2. Т раектории электронов в короткой магнитной линзе.

Короткая магнитная линза образуется аксиально-симметричным магнитным полем, которое создается короткой катушкой, обтекаемой током.

Есть продольная, Н_Z, и радиальная Н_r составляющие магнитного поля.

Для параксиальных электронов

Под действием Н_r и аксиальной скорости электронов V_z электронов испытывает действие силы перпендикулярной плоскости чертежа, что приводит к появлению тангенциальной составляющей скорости перпендикулярной H_z. Сила, перпендикулярная H_z и тангенциальной составляющей вызывает отклонение электрона к оси и его фокусировку.

3. Источники некогерентного оптического излучения и их применение в оптоэлектронике.

В качестве источников некогерентного излучения могут использоваться прожекторы и мощные лампы-вспышки. Применимо в охранной деятельности.

Светодиоды. Применяются в оптоволоконных каналах передачи данных.

До недавнего времени в спектроскопии комбинационного рассеяния применялись интенсивные источники некогерентного излучения (например, ртутные лампы)

Examination card 4

1. Схемы включения биполярных транзисторов.

ОБ (p-n-p) Обладает усилением по

мощности и напряжению

∆U_КБ › ∆U_ЭБ , нет усиления тока: ∆I_К ≈ ∆I_Э

Малое входное сопротивление равное

сопротивлению эмиттерного перехода

при прямом включении

ОЭ (p-n-p) Широко применяется. Усиление

тока и напряжения, т.к. I_Б=I_Э-I_К ‹‹ I_К (I_К ≈ I_Б)

∆U_КЭ ›› ∆U_БЭ . Входное сопротивление

много больше, чем в схеме с ОБ, т.к.

(∆U_БЭ)/(I_Б)=(∆U_БЭ*∆I_Э)/( ∆I_Э*∆I_Б)

ОК (p-n-p) Усиление тока т.к. I_Б‹‹I_Э , ∆I_Э››∆I_Б

Нет усиления напряжения. Большое

входное сопротивление

2. Пояснить особенности модели Эберса-Молла интегрального биполярного транзистора.

‑ прямой коэффициент усиления по току в схеме с общей базой, ‑ инверсный коэффициент усиления по току. Коллекторный, базовый и эмиттерный токи авражаются следующими соотношениями:

(6.3)

(6.4)

(6.5)

Для интегрального биполярного транзистора величина

(6.6)

учитывает ток инжекции (или экстракции) через эмиттерный переход.

Величина  , (6.7) учитывает ток инжекции (или экстракции) через коллекторный переход.

Величина  , (6.8) учитывает ток инжекции (ил экстракции) через изолирующий переход.

(6.9) ‑ учитывает влияния коллекторного тока на ток эмиттера.

‑ учитывает влияния тока инжекции (и экстракции) на .

‑ учитывает влияния на .

‑ учитывает влияния тока в коллекторе на ток в подложке.

Статические параметры модели:

• нормальные и инверсные коэффициенты передачи основного и паразитного транзистора: ;

• тепловые обратные токи переходов: ;

• ‑ всего 10 параметров.

Статические параметры не являются независимыми.

Рассмотрим динамические параметры интегрального биполярного транзистора.

Параметры, учитывающие накопление и рассеивание основных носителей:

• Барьерная ёмкость перехода не основных носителей

• Диффузионная ёмкость за пределами перехода.

C_ЭБбар (U_ЭБ) – эмиттер перехода

C_КБбар (U_КБ) – коллектор перехода

C_КПбар (U_КП) – изолирующие

(6.10)

, (6.11) m1 проявляется при прямом токе, когда I₁, I₂, I₃ – токи инжекции.

Динамические параметры:

C_бар0, n, , C_диф0, m, I₀ – всего 18 параметров.