
- •Експериментальні методи фізичної та біомедичної електроніки
- •Розділ I експериментальні методи у фізиці твердого тіла
- •Розділ II Експериментальні методи відображення інформації
- •Розділ III Оптико-спектральні методи в біомедичних дослідженнях
- •Теоретичні відомості Практичні прийоми знаходження елементів симетрії і простих форм.
- •Хід роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота 2 Елементи теоретико-групового аналізу точкових груп
- •Теоретичні відомості
- •Хід роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота 3 Складання таблиць характерів незвідних представлень точкових кристалографічних груп
- •Теоретичні відомості Регулярні представлення операцій симетрії кристалографічних груп та класів спряжених елементів.
- •Перемноження класів спряжених елементів.
- •Застосування мультиплікативних коефіцієнтів для знаходження незвідних представлень точкової групи.
- •Позначення, пов’язані з поворотними осями порядку вище другого.
- •Оператор ототожнення е.
- •Співвідношення ортогональності.
- •Хід роботи
- •Контрольні запитання
- •Дослідження термоелектричних явищ у напівпровідниках.
- •Теоретичні відомості
- •Ефект Пельтьє.
- •Контрольні запитання:
- •Лабораторна робота №5 Вивчення залежності електропровідності напівпровідників від напруженості електричного поля.
- •Теоретичні відомості
- •Термоелектронна іонізація
- •Ударна іонізація.
- •Опис установки та теорія методу дослідження залежності електропровідності варисторів від напруженості електричного поля при різних температурах.
- •Хід роботи.
- •Контрольні запитання.
- •Лабораторна робота № 6. Вивчення зміни опору металів і напівпровідників в магнітному полі.
- •Опис експериментальної установки
- •Проведення експерименту :
- •Контрольні запитання.
- •Лабораторна робота № 7. Визначення параметрів напівпровідників шляхом вимірювання е.Р.С Холла.
- •Теоретичний вступ
- •Послідовність виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Лабораторна робота№8. Дослідження магнітних властивостей феритів.
- •Теоретичні відомості
- •Спінова природа феромагнетизму.
- •Магнітна анізотропія
- •Магнони
- •Доменна структура феромагнетиків
- •Намагнічування феромагнетиків
- •Опис установки.
- •Контрольні запитання.
- •Лабораторна робота№9. Дослідження властивостей сегнетоелектриків
- •Теоретичні відомості
- •Випадок 1.
- •Експериментальна установка.
- •Завдання до роботи.
- •Контрольні запитання.
- •Лабораторна робота№10. Дослідження нелінійних і температурних характеристик сегнетоелектриків
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання роботи
- •Обробка результатів
- •Контрольні запитання
- •Визначення коефіцієнта теплопровідності металів
- •Об’єкти дослідження: мідні та сталеві стрижні.
- •Теоретичні відомості
- •6. Порядок виконання роботи
- •7. Оформлення звіту
- •Контрольні питання
Випадок 1.
Припустимо, що коефіцієнти ξ і ς в розкладі додатні і що тільки обернена діелектрична сприйнятливість х залежить від температури, тоді як ξ і ς від температури не залежать. Як відомо, система стійка, якщо вільна енергія мінімальна. В параелектричній фазі Р = 0 і F = F0.
В нашому випадку при від’ємних значеннях х функція F(P) буде мати максимум при Р = 0 і два мінімуми при значеннях Р відмінних від нуля (рис. 4а).
T
Рис. 9.4. Схематичне зображення поведінки
деяких характеристик сегнетоелектрика при фазовому переході ІІ – ого роду.
а) залежність вільної енергії від поляризації при:
б) залежність спонтанної поляризації від температури.
Стійкий стан кристалу
відповідає Р = 0 при х > 0 і
Р
0
при х < 0. Тип фазового переходу
визначається тим, як здійснюється зміна
параметрів кристала – неперервно чи
стрибкоподібно. В розглянутому випадку
поляризація Р неперервна при переході
– це фазовий перехід другого роду.
Використовуючи термодинамічне
співвідношення
і нехтуючи членом шостого порядку в (9)
отримуємо:
(10)
Якщо зовнішнє поле відсутнє:
(11)
Поблизу точки переходу ,очевидно, можна розкласти х в ряд:
Використовуючи (11), легко отримати, що
Залежність Р від температури Т показана на рис. 4б. для оберненої діелектричної сприйнятливості в параелектричному і сегнетоелектричному станах в тому ж наближенні знаходимо, використовуючи (11):
(12)
З (10) можна знайти залежність між і нижче Т0. Оскільки обернена сприйнятливість х від’ємна нижче Т0, ця залежність має вигляд, зображений на рис. 5 (крива АВСД).
Ділянка ВС кривої відповідає нестійкому стану кристалу; кристал стрибком переходить з В в Е і з С в F. Таким чином є два стани з рівною, але протилежною поляризацією, розділені потенціальним бар’єром.
Рис. 9.5. Залежність поляризації від напруженості поля нижче температури Кюрі (фазовий перехід ІІ-го роду).
