- •Вопрос 1
- •Вопрос 2
- •Вопрос 3.
- •Вопрос 4.
- •Вопрос 5
- •Вопрос 6
- •Вопрос 7
- •Вопрос 8
- •Вопрос 11.
- •Вопрос 15.
- •Вопрос 16
- •Вопрос 17
- •Вопрос 18
- •Вопрос 20
- •Вопрос 21
- •Вопрос 22
- •Вопрос 22. Атом водорода. Потенциалы возбуждения и ионизации. Квантовые числа. Вырожденные состояния.
- •Вторая часть билета!
- •Вопрос 23. Ширина спектральных линий. Мультиплетность спектров. Спин электрона. Магнетон Бора.
- •24.Спин орбитальное взаимодействие. Эффект Зеемана. Принцип Паули. Расположение элементов в системе Менделеева.
- •Вопрос 25. Ионная и ковалентная связи атомов в молекуле. Энергия диссоциации. Полная энергия молекулы. Вращательные, колебательно-вращательные полосы.
- •Вопрос 26. Вынужденное излучение. Мазеры. Лазеры. Накачка метастабильных уровней. Свойства лазерного излучения.
- •27. Фазовое пространство. Функция распределения. Понятие о квантовой статистике Бозе-Эйнштейна и Ферми-Дирака.
- •29.Квантовая теория свободных электронов в металле. Уровень Ферми. Запрещенные зоны. Валентная зона. Зона проводимости
- •30.Электропроводность металлов. Сверхпроводимость. Температурные зависимости проводимости.
- •31.Дырочная проводимость. Примесная проводимость. Запрещенные зоны. Валентная зона. Зона проводимости.
- •32.Работа выхода. Термоэлектронная эмиссия. Контактная разность потенциалов.
- •33). Контактные явления в полупроводниках
- •35). Основные свойства атомного ядра.
- •36). Масса и энергия связи. Дефект массы. Деление тяжелых и синтез легких ядер.
- •37.Ядерные силы. Модели ядра. Мезоны.
- •1.Капельная модель ядра.
- •2.Оболочечная модель ядра.
- •38.Радиоактивность. Постоянная распада. Альфа, бета и гамма излучения. Закон радиоактивного распада.
- •39. Альфа-распад. Бета-распад. Правила смещения.
- •40). Реакция деления ядра. Цепная реакция деления.
- •41 Космическое излучение. Типы взаимодействия элементарных частиц. Частицы и античастицы
- •42 Классификация элементарных частиц. Кварки.
33). Контактные явления в полупроводниках
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ - неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников либо через границу двух областей одного и того же полупроводника с разным типом носителей и разной их концентрацией.
Приведение в контакт двух разл. материалов сопровождается перетеканием носителей из одного в другой и образованием контактной разности потенциалов VK. Напряжённость поля контактной разности потенциалов плавно убывает в глубь полупроводника, вызывая приконтактный изгиб краёв энергетич. зон. Направление изгиба и его величина зависят от знака и величины VK, определяемой разностью работ выхода, а также от знака и концентрации локализованных на поверхности раздела зарядов.
Выпрямляющие контакты. На контакте металла с электронным полупроводником изгиб зон вверх (рис. 1) означает, что приконтактный слой полупроводника имеет дефицит электронов и, следовательно, пониженную проводимость. Величина сопротивления слоя сильно зависит от напряжения, приложенного к нему. Это приводит к большой нелинейности вольт-амперной характеристики (ВАХ) слоя и, в частности, к её сильной асимметрии относительно знака приложенного напряжения.
Омические контакты. При изгибе зон вниз приконтактный слой имеет избыток электронов. Ввиду повышенной проводимости он не вносит заметный вклад в сопротивление длинного образца.
При больших плотностях тока омич. поведение контактов нарушается из-за монополярной инжекции электронов, напр., из металла в полупроводник. Инжекция становится заметной, если плотность тока (1) где n - концентрация электронов основных носителей заряда в полупроводнике, D - их коэф. диффузии, RD - дебаевский радиус экранирования, е - элементарный заряд. Проводимость образца существенно нелинейна. Электрич. сопротивление омич. контакта с обогащённым слоем увеличивается при наличии диэлектрич. прослойки между металлом и полупроводником.
34). Термоэлектрические явления.
|