- •Прохождение сигналов через линейные цепи.
- •Характеристики этих сигналов.
- •П рохождение линейных сигналов через простейшие rc-цепи.
- •Прохождение импульсных сигналов через простейшие rc-цепи.
- •Связь между fн и спадом плоской вершины.
- •Связь между fв и tф.
- •Полупроводники.
- •Чем обусловлен ток в полупроводнике:
- •Эквивалентная схема замещения диода.
- •Упрощенная схема замещения.
- •Условное обозначение транзисторов.
- •Входные и выходные характеристики транзистора.
- •Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора.
- •Малосигнальная т-образная схема замещения транзистора (для переменного сигнала).
- •Связь н-параметров с физическими параметрами т-образной схемы замещения.
- •Частотные свойства транзисторов.
- •Предельные эксплутационные параметры транзистора.
- •Электрические параметры:
- •Назначение элементов:
- •Расчет по постоянному току.
- •Расчет каскада по переменному току.
- •Входная цепь.
- •В ыходная цепь.
- •Расчет по переменному току.
- •Э квивалентная схема замещения
- •Эквивалентная cхема
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах.
- •Малосигнальная модель полевого транзистора.
- •Э квивалентная схема полевого транзистора для малого переменного сигнала.
- •Общий эмиттер
- •Помехоустойчивость ключа – инвертора
- •Расчет элементов связи в транзисторных ключах
- •Первый случай
- •Второй случай
- •Ключ на биполярном кремниевом транзисторе с непосредственной связью
- •Переходные процессы при открывании ключа
- •Способы повышения быстродействия Применение ускоряющего конденсатора.
- •Применение нелинейной обратной связи
- •Достоинства кспт:
- •С точки зрения схемотехники:
- •Главный недостаток кспт:
- •Передаточная характеристика:
- •Переходные процессы в моп ключе с резистивной нагрузкой.
- •Моп ключ с нелинейной нагрузкой.
- •Переходные процессы.
- •Ключевой элемент на взаимодополняющих (комплементарных) транзисторах мдп (кмдп).
- •Условия работы схемы:
- •Передаточная характеристика:
- •Переходные процессы.
- •Самая быстродействующая схема.
- •Обозначения:
- •Основные параметры логических схем:
- •Ттл схема со сложным инвертором.
- •Статический режим работы:
- •Передаточная характеристика:
- •Входная характеристика:
- •Характеристика потребления:
- •Выходные характеристики:
- •Модификация ттл элементов.
- •Ттлш (быстродействующая схема Шоттки).
- •Д остоинства:
- •Недостатки:
- •Область применения:
- •Недостатки:
- •Схемы с тремя состояниями.
- •Работа ттл на емкостной нагрузке.
- •Токовый ключ.
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •Логика “или”. (т1-1, т1-2, . . . . , т1-m)
- •Передаточная характеристика:
- •Особенности вентеля (инвертора):
- •Упрощенная схема “или-не”.
- •Реальная схема, реализующая две операции: “или-не”,”и”.
- •Условные обозначения:
- •Достоинства схем и2л:
- •Недостатки схем и2л:
- •Эквивалентная схема замещения:
- •Достоинства:
- •Классификация
- •Асинхронные rs-триггеры
- •Асинхронные rs-триггеры на элементах и-не
- •Тактируемый rs-триггер.
- •Тактируемый d-триггер
- •Псевдодвухтактовый rs-триггер (ms-триггер)
- •Универсальный jk-триггер
- •Назначение триггеров
- •Регистр заполнения
- •Счетчик
- •Реверсивный счетчик
- •Условное обозначение
- •Основные параметры
- •Основные схемы применения Инвертирующий усилитель
- •Практические замечания.
Входные и выходные характеристики транзистора.
I область – область отсечки. Для нее характерно, что и база-эмиттерный, и база-коллекторный переходы смещены в обратном направлении (Uэ>Uб, Uк>Uб).
II область – область активного режима (режима усиления). Для нее характерно, что база-эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а база-коллекторный – в обратном (Uэ<Uб, Uк<Uб).
III область – область насыщения. Оба перехода смещены в прямом направлении (Uэ<Uб, Uк<Uб)
Во второй области транзистор работает как усилитель. В первой – как замкнутый ключ, в третьей – как разомкнутый.
Схема замещения идеального транзистора.
Схема Эберса – Молла.
– коэффициент передачи эмиттерного
тока в коллектор (0.98
0.99)
i – инверсный
коэффициент – коэффициент передачи
коллекторного тока в эмиттер (0.005
0.05)
Таким образом, в идеализированной модели транзистор рассматривается, как система двух взаимодействующих pn-переходов, в которой каждый из переходов инжектирует и собирает неосновные носители. В реальном транзисторе всегда имеет место падение напряжения на области базы, эмиттера и коллектора. Это падение напряжения учитывается в сопротивлениях.
Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора.
p -n-p, ОБ
Способ линеаризации (при малых сигналах отрезок нелинейной характеристики около рабочей точки заменяем прямой) при разных рабочих точках разные углы наклона прямых, следовательно разные малые сигналы.
эк показывает какая часть выходного напряжения передается во входную цель
- коэффициент передачи обратной связи по напряжению
эк= 0.005
Э
Ik
p n p
Uk
Б
К
+
Uk D ширина базы коллекторного тока, что может привести к пробою коллектора.
Малосигнальная т-образная схема замещения транзистора (для переменного сигнала).
Скrk = const = - постоянная времени коллекторной цепи
ОБ:
пренебрегаем
rвых = rк
ОЭ rвх = rб + rэ (1+) (закарачиваем выход)
rвых (закарачиваем вход)
Малосигнальные Н – параметры
Для транзистора выбраны Н-параметры,
т.к. Uвх
и Uвых .
За независимые параметры принимаются
Iвх и
Uвых
I1 I2
U1 U2
U1 = h11 I1 + h12 U2
I2 = h21 I1 + h22 U2
1. U2 = 0 – входное сопротивления транзистора
– коэффициент передачи по току
2. I1 = 0 – коэффициент по напряжению (коэффициент обратной связи эк)
– выходная проводимость
Н-параметры зависят от схемы включения.
Связь н-параметров с физическими параметрами т-образной схемы замещения.
ОБ ОЭ
h11б = rэ+ rб (1-) h11Э = rб+ rэ (1-)
h22б = h22э =
h21б = h22э =