Функциональные компоненты

Увеличение числа выполняемых функций, рост требований по надежности и стоимости определяют необходимость повышения степени интеграции компонентной базы современных РЭС. Инте­гральная электроника, используемая в настоящее время, предпола­гает интеграцию элементарных электронных составляющих (рези­сторов, конденсаторов, транзисторов, полупроводниковых диодов, тиристоров) на кристалле микросхемы. Развитие компонентной базы РЭС связано с уменьшением размеров этих составляющих до суб­микронных и переход в манометровый масштаб измерений разме­ров и расстояний.

Весьма скоро будут достигнуты физические пределы интегра­ции такого схемотехнического направления, когда появятся микро­схемы с топологическими нормами порядка 0,1 мкм, изготовленные на пластинах большого диаметра с помощью литографических уста­новок неоптического экспонирования. При этом многочисленные межсоединения, свойственные схемотехнической интегральной электронике, вызовут ограничение скорости внешнего обмена ин­формацией уровнем 3 ГГц, хотя рабочая частота отдельно изготов­ленных транзисторов превысит 10 ГГц.

Предельные показатели традиционного направления развития интегральной электроники не смогут соответствовать уровню уже су­ществующих задач, таких как системы оперативного распознавания образов, искусственного интеллекта, параллельной обработки пото­ков информации, управление многомерными базами знаний и др.

Традиционно изготовленный схемотехнический базовый эле­мент интегральной микросхемы (цифровой или аналоговой) выпол­няют на кристалле, в который с помощью определенных технологи­ческих процессов целенаправленно внесено значительное количе­ство локальных неоднородностей на поверхности и в объеме. Полу­ченные неоднородности называют статическими, поскольку они должны оставаться неизменными весь срок эксплуатации микросхе­мы. Выполнение заданных функций по генерированию, обработке и хранению информации осуществляется на основе определенных схемотехнических решений.

Альтернативой интегральной электронике статических неод­нородностей является использование динамических неоднородно­стей в процессе генерирования, обработки и хранения информации, а также интеграция количества выполняемых функций.

Увеличение функциональных возможностей интегральной электроники происходит за счет интеграции на одном кристалле не только элементов, но и физических эффектов и явлений. Таким об­разом, при работе микросхем используются не только схемотехни­ческие решения, но и динамические неоднородности различной фи­зической природы как физические носители информации.

Динамическая неоднородность может быть расположена на части поверхности или в локальной области внутри некоторого су­ществующего материала, полученного применением определенных физико-химических процессов. Локализация динамической неодно­родности в материале или ее перемещение по рабочему объему материала в результате взаимодействия с физическими полями или другими динамическими неоднородностями различной физической природы могут быть использованы, например, для переноса инфор­мации.

К динамическим неоднородностям относят ансамбли (пакеты) заряженных частиц, домены (электрические домены, домены Ганна, цилиндрические магнитные домены), волны (поверхностные акусти­ческие волны, магнитные статические волны) и др. Размеры дина­мической неоднородности зависят от ее физического существованием зарядовых пакетов и магнитных доменов) до размера ато­мов (спиновые, волновые устройства).

Следовательно, функциональная электроника является обла­стью интегральной электроники, в которой используются явления возникновения, перемещения и взаимодействия динамических не­однородностей различной природы в однородной среде под дейст­вием физических полей. Например, в матрицах приборов зарядовой связи (ПЗС), относящихся по своему принципу действия к изделиям полупроводниковой функциональной электроники, информация об­рабатывается или хранится в виде зарядового пакета, состоящего из электронов и дырок. При этом статические неоднородности в прибо­ре и различное схемотехническое обрамление являются вспомога­тельными. Этим подтверждается тот факт, что функциональная и интегральная электроника развиваются одновременно, дополняя друг друга при создании сложных РЭС.

Следует обратить внимание на то, что в функциональной электронике пока не найдено принципиальных ограничений на раз­меры динамических и статических неоднородностей.

Отличительным свойством функциональной электроники яв­ляется возможность использования в процессе обработки информа­ции функций высшего порядка в качестве основных. Например, ин­тегрального преобразования Лапласа, быстрого преобразования Фурье, процедуры свертки, корреляции, автокорреляции, задержки, фильтрации, когерентного сложения и др. Одновременно могут быть осуществлены традиционные логические операции типа И, НЕ, ИЛИ и т.п. Немаловажно также, что обработка информации происходит без проводников и межсоединений и в аналоговом виде без преоб­разования в цифровую форму и обратно.

