- •А.Г. Акманов, б.Г. Шакиров оСновы квантовых и оптоэлектронных приборов
- •Введение
- •1 Физические основы лазеров
- •1.1Оптическое излучение
- •1.2Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- •1.3Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- •Спонтанные переходы
- •Вынужденные переходы
- •Спонтанное излучение
- •1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
- •Доплеровское уширение
- •1.5Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- •1.6Квантовое усиление в среде
- •1.7Квантовый генератор (лазер)
- •1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
- •1.9Метод оптической накачки
- •1.10Кинетические уравнения для населенностей уровней
- •1.11 Оптические резонаторы
- •1.11.1 Добротность открытого резонатора
- •1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- •1.11.3 Дифракционная теория
- •1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- •Типы оптических резонаторов
- •1.11.5 Селекция типов колебаний
- •2Твердотельные лазеры
- •2.1Рубиновый лазер
- •2.2Неодимовые лазеры
- •2.3Устройство твердотельного лазера
- •2.4Система оптической накачки
- •2.5Электрическая схема питания лазера
- •2.6Режимы работы твердотельных лазеров
- •Режим свободной генерации
- •Режим модулированной добротности
- •Режим синхронизации мод
- •3Газовые лазеры
- •3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- •3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- •3.3Гелий – неоновый лазер
- •3.4Аргоновый лазер
- •3.5Со2-лазер
- •4Полупроводниковые лазеры
- •4.1Физические основы работы полупроводникового лазера
- •4.1.1Энергетические состояния в полупроводниках
- •4.1.2 Излучательные и безызлучательные переходы.
- •4.1.2Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- •4.2Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- •4.3Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- •4.4Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- •4.5Применения полупроводниковых лазеров
- •5Оптические модуляторы
- •5.1Электрооптические модуляторы
- •Линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах
- •Фазовая и амплитудная модуляция света в одноосных кристаллах. Модуляционная характеристика электрооптического модулятора
- •Режимы работы и конструктивные особенности электрооптических модуляторов
- •5.2Акустооптические модуляторы
- •5.3Магнитооптические модуляторы
- •6Волоконно-оптические усилители
- •6.1Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- •6.2Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- •6.3Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- •7Основы нелинейной оптики
- •7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- •7.2Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- •7.3Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- •7.4Самофокусировка света
- •7.5Двухфотонное поглощение
- •7.6Вынужденное комбинационное рассеивание света
- •8Элементы оптоэлектронных приборов
- •8.1Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- •8.2Внутренний и внешний квантовые выходы
- •8.3Потери излучения в светоизлучающем диоде
- •8.4Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- •8.5Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- •8.6Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- •8.7Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- •8.8Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- •8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- •8.10Скорость оптической генерации носителей заряда
- •8.11Процессы рекомбинации носителей заряда
- •8.12Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- •8.13Процессы релаксации
- •8.14Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- •8.15Характеристики фотоприемников
- •8.16Фотодиоды
- •Лавинные фотодиоды
- •Параметры лавинного фотодиода лфд-2-а
- •8.17Фототранзисторы
- •8.18Фототиристоры
- •8.19Фоторезисторы
- •Список литературы
- •Содержание
2.2Неодимовые лазеры
Неодимовые лазеры являются самыми распространенными из твердотельных лазеров. В них активной средой является кристалл иттрий – алюминиевого граната (Y3Al5O12), в котором часть ионов Y3+ заменена ионами Nd3+ (ИАГ: Nd3+). Также используется фосфатное или силикатное стекло, легированное ионами Nd3+ (стекло: Nd3+). Типичные уровни легирования для кристалла ИАГ: Nd3+ составляют ~ 1 ат. %, а уровни легирования стекла с Nd3+ ~ 3 вес.% Nd2 O3.
Обобщенная схема энергетических уровней Nd3+, характерная для гранатовых и стеклянных матриц, представлена на рис.2.2.
|
Рис.2.2.Обобщеная схема уровней энергии иона Nd3+ в матрице.
|
Накачка переводит ионы Nd3+ из основного состояния 4I9/2 в несколько относительно узких полос, играющих роль верхнего уровня. Эти полосы образованы рядом перекрывающихся возбужденных состояний, их положения и ширины отличаются от матрицы к матрице. Из полос накачки осуществляется быстрая передача энергии возбуждения на метастабильный уровень 4F3/2. Время жизни этого уровня составляет 0,2 мс в ИАГ и 0,7 мс в стекле. Наибольшей вероятностью обладает лазерный переход 4F3/24I11/2 (=1,06 мкм). Возможно получить генерацию на переходе 4F3/24I13/2 с =1,32 мкм. Энергетическая щель между состояниями 4I11/2 и 4I9/2, равная примерно 2∙103 см-1, обеспечивает четырехуровневый характер генерации неодимового лазера.
