- •1. Определение и классификация электронных приборов.
- •2. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
- •3. Диффузионный и дрейфовый ток.
- •4 . Потенциальный барьер в p – n - переходе. Распределение концентрации электронов и дырок, заряда, напряженности на границе p-n перехода.
- •5 . Электронно-дырочный переход при приложении прямого и обратного напряжения.
- •6. Последовательное и параллельное соединение диодов и тиристоров в мощных преобразовательных установках.
- •7. Варикап, стабилитрон, импульсный, туннельный и лавинный диоды. Принцип действия, характеристики, параметры, области применения.
- •8. Конструкция и параметры выпрямительных диодов силовой электроники.
- •9. Биполярные транзисторы типа p-n-p и n-p-n (принцип действия, характеристики).
- •10. Схемы включения транзисторов и их сравнительный анализ.
- •11. Работа биполярного транзистора в усилительном и ключевом режиме.
- •1 2. Методы температурной стабилизации рабочей точки покоя транзисторного каскада.
- •13. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом.
- •15. Биполярный транзистор с изолированным затвором.
- •16. Способы получения p-n переходов в полупроводниковых приборов.
- •17. Принцип действия, конструкция, характеристики тринистора.
- •Характеристики тиристоров.
- •Режимы работы тиристора. Режим обратного запирания.
- •18. Процесс открытия и закрытия триодного тиристора.
- •19. Симметричный и запираемый тиристор (структура, принцип действия, характеристики, область применения).
- •21. Характеристики и параметры цепи управления тиристоров.
- •22. Фазосдвигающие устройства для управления тиристорами.
- •23. Параметры силовой цепи мощных тиристоров.
- •26. Тонкопленочные и толстопленочные пленочные имс.
- •25. Классификация интегральных микросхем. Пленочные микросхемы.
- •27. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы.
- •28. Полупроводниковые интегральные микросхемы.
- •29. Операционный усилитель как универсальная аналоговая микросхема (структура, функции).
- •30. Дифференциальный усилительный каскад как составной элемент аналоговой микросхемы.
- •31. Отражатель тока в аналоговых интегральных микросхемах.
- •33. Логические операции: конъюнкция, дизъюнкция, инверсия, реализуемые в цифровых интегральных микросхемах.
- •32 Схемы смещения уровня и Дарлингтона в аналоговых микросхемах.
- •34. Типовые логические элементы дтл, ттл, эсл, иил, кмоптл.
- •36. Параметры и нагрузочная способность цифровых имс.
15. Биполярный транзистор с изолированным затвором.
б иполярный транзистор с изолированным затвором- электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT-транзисторы, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.
Сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:
1) высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности - от транзисторов с изолированным затвором
2) низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии - от биполярных транзисторов.
Диапазон использования - от десятков А до 1200 А по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению.
16. Способы получения p-n переходов в полупроводниковых приборов.
Сплавные переходы получают, нанося на п/п кристаллич. подложку "навеску" легкоплавкого металлич. сплава,в состав к-рого входит необходимое легирующее вещество. При нагреве образуется обл. жидкого расплава, состав к-рого определяется совместным плавлением навески и подложки.При остывании формируется рекристаллизац. область п/п,обогащённая легирующими атомами. Если тип легирования этой области отличен от типа легирования подложки,то образуется резкий р - n-переход, причём его металлургич. граница х0совпадает с границей рекристаллизац. области. В сплавных переходах на этой поверхности разность изменяется скачком (резкий р-n-переход).
При вытягивании из расплава формир-е перехода происходит в процессе роста полупроводникового слитка путём дозированного изменения состава легирующих примесей в расплаве. Диффузионные переходы получают диффузией легирующих примесей из источников в газообразной, жидкой и твёрдой фазах. Имплантированные переходы образуются при ионной имплантации легирующих примесей.
Эпитаксиальные переходы получают методом эпитаксиального выращивания или наращивания, в т. ч. методом молекулярно-лучевой эпитаксии,позволяющим пространственно наиболее тонко (с разрешающей способностью до 1 нм) регулировать закон изменения NД(x) - Na(x).Часто применяются комбиниров.способы: после вплавления,имплантации или эпитаксиального выращивания производится диффузионная доводка структуры.
При получении р-n-П. регулир. не только легирование р- и n-областей, но и структура всего переходного слоя; получается необходимый градиент а = d(NД - Na)/dx в точке металлургич. перехода х = х0.В большинстве случаев применяются асимметричные р+ - п- или п+ - р -П., в к-рых легирование одной из областей (+) намного сильнее другой.
Применения, р-n-П. обладает нелинейной ВАХ с большим коэф. выпрямления, на чём основано действие выпрямительных (полупроводниковых) диодов. За счёт изменения толщины обеднённого слоя с изменением напряжения U он имеет управляемую нелинейную ёмкость.Включённый в прямом направлении, он инжектирует носители из одной своей области в другую. Инжектиров. носители могут управлять током др. р - n-П., рекомбинировать с излучением света, превращая р-n-П.в электролюминесцентный источник излучения, инерционно задерживаться в области инжекции при быстрых переключениях напряжения на р - n-П. Ток р - n-П. управляется светом или др. ионизирующими излучениями.