- •Определение частот колебаний в различных режимах работы генератора Ганна.
- •Варианты диодного включения биполярных транзисторов.
- •Энергетическая диаграмма гелий-неонового лазера. Свойства его оптического излучения.
- •Структура и распределение примесей в биполярном транзисторе.
- •Краткая характеристика отдельных типов лазеров (твердотельного, полупроводникового и молекулярного).
- •Распределение токов в биполярном транзисторе.
- •Т раектории электронов в короткой магнитной линзе.
- •Источники некогерентного оптического излучения и их применение в оптоэлектронике.
- •Схемы включения биполярных транзисторов.
- •Пояснить особенности модели Эберса-Молла интегрального биполярного транзистора.
- •Виды фотоэффекта, реализуемые в фотоприемниках.
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Методы улучшения параметров мдп транзисторов в имс.
- •Условие передачи энергии от активной среды электромагнитному полю. Понятие отрицательной температуры квантового перехода
- •В какой пропорции изменяются параметры и режимы работы мдп транзисторов в имс при их масштабировании.
- •Простейшая структура диэлектрического световода. Примеры использования волоконных световодов.
- •Основные физические параметры биполярных транзисторов.
- •Эквивалентная схема интегральной структуры на мдп транзисторах(2).
- •Параметры транзистора как линейного четырехполюсника.
- •Отличия дискретных биполярных транзисторов от интегральных по структуре и характеристикам.
- •Особенности конструкция оптического резонатора квантового генератора, добротность и направленность лазерного излучения.
- •Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой (общим эмиттером).
- •Методы создания инверсии населенностей энергетических уровней в квантовых активных средах.
- •Основные виды оптронов и области их применения.
- •Структура интегрального биполярного транзистора с изолирующим p-n - переходом.
- •Механизмы уширения спектральных линий в активных средах.
- •Основные типы оптоэлектронных индикаторов.
- •Эквивалентная схема интегрального биполярного транзистора.
- •Основные эффекты короткого канала в интегральных мдп транзисторах.
- •Особенности конструкции резонатора оптического квантового генератора (условие самовозбуждения и направленность лазерного излучения).
Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой (общим эмиттером).
При RE>>h11
Коэф. усиления
(5.26)
Эквивалентное сопротивление нагрузки
Методы создания инверсии населенностей энергетических уровней в квантовых активных средах.
Для получения избытка квантовых частиц, находящихся в верхнем энергетическом состоянии, используется ряд методов:
Метод сортировки - это пространственное разделение атомов или молекул газообразного рабочего вещества, находящегося в различных энергетических состояниях.
Метод вспомогательного излучения («накачки») - под действием электромагнитного излучения.
Метод электрического разряда - основан на использовании соударений в веществе электронов с атомами и молекулами газа.
Метод инжекции носителей заряда применяют в квантовых приборах с электронно-дырочными переходами на основе вырожденных полупроводников.
Метод фотодиссоциации - это разложение молекул активной среды под действием света.
Метод химических реакций
Метод электронного возбуждения
В среде с инверсной заселенностью можно получить усиление электромагнитного сигнала. Поясним процессы усиления колебаний в среде с инверсной населенностью.
Активная среда, в которой создана инверсия населенностей между какими-либо двумя энергетическими уровнями, способна усиливать на частоте квантового перехода распространяющееся в ней электромагнитное излучение, т.е. выполнять функции квантового усилителя. Квантовый усилитель принципиально должен два основных элемента – активную среду и источник накачки, обеспечивающий ее возбуждение.
Основные виды оптронов и области их применения.
Оптрон — электронный компонент или конструктив, содержащий комбинацию светоизлучающих (обычно — светодиодов) и светочувствительных (фотодиодов или фототранзисторов) элементов. Принцип работы оптрона заключается в преобразовании электрического сигнала в свет, его передаче по оптическому каналу и последующему преобразованию обратно в электрический сигнал.
Выделяют три основные группы приборов оптронной техники;
оптопары (элементарные оптроны), использующие блоки светоизлучатель - оптическая среда - фотоприемник;
оптоэлектронные (оптронные) микросхемы (оптопары с добавлением выходного, а иногда и входного устройства);
специальные виды оптронов - приборы, функционально и конструктивно существенно отличающиеся от элементарных оптронов и оптоэлектронных ИС
Различные оптроны (диодные, резисторные, транзисторные) находят
применение и в чисто радиотехнических схемах модуляции,
автоматической регулировки усиления и др.
Другая важнейшая область применения оптронов - оптическое,
бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями.
Examination card 10
Структура интегрального биполярного транзистора с изолирующим p-n - переходом.
*вопрос 8.2