
- •1. Определение и классификация электронных приборов.
- •2. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
- •3. Диффузионный и дрейфовый ток.
- •4 . Потенциальный барьер в p – n - переходе. Распределение концентрации электронов и дырок, заряда, напряженности на границе p-n перехода.
- •5 . Электронно-дырочный переход при приложении прямого и обратного напряжения.
- •6. Последовательное и параллельное соединение диодов и тиристоров в мощных преобразовательных установках.
- •7. Варикап, стабилитрон, импульсный, туннельный и лавинный диоды. Принцип действия, характеристики, параметры, области применения.
- •8. Конструкция и параметры выпрямительных диодов силовой электроники.
- •9. Биполярные транзисторы типа p-n-p и n-p-n (принцип действия, характеристики).
- •10. Схемы включения транзисторов и их сравнительный анализ.
- •11. Работа биполярного транзистора в усилительном и ключевом режиме.
- •1 2. Методы температурной стабилизации рабочей точки покоя транзисторного каскада.
- •13. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом.
- •15. Биполярный транзистор с изолированным затвором.
- •16. Способы получения p-n переходов в полупроводниковых приборов.
- •17. Принцип действия, конструкция, характеристики тринистора.
- •Характеристики тиристоров.
- •Режимы работы тиристора. Режим обратного запирания.
- •18. Процесс открытия и закрытия триодного тиристора.
- •19. Симметричный и запираемый тиристор (структура, принцип действия, характеристики, область применения).
- •21. Характеристики и параметры цепи управления тиристоров.
- •22. Фазосдвигающие устройства для управления тиристорами.
- •23. Параметры силовой цепи мощных тиристоров.
- •26. Тонкопленочные и толстопленочные пленочные имс.
- •25. Классификация интегральных микросхем. Пленочные микросхемы.
- •27. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы.
- •28. Полупроводниковые интегральные микросхемы.
- •29. Операционный усилитель как универсальная аналоговая микросхема (структура, функции).
- •30. Дифференциальный усилительный каскад как составной элемент аналоговой микросхемы.
- •31. Отражатель тока в аналоговых интегральных микросхемах.
- •33. Логические операции: конъюнкция, дизъюнкция, инверсия, реализуемые в цифровых интегральных микросхемах.
- •32 Схемы смещения уровня и Дарлингтона в аналоговых микросхемах.
- •34. Типовые логические элементы дтл, ттл, эсл, иил, кмоптл.
- •36. Параметры и нагрузочная способность цифровых имс.
2. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
Электропроводность- способность вещ-ва проводить эл.ток, за счёт наличия в них подвижных заряж. частиц (носителей заряда) — электронов, ионов и др.
Собственным п/п называют полностью лишенный примесей п/п с идеальной крист. решеткой без дефектов.Собственный п/п при t=273.15град явл. диэлектриком, т. е. при t абсолютного нуля в собственном п/п отсутствуют своб. носители заряда. При t выше абсол. нуля возникают колебания атомов в узлах кристаллической решетки. При получении большей энергии, нежели ширина запрещенной зоны, они разрывают ковалентные связи,образуя фотоны,в рез. чего возникают расположенные в близости друг от друга пары носителей зарядов: дырок и электронов,которые стали свободными.Они являются носителями зарядами, обеспечивающими электропроводность чистого п/п. Дырка – незаполненная электроном ковалентная связь.Такая электропроводность п/п называется собственной.Одновременно с генерацией пар электрон-дырка протекает процесс рекомбинации носителей зарядов.Этот процесс сопровождается возвращением электронов в валентную зону на вакантный уровень с выделением определенной порции энергии.
В п/п приборах применяются примесные полупроводники. Если в п/п ввести пятивалентную примесь, то 4 валентных электрона восстанавливают ковалентные связи с атомами п/п, а пятый электрон остается свободным. За счет этого концентрация свободных электронов будет превышать концентрацию дырок.
Примесь, за счет которой ni>pi, называется донорной примесью.
П/п, у которого ni>pi, называется п/п с электронным типом проводимости, или п/п n-типа.
В п/п n-типа электроны называются основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда.
При введении трехвалентной примеси три её валентных электрона восстанавливают ковалентную связь с атомами п/п, а четвёртая ковалентная связь оказывается не восстановленной, т. е. имеет место дырка. В результате этого концентрация дырок будет больше концентрации электронов.
Примесь, при которой pi> ni, называется акцепторной примесью.
П/п, у которого pi> ni, называется п/п с дырочным типом проводимости, или п/п p-типа.
В п/п p-типа дырки называются основными носителями заряда, а электроны – неосновными носителями заряда.
3. Диффузионный и дрейфовый ток.
Дрейфовый
ток в полупроводнике – это ток,
возникающий за счет приложенного
электрического поля. При этом электроны
движутся навстречу линиям напряженности
поля, а дырки по направлению линий
напряженности поля. Диффузионный ток
это ток, возникающий из-за неравномерной
концентрации носителей заряда. n2>n1.
n2-n1=
.
Отношение
- это градиент неравномерности
концентрации примесей. Величина
диффузионного тока будет определяться
градиентом неравномерности
и будет составлять
;
;
где
коэффициенты
диффузии.