Итак, составными частями прибора функциональной электро­ники являются: динамические неоднородности некоторого материа­ла (например, поверхностные акустические волны); генератор дина­мических неоднородностей (для их ввода в канал распространения); устройство управления в тракте переноса информации; детектор информации (например, если необходим перевод в двоичный код).

Главными направлениями исследований в области функцио­нальной электроники являются разработка теоретических основ и практическое использование достижений в создании новых уст­ройств, использующих свойства таких динамических неоднородно­стей, как: поверхностные и спиновые акустические волны, цилинд­рические магнитные домены, ансамбли (пакеты) зарядов, ядерный магнитный резонанс, голографические массивы, белковые бистабильные среды, фазовые переходы на границах многослойных структур, кооперативное поведение самоорганизующихся неодно­родностей, сверхпроводимость, пьезо- и пироэлектричество в ди­электрических средах, электрокапиллярные явления и др.

Акустоэлектроника

Одно из направлений развития функциональной электроники, основанное на использовании пьезоэлектрического эффекта, а так­же физических явлений взаимодействия электрического поля с вол­нами акустических напряжений в пьезоэлектрическом и полупровод­никовом материале, получило название акустоэлектроника. Таким образом, в акустоэлектронных приборах происходит преобразование акустических колебаний в электрические и обратно.

Основными пьезоэлектрическими материалами являются кварц, сегнетова соль, турмалин и некоторые виды керамики, со» стоящие из молекул Si0₂, которые в отсутствие механической де­формации имеют нейтральный заряд вследствие равномерно рас­пределенных положительных и отрицательных ионов. При сжатии кристалла на расположенных снаружи электродах появляется раз­ность потенциалов (в этом проявляется прямой пьезоэффект). Под действием приложенного к электродам электрического напряжения И в зависимости от его полярности кристалл поляризуется и изменяет свои геометрические размеры (обратный пьезоэффект). Приложе­ние к электродам переменного напряжения определенной частоты вызывает возбуждение механических колебаний, определяемых свойствами материала кристалла и его размерами.

КВАРЦЕВЫЕ РЕЗОНАТОРЫ

Ранее других в составе РЭС начали применяться кварцевые резонаторы, в которых используют механические колебания изгиба, сжатия, кручения или сдвига всего объема кварцевой пластины. Чем меньше размеры кристалла, тем выше частота. Например, для час­тот основной механической гармоники 200...500 кГц кварцевый резонатор, работающий на изгиб, имеет толщину в десятые доли мил­лиметра, а в длину - несколько десятков миллиметров.

Резонаторы такого типа, имеющие несколько механических степеней свобо­ды, колеблются сразу в нескольких на­правлениях. Например, при возбуждении кристалла в виде прямоугольной пластины имеют место колебания продольные и по­перечные (по толщине). Кроме основных возможно появление побочных колебаний (чаще всего изгибных), что приводит к по­явлению дополнительных составляющих спектра частот резонатора. Наиболее ярко пьезоэлектрический эффект обнаружива­ется в кристаллах кварца (рис. 3.).

Рис. 3. Кристалл кварца

На механическом резонансе в кварцевой пластине устанавли­ваются стоячие упругие волны, длина которых пропорциональна скорости их распространения по пластине, определяемой анизо­тропными упругостью и плотностью кристалла (зависимых от на­правления деформации). Деформация в одном направлении в силу внутренних связей твердого тела вызывает деформацию в других направлениях. Поэтому основная деформация сопровождается по­бочными резонансами, особенно у пластин с основным механиче­ским резонансом по толщине.

В электрической цепи переменного тока кварцевый резонатор проявляет себя как параллельно-последовательный колеба­тельный контур (рис. 4.), в котором сопро­тивление R_s обозначает потери внутреннего трения в пластине, индуктивность L_s про­порциональна массе кристалла, емкость Cs обратно пропорциональна показателю меха­нической жесткости кристалла, С_Р - паразитная электрическая емкость выводов и кристаллодержателя.

