- •Общие сведения об электронных приборах
- •1.1. Классификация
- •1.2. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
- •1.3. Модели электронных приборов
- •Электрофизические свойства полупроводников
- •2.1. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
- •2.1.2. Метод расчета концентраций
- •2.1.3. Условие электрической нейтральности
- •2.1.4. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках
- •2.1.5. Положение уровня Ферми в полупроводниках
- •2.1.6. Распределение носителей заряда по энергии
- •2.2. Неравновесное состояние полупроводника
- •2.2.1. Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда
- •2.2.2. Плотность тока в полупроводнике
- •2.2.3. Уравнение непрерывности
- •Глава 3 электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •3.1. Электрические переходы
- •3.2. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
- •3.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •3.4. Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода
- •3.5. Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода
- •3.6. Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме
- •3.7. Частотные свойства p-n-перехода
- •3.8. Импульсные свойства р-n-перехода
- •3.9. Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы
- •Разновидности полупроводниковых диодов
- •4.1. Классификация
- •4.2. Выпрямительные диоды
- •4.3. Стабилитроны и стабисторы
- •4.4. Универсальные и импульсные диоды
- •4.5. Варикапы
- •4.6. Туннельные и обращенные диоды
- •Технологии производства полупроводниковых диодов
- •Биполярные транзисторы Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы Общие сведения
- •Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе
- •Эффект Эрли
- •5.2. Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла)
- •5.3. Статические характеристики биполярных транзисторов
- •5.3.2. Схема с общим эмиттером
- •5.3.3. Влияние температуры на статические характеристики бт
- •5.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме
- •Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале
- •Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник
- •5.6. Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора
- •5.6.1. Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора
- •5.6.2. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
- •Тиристоры
- •6.1. Транзисторная модель диодного тиристора (динистора)
- •6.2. Вольт-амперная характеристика динистора
- •6.3. Тринистор
- •6.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
6.3. Тринистор
Практическое
включение диодного тиристора в открытое
состояние может быть реализовано
при кратковременном превышении
напряжения включения или подаче
импульса напряжения с крутым фронтом.
Это является недостатком диодного
тиристора. На практике наиболее
широкое применение нашел способ включения
путем введения в одну из базовых областей
основных носителей через дополнительный
электрод, называемый управляющим.
Такой прибор с управляющим выводом
получил название триодного тиристора
или тринистора (рис. 6.6,а). Управляющий
вывод сделан от одной из баз транзисторов
или
,
что дает возможность управлять прямым
током одного из эмиттеров. Использование
той или иной базы приводит лишь к
изменению полярности управляющего
напряжения, которое должно обеспечивать
отпирание соответствующего эмиттерного
перехода.
П
редположим,
что на управляющий электрод, связанный
с
-базой
тиристора (см. рис. 6.6,а), подано положительное
напряжение. Тогда прилегающий к этой
базе эмиттерный переход
включен в
прямом направлении, в цепи управляющего
электрода идет дополнительный инжекционный
ток Iу.
Дополнительный ток инжекции через
эмиттерный переход
вызывает возрастание
транзистора
и облегчает выполнение условия (6.14), при
котором тиристор переходит в открытое
состояние. С ростом тока управления
анодное напряжение, необходимое для
переключения тиристора в открытое
состояние, уменьшается. Вольт-амперная
характеристика тринистора при
изменении управляющего тока показана
на рис. 6.6,б. Для перевода тиристора из
устойчивого открытого состояния в
устойчивое закрытое состояние необходимо
уменьшить напряжение на аноде или подать
на управляющий электрод импульс обратной
полярности.
6.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
Вольт-амперная
характеристика этих тиристоров
практически симметрична при изменении
полярности напряжения на приборе.
Симистор может проводить большой ток
в обоих направлениях (двунаправленный
прибор). Симметричный диодный тиристор
называют диаком,
а симметричный
триодный тиристор –
триаком.
Структура симистора-диака показана
на рис. 6.7. Верхняя
-область
и нижняя
-область
являются укороченными и имеют общие
металлические контакты (электродыЭ
и Э
)
с соседними областями p
и p
соответственно. Когда на электроде
Э1
положительное напряжение, а на электроде
Э
отрицательное, распределение напряжений
будет такое, что переходы имеют включения:
– p
обратное, p2
–
прямое,
–p
обратное, p1
–
прямое. Так как переход
–p
имеет обратное включение, то ток через
него пренебрежимо мал по сравнению
с прямым током перехода p
–
и шунтирующим влиянием перехода
–p
можно пренебречь. В этом случае
изображенная на рис. 6.7 структура
эквивалентна динистору p
–
–p
–
с током I
,
как на рис. 6.1 с ВАХ, изображенной на рис.
6.3. Здесь анодом является область p
,
а катодом – область
.
При изменении полярности напряжения
(на рис. 6.7 полярность указана в скобках)
включения переходов следующие:
–p
прямое, p
–
обратное,
–p
прямее, p
–
обратное. В этом случае можно не учитывать
шунтирующее влияние переходаp
–
.
Теперь динистор имеет структуру
–p
–
–p
.

Область p
становится анодом, а
– катодом. Направление тока в цепи
станет противоположным, но ВАХ остается
практически прежней. Полная ВАХ
показана на рис. 6.7,6 приIу
= 0.
На основе пятислойной
структуры п-р-п-р-п
можно получить и управляемые
симметричные тиристоры (триаки). Так,
если управляющий электрод присоединить
к базовой области
,
то прямой ветвью ВАХ можно управлять,
подавая отрицательное напряжение
относительно нижнего электрода.
Включение прибора в обратном направлении
осуществляется за счет подачи
отрицательного относительно верхнего
электрода напряжения на управляющий
электрод. Приборы с таким управлением
не получили большого распространения,
так как требуют две цепи управления:
одну для прямого направления, а другую
– для обратного. Кроме того, существует
ряд технологических трудностей
присоединения управляющих электродов
в условиях серийного производства.
Разработаны способы управления
переключением структур р-п-р-п-р
с
помощью одного управляющего электрода,
которые позволили избавиться от указанных
недостатков.
Семейство ВАХ триака при различных знаках и величине управляющих токов показано на рис. 6.7. При Iу=0 получается ВАХ диака. С ростом тока управления происходит уменьшение напряжения переключения.
