21. Характеристики и параметры цепи управления тиристоров.

1).

2).

3).

22. Фазосдвигающие устройства для управления тиристорами.

1). Предельный ток -значение прямого тока тиристора при однофазной полупериодной цепи, синусоидальным напряжением цепи и чисто активной нагрузке;

2). ;

3). Амплитудное значение обратного напряжения, которое может выдерживать тиристор в течение длительного промежутка времени( );

4). -амплитудное значение напряжения, которое может быть приложено к тиристору ограниченное число раз;

5). -амплитудное значение обратного синусоидального напряжения, которое прикладывается к тиристору;

6). -падение напряжения на тиристоре, при максимальном токе, который определяет ;

7). -пороговое напряжение;

8). -напряжение включения;

9). -критическая скорость нарастания напряжения;

10). -скорость нарастания предельного тока тиристора;

11). -защитный интеграл(определяет то значение тока, при котором может произойти тепловой пробой);

12). ;

13). ;

14). -мощность, которая может коммутировать тиристор.

23. Параметры силовой цепи мощных тиристоров.

Напряжение включения Uвкл ; постоянный отпирающий ток управляющего электрода Iу.от; импульсный запирающий ток управляющего электрода Iу.э.и; импульсное запирающее напряжение на управляющем электроде Uу.э.и; удерживающий ток Iуд; ток выключения Iвыкл; время включения tвкл; максимально допустимый постоянный запираемый ток Iэ.max. Последний параметр – это наибольший анодный ток, с которого допускаетсязапирание тиристора по управляющему электроду.

26. Тонкопленочные и толстопленочные пленочные имс.

Используется технология нанесения пленок из соответствующих материалов на керамику. В зависимости от вида наносимой пленки принято различать тонкопленочные и толстопленочные ИС. В первом случае толщина пленки не превышает 1 мкм. Пленки наносят путем вакуумного испарения, химического осаждения, катодного распыления и т. д. Удается создать резисторы с R от 10 Ом до 1 МОм, конденсаторы с C от 0,1 пФ до 20 нФ, катушки с L до 2мкГн, а также тонкопленочные транзисторы, аналогичные МОП – приборам. Толщина пленки толстопленочных ИС от 15 до 45 мкм. Получают с помощью шелкотрафаретной технологии, наносят нужный рисунок специальной краской. Удается получить резисторы с R от 10 Ом до 1 МОм, конденсаторы с C до 8 нФ, катушки с L до 4,5 мкГн. Активных элементов с помощью данной технологии не создают.

25. Классификация интегральных микросхем. Пленочные микросхемы.

Интег. микросхемой (ИМС) наз. монолитное изделие, предназн. для исполнения функций заданного каскада или целой системы, компоненты которого соединены м/у собой, и которые нельзя отделить один от другого демонтажными операциями. Различ. аналоговые микросхемы, которые непрерывно отслеживают и воздействуют на сигнал, и цифровые микросхемы, которые дискретно преобразуют и обрабатывают информацию. Микросхемы классифицируют по степени интеграции, которая равна логарифму от числа деталей n, размещенных в одной ИМС: k=lnn. По методу получения различают три вида ИМС:

1. Плёночные;

а) тонкопленочные – с толщиной пленки менее 1 мкм.

б) толстопленочные – с толщиной составляющей порядка 20 мкм.

2. Полупроводниковые

3. гибридные.

Пленочные микросхемы.

Изготавливаются путем нанесения на подложку пленки через трафарет.

Р езистор:выполняют нанесением на подложку пласт, содержащих никель, тантал, хром и т.д. со связующим веществом, имеют прямоугольную конфигурацию. С целью повышения сопротивления резистора его выполняют в виде соединенных др. с др. многочисленных элементарных одинаковых участков Г- образной или П- образной конфигурации. R=10 Ом…1 МОм. l- длина стороны; p - удельное сопротивление материала; b-площадь поперечного сечения; [R]= Ом/∀;

К онденсатор: имеют многослойную структуру и в общем случае образованы двумя электропроводящими пленками, между которыми выполняют слой диэлектрической пленки. Обкладки изготовлены из электропроводящих пленок, содержащих алюминий, тантал, серебро. Диэлектрическую пленку получают из различных оксидов: окиси тантала, двуокиси кремния, моноокиси германия. Емкость составляет C= 10 пФ до 20 нФ. [С]= пФ/∀;

К атушки: изготавливаются путем нанесения токопроводящих пленок на поверхность подложки. Индуктивность L <= 20 мкГн.