Рис. 4. Эквивалент­ная схема замещения кварцевого резонатора

По сравнению с колебательным контуром из сосредоточенных компонентов добротность кварцевого резо­натора весьма высока, что позволяет использовать его для создания избира­тельных фильтров. Кроме того, высокая добротность позволяет обеспечить стабильность частоты электрических колебаний в авто­генераторах с кварцем. На рис. 5 приведена за­висимость реактивного сопротивления резонатора от частоты при­ложенного к нему переменного напряжения. На низких частотах резонатор ведет себя как емкость. С повышением частоты емкостное сопротивление уменьшается, и на частоте последователь­ного резонанса (называемой резонансной частотой кварцевого резо­натора) оно снижается до нуля. Резонатор проявляет свойства после­довательного контура, его полное сопротивление минимально и равно активному сопротивлению R_s.

Рис. 5. Изменение реактивного сопротивления кварцевого резона­тора от частоты

Выше частоты последовательного резонанса, определяемой формулой Томпсона

f_noc =1/(2Π(jL_sC_s)^(1/2)) растет индуктивное сопро­тивление резонатора и на частоте f_nAP резонатор достигает резонанса параллельного колебательного контура. При дальнейшем по­вышении частоты начинает сказываться шунтирующее действие ем­костей кварцедержателя и обкладок (резонатор действует как конденсатор малой емкости). Разность между резонансными частотами невелика и составляет приблизительно 0,4% от частоты последова­тельного резонанса.

Колебания кварцевых пластин на механических гармониках основного резонанса могут быть использованы для получения резонаторов на более высоких частотах. Например, в случае поперечных колебаний половина длины волны первой гармоники колебаний рас­положена по толщине (рис. 6, а), а при нечетных гармониках -нечетное число полуволн (рис. 6, б). Знаки зарядов на противопо­ложных плоскостях кварцевой пластины, где расположены сплош­ные электроды, различны. Поперечные колебания четной механиче­ской гармоники (рис. 6, в) вызывают одноименный заряд плоских, частей пластины и отсутствие пьезоэффекта. Аналогичные свойства ; проявляются при продольных колебаниях. Однако, применяя не­сколько электродов на плоскостях резонатора, удается путем их специального электрического соединения получить пьезоэффект на четных механических гармониках. Кварцевая пластина резонатора, используемого на высших гармониках, длиннее пластины резонато­ра основной механической гармоники.

Точность номинальной частоты кварцевых резонаторов достигается биологической подгонкой и состав­ляет +/- (0,5...1,0)*10^-7.

Поскольку добротность кварцевых резонаторов весьма высока (как правило, 10⁴...10⁶ и выше), то в предварительных расчетах сопротивлением потерь R_s эквивалентной схемы

замещения можно пренебречь.

К важнейшим характеристикам кварцевых резонаторов относятся температурная зависимость резонансной частоты и уровень старения. Для получения резонаторов с минимальным температурным коэффициентом частоты (ТКЧ) выбирают соответствующий срез кристалла (пространственный угол наклона плоскости разрезания исходного кристалла кварца). Например, наименьшим ТКЧ в достаточно широком диапазоне температур (кривая 1 на рис. 7) обла­дают пластины со срезом под углом 51° (технологический тип ухl/+ 51°30У+45°).

Рис. 6. Упругие механиче­ские деформации кристалла кварца по толщине и знаки заряда его плоскостей

Однако вблизи основной частоты пластины этого типа расположен паразитный резонанс, что заставляет применять для пластин другие срезы, например, под углом 35° (технологический тип ухl/+35°15'), ТКЧ которого отражает кривая 2 на рис. 13.5. Небольшим изменением угла среза можно в процессе производства кварцевых резонаторов добиться того, чтобы нулевое значение ТКЧ совпадало с серединой температурного диапазона условий эксплуатации РЭС. ТКЧ резонаторов с пластинами других срезов отличаются более существенной зависимостью от температуры.

Рис. 7. Относительное изменение резонансной частоты кварцевого резонатора в диапазоне температур: 1 - пластина со срезом 51°; 2- пластина со срезом 35°

Процесс необратимого изменения резонансной частоты кварцевого резонатора обычно называют его старением, причины которого объясняются изменениями свойств материалов (прежде всего кварцевой пластины). Существенное влияние на старение оказывает качество обработки поверхностей кварца. При длительной эксплуа­тации для уменьшения скорости старения необходимо поддержи­вать уровень рабочих напряжений и токов в пределах милливольт и миллиампер.

