- •1. Определение и классификация электронных приборов.
- •2. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
- •3. Диффузионный и дрейфовый ток.
- •4 . Потенциальный барьер в p – n - переходе. Распределение концентрации электронов и дырок, заряда, напряженности на границе p-n перехода.
- •5 . Электронно-дырочный переход при приложении прямого и обратного напряжения.
- •6. Последовательное и параллельное соединение диодов и тиристоров в мощных преобразовательных установках.
- •7. Варикап, стабилитрон, импульсный, туннельный и лавинный диоды. Принцип действия, характеристики, параметры, области применения.
- •8. Конструкция и параметры выпрямительных диодов силовой электроники.
- •9. Биполярные транзисторы типа p-n-p и n-p-n (принцип действия, характеристики).
- •10. Схемы включения транзисторов и их сравнительный анализ.
- •11. Работа биполярного транзистора в усилительном и ключевом режиме.
- •1 2. Методы температурной стабилизации рабочей точки покоя транзисторного каскада.
- •13. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом.
- •15. Биполярный транзистор с изолированным затвором.
- •16. Способы получения p-n переходов в полупроводниковых приборов.
- •17. Принцип действия, конструкция, характеристики тринистора.
- •Характеристики тиристоров.
- •Режимы работы тиристора. Режим обратного запирания.
- •18. Процесс открытия и закрытия триодного тиристора.
- •19. Симметричный и запираемый тиристор (структура, принцип действия, характеристики, область применения).
- •21. Характеристики и параметры цепи управления тиристоров.
- •22. Фазосдвигающие устройства для управления тиристорами.
- •23. Параметры силовой цепи мощных тиристоров.
- •26. Тонкопленочные и толстопленочные пленочные имс.
- •25. Классификация интегральных микросхем. Пленочные микросхемы.
- •27. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы.
- •28. Полупроводниковые интегральные микросхемы.
- •29. Операционный усилитель как универсальная аналоговая микросхема (структура, функции).
- •30. Дифференциальный усилительный каскад как составной элемент аналоговой микросхемы.
- •31. Отражатель тока в аналоговых интегральных микросхемах.
- •33. Логические операции: конъюнкция, дизъюнкция, инверсия, реализуемые в цифровых интегральных микросхемах.
- •32 Схемы смещения уровня и Дарлингтона в аналоговых микросхемах.
- •34. Типовые логические элементы дтл, ттл, эсл, иил, кмоптл.
- •36. Параметры и нагрузочная способность цифровых имс.
8. Конструкция и параметры выпрямительных диодов силовой электроники.
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами от областей кристалла с разными видами проводимости.
П ринцип действия выпрямительных диодов основан на свойстве односторонней электропроводности p-n-перехода. Если к диоду подвести переменное напряжение, то в течение одного полупериода, когда на аноде положительная полуволна, на p-n-переходе действует прямое напряжение. При этом сопротивление диода мало; через него протекает большой прямой ток. В следующий полупериод полярность напряжения на диоде меняется на обратную. Его сопротивление значительно увеличивается; через него проходит очень малый обратный ток. Нагрузку Rн включают в цепь источника питания последовательно с диодом. Практически ток через нагрузку проходит только в одном направлении, поскольку обратным током по сравнению с прямым можно пренебречь. Таким образом происходит преобразование переменного тока в постоянный по направлению (пульсирующий).
В ид ВАХ диода определяется вольтамперной характеристикой p-n-перехода. Реальные характеристики отличаются от идеальных из-за влияния различных факторов (токи утечки на поверхности перехода, изменения температуры и др.).
Основными параметрами выпрямительных диодов являются:
прямое напряжение Uпр – значение постоянного напряжения на диоде при заданном прямом токе;
обратный ток Iобр – значение постоянного тока, протекающего через диод в обратном направлении при заданном обратном напряжении;
сопротивление диода в прямом направлении R = Uпр / Iпр; оно составляет единицы и десятки Ом;
сопротивление диода в обратном направлении R = Uобр / Iобр; оно составляет единицы МОм;
дифференциальное сопротивление диода Rдиф – отношение приращения напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока: Rдиф = ΔU /ΔI.
Прямое и обратное сопротивления – это сопротивления в данной точке характеристики при постоянном токе соответствующего направления; дифференциальное сопротивление – это сопротивление при переменном токе; оно определяет наклон касательной (dU/dI), проведенной в данной точке вольтамперной характеристики к оси абсцисс (зависит от постоянной составляющей тока диода, определяющей рабочую точку на характеристике).
Отношение напряжения на диоде к току через него U/I называют статическим сопротивлением.
ВАХ выпрямительного диода получаем, измерив напряжение на диоде при подсоединении к нему через резистор источников напряжения различной величиной ЭДС Е (рис. 1.4). Ток диода:
Iпр= (E - Uпр)/R,
где Iпр - ток диода в прямом направлении,
Е - напряжение источника питания,
Uпр - напряжение на диоде в прямом направлении.
Изменив полярность включения диода (рис. 1.4), можно снять ВАХ диода в обратном направлении.
Iоб= (E – Uоб)/R,
где Iоб - ток диода в обратном направлении,
Uоб - напряжение на диоде в обратном направлении.