2.3Устройство твердотельного лазера
На рис.2.3 показано устройство и составные части типичного твердотельного лазера. Лазер состоит из трех основных частей: излучателя (ИЗ), блока электропитания (БП) с системой управления (СУ) и блока охлаждения (БО).
|
Рис.2.3. Устройство и составные части т/т лазера: ИЗ-излучатель, БО-блок охлаждения, БП-блок питания с системой управления (СУ)
|
Излучатель включает в себя активный элемент (I), систему накачки, состоящую из лампы накачки (2) и осветителя (3). Все элементы собраны в металлическом кожухе (4), через который прокачивается жидкость, (дистиллированная вода из БО). В излучатель входят также зеркала З1 и З2, образующие открытый резонатор лазера. Зеркала могут устанавливаться на отдельных юстируемых держателях, либо в единой конструкции излучателя. Выход БП подсоединяется к электродам лампы накачки для подачи высокого напряжения от источника накачки.
2.4Система оптической накачки
Для возбуждения твердотельного лазеров используется метод оптической накачки, а для его реализации необходимы достаточно интенсивные источники оптического излучения. Важно, чтобы основная часть излучаемой этими источниками энергии попадала в полосы поглощения активного элемента и тем самым эффективно использовалась для создания инверсной населенности в системе рабочих уровней. Для определения подходящих для этой цели источников накачки рассмотрим излучение абсолютно черного тела. Как известно, максимум излучения его лежит на длине волны max, определяемой законом смещения Вина: max=(В/Т) 10-4, где В = 3·107, Т - абсолютная температура, - в микрометрах.
|
Рис.2.4. Спектр излучения ксеноновой лампы накачки (сплошная линия); спектр поглощения рубина (пунктирные линии).
|
Для примера рассмотрим рубин. Его полосы поглощения лежат в области 0,4 мкм и 0,56 мкм.
Из предыдущей формулы следует, что для эффективной накачки в этих полосах необходим источник с температурой 6500 К и 10000 К, соответственно. Эффективные температуры 5000-10000 К реализуются в излучении газоразрядных ламп. Характеристики таких ламп зависят от состава, давления газа, режима питания и т.д.. В импульсных твердотельных лазерах используются лампы с ксеноновым, а в непрерывных - с криптоновым наполнением. К.П.Д. лампы определяется как отношение излучаемой лампой световой энергии к электрической энергии, запасенной в питающей лампу конденсаторе, и составляет величину ~ 50%. Для повышения эффективности накачки лампу и активный элемент помещают в зеркальный или диффузный осветитель. Осветитель служит для концентрации энергии лампы накачки на поверхности активного элемента. На рис.2.5 показаны конструкции некоторых осветителей.
Рис.2.5. Схемы конструкций осветителей: а) цилиндрической формы б) эллиптической формы. |
|
Поверхности зеркал бывают металлические (основным используемым материалом является алюминий) и диэлектрические (рис.2.6), которые наносятся на подложку. В диэлектрических зеркалах коэффициент
Рис. 2.6 Зеркало на основе многослойного диэлектрического покрытия.
показателя преломления диэлектрика n должно быть больше показателя преломления подложки n0 (n> n0). Подложка в основном изготовляется из стекла, кварца. При отражении от диэлектрического покрытия луч А претерпевает изменение фазы на ( = ). Изменение фазы луча В равно произведению пути, пройденному им в диэлектрическом покрытии, на волновое число: . Разность фаз лучей А и В равна , т.е. отраженные лучи находятся в фазе. Поэтому при отражении светового излучения от поверхности таких зеркал происходит его усиление.
Рис.2.7.Зависимость коэффициента
отражения зеркала от количества диэлектрических слоев.
Поверхности высоко отражающих лазерных зеркал обычно изготавливают методом нанесения многослойного диэлектрического покрытия на оптическую поверхность материала подложки. Количество таких слоев может достигать до 15. При этом максимальный коэффициент отражения зеркала может достичь до 0,98.