5. Заключение.

Ионное травление является методом анизотропного травле­ния с очень высоким разрешением, который обеспечивает хо­рошую равномерность обработки, воспроизводимость скорости и внесение минимальных загрязнений. К недостаткам метода относятся низкие скорость и селективность травления и воз­можность радиационного повреждения приборов при непосред­ственном травлении чувствительных к облучению полупровод­ника или границы раздела.

Поучителен опыт применения ионно-лучевого травления в производстве СБИС на цилиндрических магнитных доменах, когда значительное увеличение выхода годных структур, имею­щих большую площадь кристалла и субмикронные размеры элементов, было достигнуто заменой других методов травления на ионно-лучевое.

Увеличение выхода годных изделий за счет использования ИЛТ "определенных, нечувствительных к облучению слоев мо­жет быть получено и для других типов СБИС. Оно уже нашло широкое применение при изготовлении ИС средней и высокой степени интеграции на GaAs, а при переходе к СБИС на GaAs ионно-лучевое травление, по-видимому, будет играть еще более шажную роль.

Ионно-лучевое и реактивное ионно-лучевое травление смогут использоваться еще шире при переходе к ИС с элементами размером менее 1 мкм.