Электроды кварцевых резонаторов на поверхностях пластины изготавливают металлизацией, к которой предъявляются требова­ния высокой прочности. Для металлизации в большинстве примене­ний используют серебро и золото.

Крепление пластин в корпусе резонатора зависит от типа ме­ханических колебаний. В большинстве случаев пластину с попереч­ными колебаниями закрепляют специальными пружинными зажима­ми по ее клиновидному торцу (рис. 8, а), расположенному в узле колебаний, что обеспечивает минимальные вносимые потери. Квар­цевые пластины продольных колебаний укрепляют на проволочных выводах из бронзы, припаиваемых к вожженным в узлах колебаний кварца серебряным площадкам (рис. 8, б). Разновидности метал­лических и стеклянных корпусов кварцевых резонаторов представ­лены на рис. 9.

К современным РЭС предъявляются все более высокие тре­бования по стабильности частоты сигналов. Обычно требуемая дол­говременная относительная нестабильность частоты должна быть не ниже 10^-6... 10^-8, что можно обеспечить, применяя кварцевые ре­зонаторы. Добротность кварцевых резонаторов во много раз превы­шает добротность резонаторов на LC-контурах.

На рис.10. приведена одна из разновидностей генератора с кварцевым резонатором между коллектором и базой транзистора, выполненная по схеме с заземленным эмиттером (емкостная трех-точка).

Рис. 8. Примеры крепления пластины кварцевого резонатора с помощью выводов

Рис. 9. Разновидности корпу­сов кварцевых резонаторов

Рис. 10. Пример генератора с кварцевой стабилизацией частоты

Появление программируемых кварцевых генераторов позволило вместо производства изделий с различными рабочими часто­тами, напряжениями питания и диапазонами рабочих температур использовать всего несколько стандартных функционально закон­ченных генераторов, а многочисленные их вариации по основным электрическим параметрам обеспечивать уже программным путем на этапе поставки продукции или даже непосредственно у заказчика. В состав микросхем программируемых кварцевых генераторов входит собственно кварцевый генератор опорной частоты (например, 25 МГц), делитель частоты с коэффициентом деления, фазовый де­тектор, генератор, управляемый напряжением (ГУН), делитель час­тоты, однократно программируемое ЭППЗУ и управляемые выход­ные каскады. Внешний вид таких генераторов изображен на рис.11.

Рис. 11. Программируемые генера­торы с кварцевым резонатором

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ФИЛЬТРЫ

Фильтры предназначены для селекции электрических сигна­лов по частотному признаку за счет специфического свойства - раз­личия уровня затухания для сигналов отличающихся частот. В составе РЭС фильтры применяются, в основном, для избиратель­ного пропускания полезного и ослабления мешающих сигналов (по­лосовые фильтры), для разделения сигналов по частоте и др. Фильтры могут быть изготовлены на LC -контурах, а также с приме­нением механических и пьезоэлектрических резонаторов. Возможны варианты с комбинированным использованием механических и пье­зоэлектрических резонаторов.

Пьезоэлектрические фильтры могут быть изготовлены на базе кварцевых и пьезокерамических резонаторов. В этом классе лучшими характеристиками обладают кварцевые фильтры, состоящие из нескольких резонаторов, но для получения высоких результатов они требуют тщательной подгонки по частоте каждого резонатора. Го­раздо дешевле пьезокерамические фильтры, имеющие к тому же существенно меньшие габариты.

Полосовые фильтры могут быть узкополосными (отношение ширины полосы к рабочей частоте 0,2-5%) и широкополосными.

К основным характеристикам фильтров относятся:

• избирательность (или затухание в полосе заграждения для мешающих сигналов);

• коэффициент прямоугольности (отношение полосы пропус­кания по уровню 0,7 минимального вносимого затухания на рабочей частоте к полосе пропускания на уровне, например, -40 дБ);

• неравномерность затухания в полосе пропускания (напри­мер, не более 6 дБ).