Випадок 2.
Розглянемо тепер випадок, коли в рівнянні (9) коефіцієнт ξ від’ємний , а ς – додатні1. це означає, що вільна енергія F(P) може мати два рівних мінімуми (при Р = 0 і Р = ± Р) при одному і тому ж значенні x >0, тобто при одній і тій же температурі (рис. 6а). При температурі Т=Т0 кристал стрибком переходить з одного стійкого стану Р = 0 в інший стійкий стан Р = Р0. Такий перехід називається переходом першого роду. В цьому випадку значення вільної енергії при Р = 0 і Р = Р0 при Т=Тс рівні:
З іншого боку, коли зовнішнє поле відсутнє:
(13)
З цих співвідношень отримуємо:
Звідси видно, що в точці переходу має місце стрибок спонтанної поляризації (рис. 6б). Обернена діелектрична сприйнятливість знаходиться, як правило, із зв’язку Е=Е(Р).
Рис. 9.6. Схематичне зображення поведінки деяких характеристик сегнетоелектрика при базовому переході І – го роду.
а) залежність вільної енергії від поляризації при:
б) залежність спонтанної поляризації від температури.
Стрибок оберненої діелектричної сприйнятливості при Т = Тс Δхповн=3х. При цьому Δх повн в точці переходу не стає рівним нулю, а має скінченне значення.
Поклавши
,
отримуємо закон Кюрі – Вейса для х
як вище, так і нижче точки Кюрі Тс.
Слід відмітити, що для фазових переходів
І – го роду температура переходу Тс
(точка Кюрі) дещо вища температури
Кюрі-Вейса Т0.
Досліджуваний в роботі сегнетоелектричний кристал барію, BaTiO3, має декілька кристалографічних модифікацій. В параелектричному стані титанат барію має кубічну структуру (тип перовскит). Елементарна комірка перевскитної гратки показана на рис. 9.7.
Барій (Ba)
Кисень (О)
Титан (Ті)
Рис. 9.7 Елементарна комірка BaTiO3
В центрі куба розміщений атом Ті, в вершинах – атоми Ва, а в центри кожної грані – атоми О. Параметр комірки дорівнює приблизно 4Å. При такому розташуванні атомів в елементарній комірці “центр ваги” позитивних і негативних зарядів збігається, і дипольний момент осередку дорівнює нулеві. Таким чином, ця фаза кристала є неполярною фазою.
При температурі трохи вище 100ºС в кристалі ВаТіО3 відбувається фазовий перехід, і структура стає тетрагональною. Тетрагональна елементарна комірка виходить у результаті наступного перекручування кубічного комірки: одне ребро куба подовжується і стає тетрагональною віссю; два інших ребра скорочуються, але залишаються рівними один одному по розмірах. Це перекручування кубічної комірки схематично показане на мал.8б. Атом Ті в цій структурі має два рівноважних положення уздовж тетрагональної осі, що і визначає появу дипольного моменту елементарного осередку. Полярний напрямок, таким чином, паралельно тим або іншим ребрам кубічної комірки. Тому в тетрагональній фазі можливі шість напрямків поляризації. У параэлектричній фазі у ВаТіО3 немає “готових” дипольних моментів.
а) б) в) г)
Рис. 9.8. Елементарні комірки чотирьох фаз кристала ВаТiО3.
а) кубічна, стабільна вище 120º С,
б) тетрагональна, стабільна між 120ºС і 5ºС,
в) ромбічна, стабільна між 5º С і — 90º С,
г) ромбоедрична, стабільна нижче — 90º С.
Штриховими лініями зображений вихідний кубічна комірка. Жирною стрілкою показаний напрямок спонтанної поляризації в кожній фазі. При температурі Кюрі в титанаті барію відбуваються зсуву іонів (в основному Тi) з первісних положень, у результаті яких утворяться дипольні моменти, рівнобіжні один одному. Таким чином, спонтанна поляризація в значній своїй частині обумовлена поляризацією іонного характеру. Однак, виникаюча в результаті іонних зсувів електронна поляризація також вносить вклад у величину повної спонтанної поляризації кристала.
При подальшому зниженні температури в кристалі спостерігається ще два фазових переходи при 5ºС і 90º С.
Фаза, стабільна в області температур від 5ºС до — 90º С має ромбічну структуру. Ця фаза також сегнетоэлектрична. Елементарна комірка має вигляд ромбоедра, отриманого деформацією вихідного кубічного осередку вздовж діагоналі грані (мал.8в). Це напрямок і є полярною віссю. Третій фазовий перехід, що відбувається при — 90ºС, знижує симетрію кристала до ромбоедричної. Ромбоедричне перекручування складається в деформації вихідної комірки уздовж просторової діагоналі куба, що стає полярною віссю кристала (мал.8г).
У даній роботі потрібно досліджувати температурну залежність спонтанної поляризації Рs і діелектричної проникності ε в тетрагональній фазі, тобто в області температур від 20º С до 150º С, і встановити характер фазового переходу і температуру Кюрі.