- •1. Определение и классификация электронных приборов.
- •2. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
- •3. Диффузионный и дрейфовый ток.
- •4 . Потенциальный барьер в p – n - переходе. Распределение концентрации электронов и дырок, заряда, напряженности на границе p-n перехода.
- •5 . Электронно-дырочный переход при приложении прямого и обратного напряжения.
- •6. Последовательное и параллельное соединение диодов и тиристоров в мощных преобразовательных установках.
- •7. Варикап, стабилитрон, импульсный, туннельный и лавинный диоды. Принцип действия, характеристики, параметры, области применения.
- •8. Конструкция и параметры выпрямительных диодов силовой электроники.
- •9. Биполярные транзисторы типа p-n-p и n-p-n (принцип действия, характеристики).
- •10. Схемы включения транзисторов и их сравнительный анализ.
- •11. Работа биполярного транзистора в усилительном и ключевом режиме.
- •1 2. Методы температурной стабилизации рабочей точки покоя транзисторного каскада.
- •13. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом.
- •15. Биполярный транзистор с изолированным затвором.
- •16. Способы получения p-n переходов в полупроводниковых приборов.
- •17. Принцип действия, конструкция, характеристики тринистора.
- •Характеристики тиристоров.
- •Режимы работы тиристора. Режим обратного запирания.
- •18. Процесс открытия и закрытия триодного тиристора.
- •19. Симметричный и запираемый тиристор (структура, принцип действия, характеристики, область применения).
- •21. Характеристики и параметры цепи управления тиристоров.
- •22. Фазосдвигающие устройства для управления тиристорами.
- •23. Параметры силовой цепи мощных тиристоров.
- •26. Тонкопленочные и толстопленочные пленочные имс.
- •25. Классификация интегральных микросхем. Пленочные микросхемы.
- •27. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы.
- •28. Полупроводниковые интегральные микросхемы.
- •29. Операционный усилитель как универсальная аналоговая микросхема (структура, функции).
- •30. Дифференциальный усилительный каскад как составной элемент аналоговой микросхемы.
- •31. Отражатель тока в аналоговых интегральных микросхемах.
- •33. Логические операции: конъюнкция, дизъюнкция, инверсия, реализуемые в цифровых интегральных микросхемах.
- •32 Схемы смещения уровня и Дарлингтона в аналоговых микросхемах.
- •34. Типовые логические элементы дтл, ттл, эсл, иил, кмоптл.
- •36. Параметры и нагрузочная способность цифровых имс.
1. Определение и классификация электронных приборов.
Электронные - приборы, принцип действия которых основан на физических явлениях, связанных с движением электрически заряженных частиц в вакууме, газе или в твердом теле. Область науки и техники, которая занимается изучением и разработкой электронных приборов и устройств, называется электроникой.
Приборы различают по рабочей среде, в которой протекают основные физические процессы в приборе:
электровакуумные приборы – приборы, где рабочее пространство изолировано от окружающей среды газонепроницаемой оболочкой – баллоном. Электрические процессы в этих приборах протекают в среде высокоразреженного газа с давлением порядка 10 ^-6 мм рт. ст. К электровакуумным приборам относятся электронные лампы, электронно-лучевые, фотоэлектронные и сверхвысокочастотные приборы;
ионные (газоразрядные) приборы - приборы, баллоны которых наполнены инертными газами (аргоном, неоном, криптоном), их смесью, водородом или парами ртути. Давление газа в баллоне не велико: 10 ^-5 мм рт. ст. Заполнение приборов газом позволяет пропустить через них значительно больший ток, чем это возможно в электровакуумном приборе при той же потребляемой мощности, что объясняется малым внутренним сопротивлением прибора и малым падением напряжения между анодом и катодом.
полупроводниковые приборы - приборы, действие которых основано на электрических явлениях в твердом теле, обладающем свойствами полупроводника.
В зависимости от области применения различают: высокочастотные; высоковольтные; импульсные.
Также приборы разделяют на:
Дискретные – выполняются в виде отдельных устройств.
К основным классам дискретных приборов относят:
электропреобразовательные, преобразующие энергию приборы (диод, транзистор, тиристор);
оптоэлектронные, преобразующие световые сигналы в электрические и наоборот (фоторезистор, фотодиод, фототранзистор);
термоэлектрические, преобразующие тепловую энергию в электрическую и наоборот (термоэлемент, терморезистор);
магнитоэлектрические (измерительный преобразователь на основе эффекта Холла);
пьезоэлектрические и тензометрические, реагирующие на изменение давления, механическое смещение и другие воздействия.
Интегральные – активные элементы монолитных интегральных схем, которые строятся по обычным принципам схемотехники. Они состоят из диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и соединений между ними. Выполняет определённое преобразование и обработку сигналов.
цифровые – ИМС, с помощью которых обрабатываются и преобразуются сигналы, выраженные в двоичной или цифровом коде: логические, счетно-преобразовательные и интегральные схемы памяти.
аналоговые – ИМС для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Охватывают приборы усиления, источники вторичного питания, сверхчастотные схемы.
В зависимости от применяемого полупроводникового материала: германиевые, кремниевые, арсенид – галлиевые.
Также создают с двумя и более элементами.
По конструктивным и технологическим признакам:
точечные;
плоскостные: сплавные, диффузионные, мезапланарные, планарные.
В зависимости от мощности, преобразуемой в сигналы: маломощные (на токи до 10 А); силовые.
По структуре полупроводниковые приборы подразделяются:
диоды (1 p-n переход):
плоскостные (выпрямительные),
опорные (стабилитрон),
туннельные (маломощные, нет p-n перехода),
варикапы (имеют регулируемую ёмкость),
точечные,
фото- и светодиоды
транзисторы (2 p-n перехода):
биполярные (p-n-p, n-p-n),
полевые (униполярные: с изолированным запором, моптранзисторы);
микросхемы:
плёночные (пассивные),
совмещённые (плёнки + полупроводники),
полупроводниковые,
гибридные (плёночные + навесные элементы);
тиристоры:
диодные (динистор; не управляется – нельзя ни открыть, ни закрыть с помощью электрода),
триодные (тинистор; полууправляемый – можно только открыть или только закрыть с помощью электрода).
омметричные
Перспективы: Использование полупроводниковых приборов дает огромную экономию в расходовании электрической энергии источников питания и позволяет во много раз уменьшить размеры и массу аппаратуры. Минимальная мощность для питания электронной лампы составляет 0,1 Вт, а для транзистора она может быть 1мкВт, т.е. в 100000 раз меньше.
Область применения: энергетика; транспорт; робототехника; радиоэлектроника; быт.