Дисковый резонатор, на одной стороне которого расположены разделенные электроды (центральный и кольцевой на рис.12), а на другой - общий электрод, представляет собой систему из двух пьезокерамических резонаторов (цилиндрического и кольцевого) с сильной объемной механической связью, позволяющей получить определенную полосу пропускания или режекции. Входной и выход­ной импедансы фильтра зависят от площади электродов, что позво­ляет в условиях производства управлять ими для достижения согла­сования фильтра с внешними цепями. Такое устройство характерно как для полосовых (например, типов ФП1П6; ФП1П8), так и для режекторных (например, типа ФП1Р8) пьезокерамических фильтров.

Рис. 12. Дисковый резонатор с разделен­ными электродами

Рис.13. Кварцевые (а) и пьезокерамические (б) фильтры

Поскольку пьезокерамические резонаторы, входящие в состав пьезокерамических фильтров, обладают по сравнению с кварцевы­ми, невысокой добротностью, то для изготовления полосового фильтра необходимо применение нескольких резонаторов, соеди­няемых, как правило, по лестничной схеме.

Рабочая частота фильтров типа ФП1П составляет 10,7; 6,5 и 5,5МГц при полосе пропускания 0,15...0,6 МГц (по уровню 20 дБ) с входным сопротивлением около 300 Ом. Конструкция фильтра (рис. 13.) должна предусматривать защиту от электрических и магнит­ных полей и воздействия влажной среды. Характеристики фильтров чувствительны к механическим воздействиям (ударам и вибрации).

ПРИБОРЫ ПАВ

Приборы, выполнение функций которых основано на поверх­ностных акустических волнах (ПАВ), имеют существенные достоин­ства, обусловленные малой массой и габаритами, отсутствием энер­гопотребления, линейностью, температурной стабильностью, техно­логичностью, устойчивостью к механическим воздействиям и др.

Поверхностные акустические волны распространяются вдоль поверхности твердого тела, проникая на глубину 2-3 длины волны.

Полосовые фильтры на поверхностных акустических волнах изготавливают на среднюю частоту от 30 МГц до 3 ГГц. На низких частотах масса и габаритные размеры фильтров ПАВ возрастают и более выгодными становятся пьезокерамические фильтры. Ограни­чение частотой 3 ГГц обусловлено технологическими причинами (разрешающей способностью фотолитографии).

Простейший фильтр ПАВ состоит из пьезоэлектрической подложки, на поверхности кото­рой расположены два преобра­зователя со встречными решет­ками (гребенками) с расстоянием между электродами в половину длины волны (рис. 14). Один из преобразователей возмущает поверхностную волну, а другой ее принимает.

Рис. 14. Простейший фильтр ПАВ с двумя преобразователями

Короткий входной (рис. 15) импульс прямого сигнала возбуж­дает локальный импульсный отклик обоих преобразователей и на вы­ходе возникает специфическая импульсная реакция Поскольку фильт­ры ПАВ обычно имеют акустическую задержку распространения сиг­нала 0,1...50 мкс, то входной сигнал (на рисунке показан как прямой сигнал), появляющийся на выходе за счет паразитных связей «вход-выход», опережает основной отклик (основной сигнал) на время 7.

Благодаря внутренним отражениям в импульсной характери­стике образуется третий участок (сигнал «тройное эхо»), который вызывает интерференцию с основным сигналом в полосе пропуска­ния. Обычно уровень отражений составляет -50...60 дБ по отноше­нию к основному сигналу.

Рис. 15. Импульсная характери­стика фильтра ПАВ

К достоинствами фильтров на ПАВ относится высокая селек­тивность (коэффициент прямоугольности до 1,15 и менее), возмож­ность изготовления методами интегральной технологии, совмести­мость с интегральными модулями. При массовом производстве обеспечивается хорошая стабильность и воспроизводимость харак­теристик и относительно низкая себестоимость, высокая надеж­ность. Обычно время распространения волны в таких фильтрах со­ставляет от нескольких сотен наносекунд до нескольких десятков микросекунд.

Фильтрам на ПАВ свойственны и некоторые недостатки:

• наличие нежелательных всплесков АЧХ на частотах, кратных основной;

• снижение коэффициента подавления по мере повышения основной частоты (этот недостаток можно устранить подключением внешней индуктивности);

• заметные потери в полосе пропускания (до 25...30 дБ);

• чувствительность к статическому электричеству (чем выше основная частота фильтра, тем значительнее чувствительность);

• наличие паразитного просачивания прямого сигнала и сигна­ла «тройного эха».

