- •Лабораторная работа №0.
- •Подготовка к работе.
- •Проведение исследований.
- •Контрольные вопросы.
- •Проведение исследований.
- •Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа №1.5.
- •Подготовка к работе.
- •Проведение исследований.
- •Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа №1.6.
- •Подготовка к работе.
- •Проведение исследований.
- •Контрольные вопросы.
- •2.Полупроводниковые приборы.
- •Лабораторная работа №2.1.
- •Подготовка к работе.
- •Проведение исследований.
- •Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа №2.2.
- •Подготовка к работе.
- •Проведение исследований. Часть 1. «Включение транзистора по схеме с общей базой»
- •Часть 2. «Включение транзистора по схеме с общим эмиттером»
- •Контрольные вопросы.
- •Контрольные вопросы.
- •4. Усилители лабораторная работа №4.1.
- •Подготовка к работе.
- •Описание макета.
- •Проведение исследований.
- •Методические рекомендации
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №1.5. «исследование выннужденных колебаний в одиночном контуре»
- •Лабораторная работа №1.6.
Контрольные вопросы.
1. Классификация полупроводниковых диодов (ПД) по назначению.
2. Устройство и принцип работы ПД.
3. Характеристики и параметры ПД.
4. Возможность технического применения ПД.
5. Выбор рабочей точки на ВАХ различных типов ПД.
6. Охарактеризуйте виды пробоя в ПД.
7. Что такое туннельный эффект и как его использовать.
8. Влияние емкости p-n перехода на свойства ПД.
9. Объясните влияние температуры на ВАХ ПД.
10. Объясните различия ВАХ реального и идеального ПД.
11. Описать процессы в p-n переходе при отсутствии внешнего напряжения, при его прямом и обратном включении.
12. Охарактеризовать температурные и частотные свойства p-n перехода.
13. Принцип действия исследуемых ПД.
14. Объясните термин "отрицательное сопротивление".
Лабораторная работа №2.2.
“ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ”
Цель работы: освоить методику снятия статических характеристик биполярных транзисторов, научиться определять основные параметры транзисторов.
Оборудование: макет, вольтметр.
Подготовка к работе.
Изучить назначение, принцип действия, обозначения, схемы включения, основные характеристики и параметры, свойства, особенности и области применения исследуемых полупроводниковых приборов (тип транзистора указывается преподавателем). Определить по справочнику диапазоны изменения измеряемых параметров и их предельно допустимые значения. Изобразить предполагаемый вид графиков снимаемых в работе зависимостей с указанием на них предельно допустимых значений. ВНИМАНИЕ! Не допускать превышения в ходе работы предельно допустимых параметров транзисторов во избежание выхода их из строя!
Проведение исследований. Часть 1. «Включение транзистора по схеме с общей базой»
1.1. Выставить ручки регулировки ГТ, ГН1 и ГН2 в крайнее против часовой стрелки положение. Поставить переключатели макета в следующие положения: S1 – С3, S2- Д1, пределы А1 - 10мА. Подключить к гнездам V1 и V2 вольтметры постоянного напряжения. Включить макет. Снять переходные характеристики IК=f(IЭ) при UКБ=-5В, UКБ=-10В, UКБ=-15В не превышая максимальных допустимых выходных тока и мощности. Определить максимальный входной ток для каждого UКБ. Все характеристики построить на одном графике.
1.2. Снять входную характеристику IЭ=f(UЭБ) при UКБ=-5В, UКБ=-10В, UКБ=-15В не превышая максимального входного тока. Все характеристики построить на одном графике.
1.3. Снять семейство выходных характеристик IК=f(UКБ) при 5 различных значениях не превышая максимальных допустимых выходных тока и мощности в диапазоне UКБ от 0В до 15В. Все характеристики построить на одном графике.
1.4. По снятым характеристикам определить параметры: коэффициент передачи тока, входное сопротивление, внутреннее сопротивление коллектора и крутизну характеристики.
1.5. В выводах проанализировать полученные результаты.
Часть 2. «Включение транзистора по схеме с общим эмиттером»
1.1. Выставить ручки регулировки ГТ, ГН1 и ГН2 в крайнее против часовой стрелки положение. Поставить переключатели макета в следующие положения: S1 – С4, S2- Д1, пределы А1 - 1мА. Подключить к гнездам V1 и V2 вольтметры постоянного напряжения. Включить макет. Снять переходную характеристику IК=f(IБ) при UКЭ=-5В, UКЭ=-10В, UКЭ=-15В не превышая максимальных допустимых выходных тока и мощности. Определить максимальный входной ток для каждого UКЭ. Все характеристики построить на одном графике.
1.2. Снять входную характеристику IБ=f(UЭБ) при UКЭ=-5В, UКЭ=-10В, UКЭ=-15В не превышая максимального входного тока. Все характеристики построить на одном графике.
1.3. Снять семейство выходных характеристик IК=f(UКЭ) при 8-10 значениях (включая IБ=0) не превышая максимальных допустимых выходных тока и мощности в диапазоне UКЭ от 0В до 15В. Все характеристики построить на одном графике.
1.4. По снятым характеристикам определить параметры: коэффициент передачи тока, входное сопротивление, внутреннее сопротивление коллектора и крутизну характеристики.
1.5. На семействе выходных характеристик построить нагрузочные прямые UКЭ=EК-IКRН при RН = 1 кОм, 3 кОм, 5,1 кОм, 10 кОм и EК = -15 В.
1.6. В выводах проанализировать полученные результаты.