- •А.Г. Акманов, б.Г. Шакиров оСновы квантовых и оптоэлектронных приборов
- •Введение
- •1 Физические основы лазеров
- •1.1Оптическое излучение
- •1.2Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- •1.3Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- •Спонтанные переходы
- •Вынужденные переходы
- •Спонтанное излучение
- •1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
- •Доплеровское уширение
- •1.5Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- •1.6Квантовое усиление в среде
- •1.7Квантовый генератор (лазер)
- •1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
- •1.9Метод оптической накачки
- •1.10Кинетические уравнения для населенностей уровней
- •1.11 Оптические резонаторы
- •1.11.1 Добротность открытого резонатора
- •1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- •1.11.3 Дифракционная теория
- •1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- •Типы оптических резонаторов
- •1.11.5 Селекция типов колебаний
- •2Твердотельные лазеры
- •2.1Рубиновый лазер
- •2.2Неодимовые лазеры
- •2.3Устройство твердотельного лазера
- •2.4Система оптической накачки
- •2.5Электрическая схема питания лазера
- •2.6Режимы работы твердотельных лазеров
- •Режим свободной генерации
- •Режим модулированной добротности
- •Режим синхронизации мод
- •3Газовые лазеры
- •3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- •3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- •3.3Гелий – неоновый лазер
- •3.4Аргоновый лазер
- •3.5Со2-лазер
- •4Полупроводниковые лазеры
- •4.1Физические основы работы полупроводникового лазера
- •4.1.1Энергетические состояния в полупроводниках
- •4.1.2 Излучательные и безызлучательные переходы.
- •4.1.2Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- •4.2Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- •4.3Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- •4.4Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- •4.5Применения полупроводниковых лазеров
- •5Оптические модуляторы
- •5.1Электрооптические модуляторы
- •Линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах
- •Фазовая и амплитудная модуляция света в одноосных кристаллах. Модуляционная характеристика электрооптического модулятора
- •Режимы работы и конструктивные особенности электрооптических модуляторов
- •5.2Акустооптические модуляторы
- •5.3Магнитооптические модуляторы
- •6Волоконно-оптические усилители
- •6.1Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- •6.2Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- •6.3Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- •7Основы нелинейной оптики
- •7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- •7.2Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- •7.3Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- •7.4Самофокусировка света
- •7.5Двухфотонное поглощение
- •7.6Вынужденное комбинационное рассеивание света
- •8Элементы оптоэлектронных приборов
- •8.1Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- •8.2Внутренний и внешний квантовые выходы
- •8.3Потери излучения в светоизлучающем диоде
- •8.4Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- •8.5Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- •8.6Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- •8.7Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- •8.8Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- •8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- •8.10Скорость оптической генерации носителей заряда
- •8.11Процессы рекомбинации носителей заряда
- •8.12Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- •8.13Процессы релаксации
- •8.14Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- •8.15Характеристики фотоприемников
- •8.16Фотодиоды
- •Лавинные фотодиоды
- •Параметры лавинного фотодиода лфд-2-а
- •8.17Фототранзисторы
- •8.18Фототиристоры
- •8.19Фоторезисторы
- •Список литературы
- •Содержание
Спонтанное излучение
Интегрируя выражение (1.15) по времени с начальным условием N2(t=0)=N20 получим: N2(t)=N20exp(-A21t). (1.20)
Мощность спонтанного излучения находится перемножением энергии фотона hν21 на количество спонтанных переходов в единицу времени:
Pсп=hν21 A21 N2 (t )V=Pсп0exp(-A 21t) (1.21)
где Pсп0=h21 A21 N20 V, V – объем активной среды.
Введем понятие о среднем времени жизни атомов в возбужденном состоянии относительно спонтанных переходов. В рассматриваемой двухуровневой системе атомы, которые покидают возбужденное состояние 2 за время от t до t+t, очевидно, находились в этом состоянии на протяжении времени t. Число таких атомов равно N2A21t. Тогда их средняя продолжительность жизни в возбужденном состоянии определяется соотношением:
(1.22)
Представим формулу (1.22) в виде:
(1.21 а)
Величину сп можно найти экспериментально, поскольку она фигурирует как параметр в законе затухания спонтанной люминесценции, определяемой формулой (1.21 а).
1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
Вероятность спонтанного перехода в единицу времени определяется константой A21, т.е. =A21 и в результате такого перехода испускается монохроматическое излучение с частотой (рис.1.3а). На самом деле происходит уширение линий излучения вследствие различных физических причин, приводящих к конечной ширине энергетического уровня. С учетом этого вероятность перехода в единицу времени и в расчете на единичный интервал частот с испусканием фотона в частотном интервале от ν до ν+dν определяется формулой:
(dw21cn/dt)νdν=A21g(ν) dν (1.23)
где g(ν)-так называемая функция формы линии излучения, определяющая частотное распределение излучения (рис.1.3б).
Таким образом, возникают две задачи:
исходя из определенной физической модели, найти функцию g(ν);
найти ширину линии излучения.
При этом под шириной линии излучения понимают интервал частот ∆ν, в пределах которого интенсивность излучения (или нормированная на максимальное значение относительная интенсивность) уменьшается до половинного значения, т.е. ∆ν=ν″-ν΄ (рис.1.3, б).
Рис.1.3 (а) Линия монохроматического излучения,
(б) Спектр излучения с учетом уширения квантовых уровней.
“Естественное” уширение линии излучения
Фундаментальной причиной, приводящей к уширению линии излучения, является квантовый характер микрообъектов, подчиняющихся соотношению неопределенности Гейзенберга.
Действительно, это соотношение, записываемое в виде ∆p∆xħ, где ∆x и ∆p-неопределенности положения частицы и ее импульса, может быть представлено в виде ∆E ∆tħ, где ∆E –мера неопределенности энергии частицы, ∆t –время необходимое для проведения такого измерения.
Поскольку измерение энергии возбужденного состояния атома должно производится за время ∆t≤τсп, то из соотношения неопределенности получим: ∆E≤ħ/ τсп (1.24)
где τсп - среднее время жизни атома в данном состоянии. Так как τсп всегда конечно, то отсюда следует, что энергетические уровни имеют конечную ширину. (рис.1.4)
|
Рис.1.4 Энергетические уровни атомной системы. |
Из рис. 1.4 имеем: ∆ν=ν”21-ν’21= =∆E/h (1.25)
Таким образом, из (1.25) и (1.24) получаем для оценки ∆ν формулу:
E/h (1.26)
Найдем вид функции g(), определяющей форму линии излучения.
В качестве модели излучающего атома в классической физике принимается осциллирующий диполь с радиационным затуханием, уравнение которого имеет вид: , (1.27)
где х – координата, - коэффициент затухания, 0 – собственная частота системы. Решение (1.27) имеет вид: x=Cexp(-t/2)exp(j1t), (1.28)
где ( при малом ).
Спектр G(), соответствующий колебанию x(t), находится с помощью преобразования Фурье:
. (1.29)
Отсюда спектральное распределение для интенсивности колебания
(1.30)
Обозначив 0=20, =2, =2л и найдя постоянную С из условия нормировки , получаем окончательно:
g()= (1.31)
Формула (1.31) соответствует так называемой лоренцевой форме линии излучения, что в формуле обозначено индексом «л». Из условия находим значения частот ν” и ν’. Тогда ширина линии излучения определяется соотношением:
(1.32)