек тензометрирования, широкие диапазоны параметров окружающей среды, а также невозможность градуировки измерительных каналов. Основной причиной погрешности в этих случаях является разброc параметров тензорезиторов R и G вокруг средних для этой партии значений, и погрешность измерения составляет 2 - 10% .
Вторая область - применение тензорезисторов для измерения механических величин, преобразуемых в деформацию упругого элемента. В этом случае датчики градуируются в измеряемой величине и погрешности измерений лежат в диапазоне 0,5 - 0,05%. При измерении динамических деформаций величина максимальной деформации для проволочных тензорезисторов не должна превышать , для полупроводниковых, так как при больших деформациях резко понижается надежность тензорезисторов.
Для крепления тензорезисторов к детали чаще всего используется клей. Креплению должно уделяться очень большое внимание, так как именно через пленку клея происходит передача деформации с детали в тензорезистор и теплоотдача в деталь.
Нарушение технологии может привести к весьма существенным погрешностям, вызываемым ползучестью клея. В результате ползучести измеряемая деформация уменьшается по абсолютной величине. Значение погрешности зависит от технологии приклейки, температуры, величины деформации и в лучшем случае составляет 0,05-0,2 %.
Из сравнения температурных возможностей тензочувствительного материала и клея видно, что ограничение температурного диапазона обуславливается прежде всего клеем. Поэтому для крепления высокотемпературных тензорезисторов применяют неорганические фосфатные цементы и жаростойкие окислы алюминия, наносимые на деталь методом газопламенного напыления. При таком креплении температурный диапазон ограничивается неползучестью крепления с повышением температуры, а ухудшением изоляционных свойств цемента или окиси алюминия. Рабочий диапазон тензорезисторов ограничен температурой 350-600С при статических деформациях и 600-800С при динамических деформациях.