- •Определение частот колебаний в различных режимах работы генератора Ганна.
- •Варианты диодного включения биполярных транзисторов.
- •Энергетическая диаграмма гелий-неонового лазера. Свойства его оптического излучения.
- •Структура и распределение примесей в биполярном транзисторе.
- •Краткая характеристика отдельных типов лазеров (твердотельного, полупроводникового и молекулярного).
- •Распределение токов в биполярном транзисторе.
- •Т раектории электронов в короткой магнитной линзе.
- •Источники некогерентного оптического излучения и их применение в оптоэлектронике.
- •Схемы включения биполярных транзисторов.
- •Пояснить особенности модели Эберса-Молла интегрального биполярного транзистора.
- •Виды фотоэффекта, реализуемые в фотоприемниках.
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Методы улучшения параметров мдп транзисторов в имс.
- •Условие передачи энергии от активной среды электромагнитному полю. Понятие отрицательной температуры квантового перехода
- •В какой пропорции изменяются параметры и режимы работы мдп транзисторов в имс при их масштабировании.
- •Простейшая структура диэлектрического световода. Примеры использования волоконных световодов.
- •Основные физические параметры биполярных транзисторов.
- •Эквивалентная схема интегральной структуры на мдп транзисторах(2).
- •Параметры транзистора как линейного четырехполюсника.
- •Отличия дискретных биполярных транзисторов от интегральных по структуре и характеристикам.
- •Особенности конструкция оптического резонатора квантового генератора, добротность и направленность лазерного излучения.
- •Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой (общим эмиттером).
- •Методы создания инверсии населенностей энергетических уровней в квантовых активных средах.
- •Основные виды оптронов и области их применения.
- •Структура интегрального биполярного транзистора с изолирующим p-n - переходом.
- •Механизмы уширения спектральных линий в активных средах.
- •Основные типы оптоэлектронных индикаторов.
- •Эквивалентная схема интегрального биполярного транзистора.
- •Основные эффекты короткого канала в интегральных мдп транзисторах.
- •Особенности конструкции резонатора оптического квантового генератора (условие самовозбуждения и направленность лазерного излучения).
Параметры транзистора как линейного четырехполюсника.
Транзистор можно рассматривать как четырехполюсник, связь между токами и напряжениями в котором представляется двумя, в общем случае нелинейными, функциями. В качестве независимых переменных в них можно выбрать любые две из четырех величин I1, I2, U1, U2.
Д ля большого класса электронных схем, называемых линейными, токи и напряжения складываются из сравнительно больших постоянных составляющих (/= ,U=) и малых переменных составляющих, которые можно рассматривать как малые приращения (I, U). Переменные составляющие представляют в этих схемах основной интерес, типичным примером таких схем являются усилители. В пределах малых значений напряжений и токов статические характеристики транзистора приблизительно являются линейными. Поэтому функциональные зависимости переменных составляющих также будут линейными. Для линейных схем характерна работа транзистора в АР.
Система h-параметров. Выберем в качестве независимых переменных входной ток I1 и выходное напряжение U2, тогда функциональные зависимости имеют вид
(5.3)
(5.4)
Для малых приращений токов и напряжений получим:
(5.5)
(5.6)
Пусть приращения I1, U2 представляют собой малые гармонические колебания с комплексными амплитудами I1, U2; приращения зависимых переменных являются также гармоническими колебаниями с комплексными амплитудами U1, I2. Частные производные перед независимыми переменными в этом случае обозначают символами h11, h12, h21, h22, и уравнения четырехполюсника записывают в виде
(5.7)
(5.8)
Отсюда вытекает смысл h-параметров, являющихся комплексными величинами:
(5.9)
при U2=0 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока (т.е. при U2= U2== const ,);
(5.10)
при I1 = 0 - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей (т.е. при I1 = I1== const);
(5.11)
при U2=0 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании выхода по переменному току (т.е. U2= const);
(5.12)
при I1 = 0 – выходная проводимость при разомкнутом входе для переменной составляющей (т.е. при I1 = const);
Коэффициент инъекций: учитывает соотношение носителей разного знака через эмиттерный переход.
(5.13)
Коэффициент переноса носителей через базу, учитывает рекомбинацию неосновных носителей в базе
(5.14)
Произведение характеризующее передачу тока эмиттера в коллектор.
(5.15)
(5.16)
- коэффициент передачи тока эмиттера, используется в схемах с общей базой (ОБ), в схеме с общим эмиттером (ОЭ) – базовым входом существенен коэффициент передачи тока базы.
(5.17)
(IЭ), (UКЭ), (T) – эти зависимости приобретают более резкий характер, чем для параметра .