Проникновение прямого сигнала образуется за счет емкостной связи между входной и выходной гребенками миниатюрного фильт­ра, а также из-за наличия связи между внешними выводами фильт­ра. Уровни этих сигналов ограничивают, например, динамический диапазон усилителя телевизионного сигнала. Фильтр считается ка­чественным, если динамический диапазон составляет не менее 40...45 дБ. Амплитуда прямого сигнала и уровень трехэхового сиг­нала зависят только от конструкции фильтра и, в некоторой степени, связаны с потерями в полосе пропускания.

Для входных цепей приемников применяют специальные по­лосовые фильтры ПАВ с малыми (около 1 дБ) потерями и полосой 0,2...25% основной частоты (рис. 16).

Рис. 16. Амплитудно-частотная характеристика согласованного фильтра

На основе поверхностных акустических волн разработаны и изготавливаются высокочастотные резонаторы ПАВ с высокими тех­ническими характеристиками (рис. 17), предназначенные для ста­билизации частоты, например, автогенераторов. У таких резонато­ров, помещенных в герметизированный металлостеклянный корпус, тонкопленочную резонансную структуру с отражательными решет­ками располагают на поверхности пьезокварцевой пластины. На рис. 18 изображен вариант включения резонатора ПАВ в схему авто­генератора.

Рис. 17. Резонаторы ПАВ

Рис. 18. Автогенератор с резонатором ПАВ

Датчик поверхностных акустических волн на пьезоэлектриче­ском кристалле позволяет методами хроматографии выделять из смеси веществ отдельные составляющие, отличающиеся своими физическими и химическими свойствами. Сложный электрод на од­ном конце кристалла возбуждает поверхностные акустические волны с частотой около 500 МГц, регистрируемые вторым электродом. Ес­ли на поверхности кристалла осаждены какие либо вещества (даже в ничтожном количестве), то они исказят поверхностную волну и это фиксирует второй электрод. Обработка результатов на компьютере позволяет с высокой точностью определить, например, загрязняю­щее вещество.

Поверхностные акустические волны позволяют изготовить тонкую прозрачную панель, позволяющую превратить обычный дис­плей компьютера в сенсорный. На стеклянной панели с пьезоэлек­трическими преобразователями, находящимися по углам, вдоль ее краев расположены отражающие и принимающие датчики. Преобра­зователь панели превращает принимаемый от специального кон­троллера высокочастотный сигнал в акустическую поверхностную волну, распространяющуюся по поверхности и отражающуюся от краевых отражателей. Принятый отраженный сигнал поступает для обработки на контроллер. Прикосновение к панели вызывает изменение характера распространения, что фиксируется принимающими датчиками. Управляющая программ сравнивает принятый от датчи­ков изменившийся сигнал со значениями в узлах цифровой матрицы, хранящейся в памяти компьютера.

УЛЬТРАЗВУКОВЫЕ ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ

Линией задержки называют компонент РЭС, предназначенный для задержки во времени распространения определенного электри­ческого сигнала без изменения его формы. Реальная линия задерж­ки, представляющая собой линейный четырехполюсник, все-таки вносит определенные искажения в форму задерживаемого сигнала за счет ограниченной полосы пропускания. Поскольку широкую по­лосу пропускания получить сложно, то применяют дополнительные цепи коррекции.

По физическому принципу линии задержки бывают электриче­скими и ультразвуковыми, а по интервалу времени задержки под­разделяются на диапазоны: наносекундный (10^-10...10^-7 с); микросе­кундный (10^-7...10^-4 с); миллисекундный (10^-4 ...10^-2 с). Входное и выходное сопротивления составляют 300...600 Ом.

Для значительных интервалов времени задержки применяют, главным образом, ультразвуковые линии, содержащие электроаку­стические или магнитострикционные преобразователи, расположен­ные в звукопроводящей среде. Объемная ультразвуковая волна (частотой 10...40 МГц) возбуждается одним из преобразователей и распространяется в звукопроводе до второго преобразователя.

Снижению массы и габари­тов линии задержки (рис. 19) Способствует применение не объ­емных, а поверхностных волн. Это позволяет снизить толщину звуко-провода и использовать его в виде пластины, стержня (стеклянного или металлического) или металли­ческой ленты.

Рис. 19. Конструктивные разно­видности линий задержки