31. Отражатель тока в аналоговых интегральных микросхемах.
Т
оковое
зеркало — генератор тока, управляемый
током. Чаще всего выходной ток равен
управляющему или отличается от него в
целое число раз.
Токовые зеркала на транзисторах чрезвычайно широко используются в аналоговых интегральных схемах благодаря своей простоте (требуются всего два согласованных транзистора) и эффективности. Токовые зеркала обычно используются для того, чтобы «скопировать» один управляющий ток на множество каскадов, и тем самым задать их ток покоя.
33. Логические операции: конъюнкция, дизъюнкция, инверсия, реализуемые в цифровых интегральных микросхемах.
1.
Конъюнкция, или логическое умножение.
Элемент, реализующий функцию конъюнкции,
называется И.
Э
лементы
НЕ, ИЛИ, И представляют собой функционально
полный набор логических элементов.
Только при помощи этих элементов можно
выполнить любую сколь угодно сложную
функцию.
Схема И. Элементы И-НЕ и ИЛИ-НЕ реализуются подключением на выход диодной
матрицы транзисторного инвертора (Рис 171). R >> Rпр.
2
.
Вторая наша логическая функция называется
дизъюнкцией, или логическим сложением.
Элемент,
реализующий функцию дизъюнкции,
называется ИЛИ.
В
простейшем случае реализуется на
полупроводниковых диодах (рисунок
169). Необходимым условием для работы
является:
1
)
Uвх1 > Uип; 2) R >>Ri.пр.
3.
Логическое
отрицание (или инверсия). Записывается
эта функция так
.
Данная функция реализуется логическим
элементом, который называется инвертором
или же элементом НЕ (рис. 153).
Элемент НЕ (рис 166 - 168). В общем случае представляет транзисторный ключ на полевом или биполярном транзисторе.
32 Схемы смещения уровня и Дарлингтона в аналоговых микросхемах.
Е
Составной транзистор Дарлингтона
сли соединить транзисторы, как показано на рис. то полученная схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент β будет равен произведению коэффициентов β составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем, работающих с большими токами (н-р, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде (так как потенциал эмиттера транзистора Т1 должен превышать потенциал эмиттера транзистора Т2, на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, соединенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с достаточно малым быстродействием, так как транзистор T1 не может быстро выключить транзистор Т2. С учетом этого свойства обычно между базой и эмиттером транзистора Т2 включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает смешение транзистора Т2 в область проводимости за счет токов утечки транзисторов Т1 и Т2. Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и вместе с тем чтобы через него протекал ток. малый по сравнению с базовым током транзистора Т2. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.