- •Общие сведения об электронных приборах
- •1.1. Классификация
- •1.2. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
- •1.3. Модели электронных приборов
- •Электрофизические свойства полупроводников
- •2.1. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
- •2.1.2. Метод расчета концентраций
- •2.1.3. Условие электрической нейтральности
- •2.1.4. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках
- •2.1.5. Положение уровня Ферми в полупроводниках
- •2.1.6. Распределение носителей заряда по энергии
- •2.2. Неравновесное состояние полупроводника
- •2.2.1. Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда
- •2.2.2. Плотность тока в полупроводнике
- •2.2.3. Уравнение непрерывности
- •Глава 3 электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •3.1. Электрические переходы
- •3.2. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
- •3.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •3.4. Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода
- •3.5. Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода
- •3.6. Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме
- •3.7. Частотные свойства p-n-перехода
- •3.8. Импульсные свойства р-n-перехода
- •3.9. Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы
- •Разновидности полупроводниковых диодов
- •4.1. Классификация
- •4.2. Выпрямительные диоды
- •4.3. Стабилитроны и стабисторы
- •4.4. Универсальные и импульсные диоды
- •4.5. Варикапы
- •4.6. Туннельные и обращенные диоды
- •Технологии производства полупроводниковых диодов
- •Биполярные транзисторы Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы Общие сведения
- •Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе
- •Эффект Эрли
- •5.2. Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла)
- •5.3. Статические характеристики биполярных транзисторов
- •5.3.2. Схема с общим эмиттером
- •5.3.3. Влияние температуры на статические характеристики бт
- •5.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме
- •Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале
- •Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник
- •5.6. Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора
- •5.6.1. Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора
- •5.6.2. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
- •Тиристоры
- •6.1. Транзисторная модель диодного тиристора (динистора)
- •6.2. Вольт-амперная характеристика динистора
- •6.3. Тринистор
- •6.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
5.6. Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора
5.6.1. Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора
Наиболее распространенной нелинейной моделью БТ для динамического режима является модель, основанная на статической модели Эберса-Молла. Инерционные свойства БТ учитываются путем включения емкости эмиттерного перехода СЭ и коллекторного перехода СК (рис. 5.22). Каждая из этих емкостей складывается из барьерной и диффузионной емкостей переходов:
СЭ= СЭ б + СЭ дф; СК= СК б + СК дф
где СЭ б, СК б – барьерные емкости переходов, учитывающие токи смещения, а СЭ дф, СК дф – диффузионные емкости в областях вне границ переходов.
Параллельное соединение безынерционного диода, представляющего собой ВАХ эмиттерного перехода, и емкости СЭ – это нелинейная электрическая модель «изолированного» эмиттерного перехода. Добавление к этой модели зависимого генератора тока αII'К, учитывающего собирающее действие эмиттерного перехода для носителей, инжектированных коллектором, превращает эту часть схемы в нелинейную электрическую модель реального эмиттерного перехода в транзисторе. То же можно сказать и о коллекторном переходе.
Полученная схема соответствует прямому включению обоих переходов в статическом режиме, т.е. режиму насыщения или двухсторонней инжекции. Заметим, что при таком изображении нелинейной модели коэффициенты передачи в зависимых генераторах нормального активного режима αN инверсного активного режима αI соответствуют статическому режиму работы БТ, т.е. являются параметрами» не зависящими от частоты сигнала.

Значения барьерной и диффузионной компонентов емкостей СЭ и СК зависят от напряжения на переходах, что усложняет процесс анализа и расчеты в динамическом режиме, когда эти величины изменяются. Кроме того, необходимо учитывать, что емкости не изменяются мгновенно с изменениями напряжения, а обладают собственной инерционностью. Объясняется это тем, что формирование емкостей (изменение зарядов) связано с движением носителей заряда и такими понятиями, как время жизни, время пролета, время максвелловской релаксации.
Обратим внимание еще на одно принципиальное отличие динамической модели от статической модели Эберса-Молла. Статическая модель является универсальной в том смысле, что она без изменений применима для всех схем включения БТ и всех режимов работы (нормального активного, инверсного активного, отсечки и насыщения). Используя уравнения этой модели, можно определить все токи и статические характеристики, предварительно вычислив напряжения на переходах. Практически при исследовании какого-либо режима схема может существенно упрощаться, так как удобнее выражать токи зависимых генераторов в каждой схеме со своим управляющим воздействием и своим коэффициентом передачи тока.
Рассмотрим схемы включения БТ с общей базой и общим эмиттером. Входной сигнал в динамическом режиме подается между общим и входным электродами. Входным электродом будут эмиттер в схеме с ОБ и база в схеме с ОЭ. Цепь, в которую входят общий и входной электроды, называют входной. Цепь, содержащую общий электрод и коллектор, называют выходной, а сам коллектор – выходным электродом. В коллекторную (выходную) цепь включают нагрузку, на которой создается выходной сигнал или отклик на управляющее воздействие во входной цепи.
Внешнее отличие динамической модели БТ от статической состоит в наличии в первой реактивных элементов (емкостей СЭ и СК). Очевидно, что отклик в выходной цепи (или переходный процесс) будет зависеть от того, между какими элементами или точками модели включается входной сигнал (генератор сигнала), так как реактивные параметры модели будут влиять по-разному.
