- •1 Підсилювачі
- •Загальні відомості та класифікація підсилювачів
- •Основні технічні показники підсилювачів
- •1.3 Забезпечення положення робочої точки підсилювальних
- •1.3.1 Основні способи забезпечення положення робочої точки
- •1.3.2 Зміщення фіксованим струмом бази
- •1.3.3 Зміщення фіксованою напругою
- •1.3.4 Критерії вибору положення робочої точки підсилювальних
- •1.4 Стабілізація положення робочої точки підсилювальних
- •1.4.1 Дестабілізуючі фактори
- •1.4.2 Метод параметричної стабілізації
- •1.4.4 Емітерна стабілізація
- •1.5 Режими роботи підсилювальних каскадів
- •1.6 Зворотний зв'язок в підсилювачах
- •1.6.1 Типи зворотного зв’язку
- •1.6.2 Вплив зворотного зв'язку на основні параметри
- •1.7 Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах
- •1.7.1 Підсилювальний каскад зі спільним емітером
- •1.7.2 Підсилювальний каскад зі спільним колектором
- •1.7.3 Підсилювальний каскад зі спільною базою
- •1.8 Підсилювальні каскади на польових транзисторах
- •1.8.1 Підсилювальний каскад на польових транзисторах зі спільнім витоком
- •1.8.2 Термостабілізація режиму роботи каскаду на польовому транзисторі
- •1.8.3 Підсилювальний каскад на польовому транзисторі зі спільнім стоком
- •1.9 Багатотранзисторні конфігурації підсилювальних каскадів
- •1.9.1 Каскодна схема
- •1.9.2 Схеми на емітерно-зв'язаних транзисторах
- •1.9.3 Схема Дарлінгтона
- •1.10 Спеціальні типи підсилювачів
- •1.10.1 Схеми корекції ачх
- •1.10.2 Імпульсні підсилювачі
- •1.10.3 Вибіркові підсилювачі
- •1.11 Багатокаскадні підсилювачі
- •1.11.1 Особливості побудови багатокаскадних підсилювачів
- •1.11.2 Підсилювачі з гальванічним зв’язком
- •1.11.3 Підсилювачі з трансформаторним зв'язком
- •1.11.4 Підсилювачі з оптронним зв'язком
- •1.11.5 Підсилювачі напруги з резистивно-ємнісним зв’язком
- •1.11.6 Паразитні зворотні зв’язки в багатокаскадних підсилювачах
- •1.12 Підсилювачі постійного струму
- •1.12.1 Загальні відомості
- •1.12.2 Ппс прямого підсилення
- •1.12.3 Ппс з перетворенням (модуляцією) сигналу
- •1.12.4 Диференціальний ппс
- •1.13 Каскади кінцевого підсилення
- •1.13.1 Загальні відомості
- •1.13.2 Однотактні ккп
- •1.13.3 Трансформаторні ккп
- •1.13.4 Безтрансформаторні двотактні вихідні каскади на транзисторах з різним типом провідності
- •2.10.5 Безтрансформаторні двотактні вихідні каскади на транзисторах з однаковим типом провідності
- •2 Операційні підсилювачі
- •2.1 Загальні відомості
- •2.2 Основні параметри та характеристики оп
- •Інвертувальний підсилювач
- •1.3 Неінвертувальний підсилювач
- •2.5 Диференційний підсилювач
- •2.6 Логарифмічний та антилогарифмічний підсилювачі
- •2.7 Суматор
- •2.8 Повторювач напруги
- •2.9 Інтегратор та диференціатор
- •2.10 Особливості використання оп
- •3.12 Аналогові компаратори
- •3 Генератори гармонічних коливань
- •3.1 Класифікація та призначення генераторів гармонічних коливань
- •3.2 Умови самозбудження автогенераторів
- •3.6 Cтабілізація частоти вихідних коливань в автогенераторах
- •3.6.1 Параметрична стабілізація частоти
- •3.6.2.Кварцова стабілізація частоти
- •Контрольні запитання
1.10.3 Вибіркові підсилювачі
Вибіркові (селективні) підсилювачі призначені для підсилення електричних сигналів у вузькій смузі частот, за межами якої підсилення набагато слабше або взагалі відсутнє. Є два різновиди вибіркових підсилювачів. У першого з них вузька смуга пропускання забезпечується використанням паралельного LС-контуру, який має частотно-вибіркові властивості. Оскільки контур має резонансні властивості, такі підсилювачі називають резонансними. Вибіркові підсилювачі другого різновиду використовують кола частотно-залежного зворотного зв'язку, що підсилюють або подавляють сигнали у вузькому діапазоні частот. Це, власне, зумовлює квазірезонансний характер частотної характеристики підсилювача. Такі підсилювачі називають підсилювачами з частотно-залежним зворотним зв'язком. Ці підсилювачі з відповідним вмиканням кола частотно-залежного зворотного зв'язку можна використати як активні фільтри.
