ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«МАТИ» – РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. К.Э. ЦИОЛКОВСКОГО

_______________________________________________________________

Кафедра:

«Радиотехника, телекоммуникации и нанотехнологии»

Специальность:

211000

« Конструирование и технология Э.С.»

Курсовая работа

по дисциплине «Физико-химические основы нанотехнологии и технологии электронных средств»

тема:

«Разработка технологического процесса создания заданного рельефа на поверхности полупроводников и материалов электронной техники»

Выполнил студент	Мальчугин В. М.
Группа	3ТЭС-1ДБ-205
Преподаватель	Елинсон В. М.
Оценка
Дата

Москва 2012г.

Содержание.

1. Задание.

2. Области применения и получения арсенида галлия.

3. Расчет анизотропии процесса травления и выбор метода травления.

4. Разработка конструкции маски и расчет основных параметров травления.

5. Заключение.

1. Задание.

Арсенид галлия

Ширина канавки h. 0.3 мкм

Глубина канавки d. 0.7

0.7

0.3

2. Области применения и получения арсенида галлия.

Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.

Некоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния. Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.

Полупроводниковые приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. Из-за более высокой напряженности электрического поля пробоя в GaAs по сравнению с Si приборы из арсенида галлия могут работать при большей мощности. Эти свойства делают GaAs широко используемым в полупроводниковых лазерах, некоторых радарных системах. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые, что обусловливает их использование в условиях радиационного излучения (например, в солнечных батареях, работающих в космосе).

GaAs — прямозонный полупроводник, что также является его преимуществом. GaAs может быть использован в приборах оптоэлектроники: светодиодах, полупроводниковых лазерах.

Сложные слоистые структуры арсенида галлия в комбинации с арсенидом алюминия (AlAs) или тройными растворами Al_xGa_1-xAs (гетероструктуры) можно вырастить с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии(МЛЭ) или МОС-гидридной эпитаксии. Из-за практически идеального согласования постоянных решёток слои имеют малые механические напряжения и могут выращиваться произвольной толщины.

По физическим характеристикам GaAs — более хрупкий и менее теплопроводный материал, чем кремний. Подложки из арсенида галлия гораздо сложнее для изготовления и примерно впятеро дороже, чем кремниевые, что ограничивает применение этого материала.

Токсические свойства арсенида галлия детально не исследованы, но продукты его гидролиза токсичны (иканцерогенны).

Почти весь (95%) производимый галлий переводится в арсенид. Арсенид галлия GaAs – темно-серое кристаллическое вещество с фиолетовым оттенком. Арсенид галлия, как и большинство соединений типа A^IIIB^V изоструктурен сфалериту ZnS, устойчив к действию воды, щелочей и воздуха и с трудом разлагается серной и соляной кислотой.

GaAs + 3HCl = GaCl₃ + AsH₃

Кристаллический арсенид галлия был впервые синтезирован в 1954, и сразу же было обнаружено, что он является полупроводником. Легируя его различными добавками, можно получать кристаллы с электронной и дырочной проводимостью. Величина запрещённой зоны арсенида галлия составляет 1,43 эВ (для сравнения – у кремния 1,17 эВ), то есть он является типичным полупроводником. Как и кремний, арсенид галлия применяется для создания различных полупроводниковых приборов. На интегральные схемы на основе арсенида галлия расходуется до 40% производимого галлия. GaAs-микросхемы примерно на порядок дороже, чем кремниевые (это связано со сложностью получения монокристаллов), но обладают гораздо большей производительностью.В быстродействующих интегральных схемах сейчас нет альтернатив арсениду, тогда как в других областях он может быть заменен другими материалами. Сейчас разрабатываются технологии создания смешанных Si-GaAs чипов, которые позволят добиться высокой скорости работы в сочетании с относительной дешевизной.

Через некоторое время после синтеза арсенида галлия обнаружилось, что это соединение обладает другими интересными и важными свойствами, которые иногда ставят его вне конкуренции с остальными полупроводниковыми материалами. Ширина его запрещенной зоны близка к величине 1,5 эВ, которая считается оптимальной для преобразования солнечной энергии в электрическую. Коэффициент полезного действия арсенид-галлиевых фотоэлементов (солнечных батарей) достигает 24%, что значительно превосходит результаы лучших кремниевых фотоэлектрических преобразователей.

Широкое применение получили полупроводниковые преобразователи электрической энергии в электромагнитное излучение. В арсениде галлия впервые для полупроводников было открыто явление испускания света под действием электрического тока, что привело в 1962 к созданию полупроводникового лазера. Принцип действия лазера этого типа основан на рекомбинации электронов проводимости и дырок. В арсениде галлия (в отличие от кремния) почти при каждом акте рекомбинации происходит излучение кванта света. При малой скорости генерации электрон-дырочных пар (накачке) излучательная рекомбинация происходит спонтанно, этот эффект используется в полупроводниковых источниках света – светодиодах (light-emitting diodes, LEDs).

В 1963 у арсенида галлия возникла новая область применения. Американский физик Джон Ганн (John Gunn, р. 1928) установил, что постоянное электрическое напряжение определенной величины, приложенное к кристаллу арсенида галлия, вызывает в нем генерацию высокочастотных колебаний электрического тока. Этот эффект связан с тем, что у вольтамперной характеристики арсенида галлия есть ниспадающий участок, на котором дифференциальное сопротивление отрицательно. Приборы на основе эффекта Ганна служат для генерирования и усиления электромагнитных колебаний мощностью порядка нескольких кВт в импульсном режиме и сотен мВт в непрерывном режиме на частотах от 100 МГц до 100 ГГц, а также для создания быстродействующих элементов электронных устройств.

Сейчас монокристаллы высокочистого арсенида галлия получают традиционными способами выращивания кристаллов (по Чохральскому). Для получения монокристаллических слоев легированного арсенида галлия применяют эпитаксиальные методы. Эпитаксия – это ориентированное нарастание одного кристалла на другом. Особенно широкое распространение в полупроводниковой нанотехнологии получили метод молекулярно-лучевой эпитаксии (molecular-beam epitaxy, MBE) и осаждение пленок из металлоорганических соединений (metalorganic vapor phase epitaxy, MOVPE). Синтез арсенида галлия методом MOVPE проводится в газовой фазе взаимодействием триметилгаллия и арсина в атмосфере водорода:

(CH₃)₃Ga + AsH₃ = GaAs + 3CH₄ (H₂, 700° C)

Молекулярно-лучевая эпитаксия – это выращивание кристаллов в сверхвысоком вакууме с помощью пучков атомов и молекул, являющихся компонентами растущего соединения. Этот метод позволяет вводить в кристалл легирующие атомы и строго контролировать их содержание и объемное распределение, а также конструировать на поверхности наноразмерные структуры, необходимые для создания новейших полупроводниковых элементов обычной (микросхемы) и квантовой (квантовые ямы, нити и точки) электроники.

Биологическая роль галлия.

О роли галлия в жизнедеятельности человека и животных практически ничего не известно. Представляет некоторый интерес гипотеза о причинах накопления галлия в угольных отложениях Англии, согласно которой это является следствием биологических процессов. Полагают, что галлий играет важную роль в нормальном произрастании грибка Aspergillus, состоящего в близком родстве с плесенью, вырабатывающей пенициллин. Кроме того, галлий имеет существенное значение в жизнедеятельности небольшого болотного растения Lemna minor.