Резонансні
підсилювачі.
Типова схема резонансного підсилювача
з резонансно-трансформаторним зв'язком
показана на рисунку 1.43,а.
Індуктивність
коливального контура в колі колектора
транзистора VТ
за схемою зі СЕ (значно рідше використовуються
схеми зі СБ і СК) створюється первинною
обмоткою трансформатора зв'язку із
зовнішнім навантаженням
.
Зв'язок із зовнішнім навантаженням
можна здійснити
також
через розділовий конденсатор
(показано штриховою лінією). Призначення
інших елементів таке саме, як і в
однокаскадному підсилювачі з
резистивно-ємнісним зв'язком. Зазначимо,
що розділові конденсатори
і
слід обирати таких номіналів, щоб вони
не чинили впливу на частотну характеристику
резонансного підсилювача.
Власна
кутова частота
,
характеристичний опір
і добротність
коливального контуру (рисунок 1.43,б)
зв'язані
з первинними параметрами L,R,С
співвідношеннями:
Повна провідність контуру
Розв'язуючи
спільно рівняння (1.66 та 1.67) і враховуючи,
що, як правило,
,
одержимо
Якщо
частота
підсилюваного
сигналу не дуже відрізняється від
резонансної частоти
коливального контуру, то
де
В цьому випадку рівняння (1.68) має вигляд
Опір контуру поблизу резонансу
і його модуль
Як правило, вираз (1.70) зводять до вигляду
де
– опір коливального контуру на резонансній
частоті
.
Рисунок 1.43 – Резонансний підсилювач з резонансно-трансформаторним зв'язком
Цей
опір в даному випадку має максимальне
значення і активний характер. При
опір контуру зменшується, що видно з
його частотної характеристики (рисунок
1.43,в),
яка побудована у відповідності до виразу
(1.69) для необмежених значень
.
Резонансна крива коливального контуру,
яка відображає залежність зміни напруги
на контурі
(вихідної напруги підсилювача) від
частоти, має ідентичний характер. Отже,
коефіцієнт підсилення резонансного
підсилювача максимальний, коли частота
підсинюваного
сигналу збігається з резонансною
частотою коливального контуру
,
зменшуючись на інших частотах. Його
величина визначається за формулою
або з урахуванням рівностей (1.70) та (1.71)
де
– коефіцієнт підсилення на резонансній
частоті, коли
.
Резонансний підсилювач також характеризується вибірковістю згідно з формулою (1.71)
Це
величина перевищення підсилення на
резонансній частоті порівняно з
підсиленням на деякій частоті завади
(звичайно на крайніх частотах смуги
пропускання
).
Підвищення вибірковості при заданій
частоті, як це видно з рівняння (1.72),
зв'язане зі збільшенням добротності
контуру.
Підсилювачі з частотно-залежним зворотним зв'язком. Застосування резонансних підсилювачів для підсилення сигналів низьких частот (десятки – сотні герц) недоцільне, оскільки зі збільшенням номіналів індуктивностей та ємностей погіршуються не лише їх технічні (добротність, вибірковість), але й експлуатаційні (маса, габаритні розміри) показники. В цьому випадку застосовують вибіркові підсилювачі з частотно-залежним зворотним зв'язком. На рисунку 1.44,а зображена схема такого підсилювача з колом частотно-залежного зворотного зв'язку у вигляді подвійного Т-подібного моста.
Рисунок 1.44 – Підсилювачі з частотно-залежним зворотним зв'язком
Амплітудно-частотна характеристика 2Т-моста показана на рисунку 1.44,б (крива 1). Оскільки транзистор за схемою зі СЕ зсуває фазу вхідного сигналу на 180˚, а фазовий зсув, який вносить 2Т-міст на квазірезонансній частоті дорівнює нулю, то загальний фазовий зсув по замкненій петлі підсилювач – 2Т-міст дорівнює 180˚. При цьому на частоті негативний зворотний зв'язок відсутній.
За
відсутності негативного зворотного
зв'язку коефіцієнт підсилення підсилювача
на квазірезонансній частоті максимальний
Зміщення від квазірезонансної частоти
в любу сторону призводить до збільшення
модуля коефіцієнта зворотного зв'язку,
який наближається на деяких частотах
та
до
значення, рівного одиниці. Це, в свою
чергу, викликає зменшення модуля
(крива
2 на рисунку 1.44,б).
Смуга пропускання вибіркового підсилювача
Вибірковість підсилювача з частотно-залежним зворотним зв'язком
Тому можна зробити висновок, що підсилювач з частотно-залежним зворотним зв'язком характеризується еквівалентною добротністю
де
– добротність 2Т-мoста.
У
зв'язку з тим, що на практиці звичайно
застосовуються симетричні мости, тобто
,
та
,
то добротність моста при цьому максимальна
