- •1.Основные сведения из истории развития электроники.
- •2.Электропроводность полупроводников.
- •3.Удельная проводимость пп
- •4.Примесная проводимость
- •5.Зонная диаграмма пп с донорной примесью
- •6.Зонная диаграмма пп с акцепторной примесью
- •7.Понятие о потенциале и уровне Ферми для пп материалов.
- •8.Электрические переходы между двумя различными материалами
- •9.Электрические переходы между металлом и пп.
- •10.Процессы в p-n-переходе.
- •11.Прямое смещение pn перехода.
- •12.Обратное смещение pn перехода.
- •14.Емкость pn- перхода
- •15.Пробой pn перхода.
- •16.Устройство: принцип действия и вах полупроводникового диода.
- •17.Классификация и система обозначения Диодов
- •18.Устройство, принцип действия и вах стабилитрона.
- •19.Классификация и система обозначения стабилитронов.
- •20.Биполярный транзистор: устройство, принцип действия.
- •21.Типы транзисторов: устройство, принцип действия.
- •22.Схемы включения транзисторов.
- •23.Основные соотношения для токов в структуре
- •24.Математическая модель транзистора.
- •25.Уравнения Эберса-Молла
- •26.Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока об: основные соотношения и характеристики
- •27.Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока оэ: основные соотношения и характеристики
- •28.Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •29.Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •30.Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •31.Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •32.Основные режимы работы биполярного транзистора
- •33.Биполярный транзистор как активный 4-х полюсник
- •35.Схема замещения транзистора для h-параметров.
- •36.Основные параметры биполярного транзистора.
- •37.Эквивалентные схемы биполярных транзисторов для переменного тока.
- •38.Зависимость основных параметров биполярного транзистора от температуры.
- •39.Классификация и система обозначения биполярных транзисторов.
- •40.Структура и принцип работы полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •41.Основные характеристики полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •42.Основные параметры полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •43.Соотношения между параметрами полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •44.Эквивалентные схемы полевого транзистора для переменного тока.
- •45.Основные схемы включения полевого транзистора
- •46.Зависимость параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом от температуры
- •50.Стоко-затворные характеристики моп транзисторов с индуцированным каналом
- •51.Статические стоковые характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •52.Влияние потенциала подложки на характеристики управления моп-транзистора
- •53.Структура мноп: принцип действия и область использования.
- •55.Классификация, система обозначения и характеристики полевого транзистора
- •56.Структура, принцип действия и вах туннельного диода
- •57.Структура, принцип действия и вах двухбазового диода
- •58.Основные соотношения для токов и напряжений однопереходного транзистора
- •59.Транзисторный аналог двухбазового диода.
- •60.Лавинный транзистор: схема включения и основные параметры
- •61.Вах лавинного транзистора, область использования
- •62.Динистор: структура и принцип действия
- •63.Динистор: вах , основные соотношения для токов
- •64.Тиристор: структура, принцип действия
- •65.Тиристор: вах при управлении по катоду, и основные соотношения для токов
- •66.Классификация и система обозначений тиристоров.
- •67.Основные достоинства оптоэлектронных приборов
- •68.Светодиоды: принцип действия, основные характеристики, эквивалентные схемы
- •69.Основные параметры светодиодов
- •70.Основные параметры и характеристика фоторезисторов
- •71.Фотодиоды: структура, принцип действия, основные режимы работы
- •72.Основные параметры и характеристики фотодиодов
- •73.Фототранзисторы: принцип действия, основные режимы
- •74.Основные характеристики и параметры фототранзисторов.
- •75.Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры
- •76.Устройства отображения информации: назначение, классификация.
- •77.Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.
- •78. Устройство, принцип действия и область использования жидко-кристаллических индикаторов (жки)
- •79.Разновидности и способы управления ими
- •80.Пп знакосинтезирующие индикаторы: устройство, принцип действия
- •81.Многоэлементные пп зси устройство, область использования.
- •82.Принцип работы лазера, свойства лазерного излучения
- •83.Основные типы лазеров, основные области использования лазерного излучения
- •84.Пп приборы с зарядовой связью: устройство, принцип действия, режимы работы, область применения
- •85.Усилители электрических сигналов: основные параметры и характеристики
- •86.Принцип действия усилительного каскада на транзисторе
- •87.Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме оэ
- •88.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме каскада оэ
- •89.Температурная компенсация каскада оэ
- •90.Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
- •91.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
- •92.Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
- •93.Усилительные каскады на полевых транзисторах: схемы и основные соотношения
- •94.Истоковый повторитель: схема и основные соотношения
- •95.Режимы усилительных каскадов
- •96.Графо-аналитический анализ работы усилительного каскада
- •97.Усилители мощности с трансформаторным включением нагрузки
- •98.Бестрансформаторные усилители мощности
- •99.Понятие об усилителях постоянного тока
96.Графо-аналитический анализ работы усилительного каскада
Этот метод дает возможность наиболее просто и наглядно выбрать режим работы, уяснить принципы усиления каскада и определить необходимые расчетные параметры его. При этом обычно выбираются или задаются: тип усилительной лампы; ее основные параметры S, Ri, μ, Pа доп, Ua предельное, Ia предельное; -Uс0 и ±Um вх в режиме класса А; семейство анодных характеристик лампы; Ra и Eа.
Требуется построить график и определить все необходимые параметры каскада (Iа0, Iа макс, Iа мин, Ima; Ua0, Ua макс, Ia мин, Uma, а также К = Uma / Um вх, ηэ и ηп и др).
Приведем ориентировочный ход решения этой задачи.
1. На листе миллиметровой бумаги построить семейство анодных характеристик выбранной лампы, взяв их из справочника или каталога (рис. 7).
2. Если не задана величина Ra = Rн то для триодных схем выбрать Ra = (2 ÷ 4) Ri.
3. Построить линию нагрузки в координатах анодных характеристик. Нагрузочная линия, описываемая уравнением Uа = Ea — Ia * Ra, представляет собой прямую линию, которую можно построить в отрезках на осях координат по двум точкам:
а) приняв Ia = 0, получим Ua = Ea (В);
б) приняв Ua = 0, получим Iа = Ea / Ra (мА).
Через эти две точки провести прямую нагрузочную линию, которая при одном Rа, т. е, (Ra = Rн), сольется как для постоянной, так и для переменной составляющих анодного тока. Причем угловой коэффициент наклона нагрузочной линии равен tgα = 1 / Ra.
4. Построить гиперболическую кривую допустимой мощности, рассеиваемой анодом лампы, т. е. Ра = Iа * Uа = const. Для этого задавшись несколькими значениями анодного напряжения, определить соответствующие значения анодного тока. Из формулы Ia = P0 / Ua определяют:
при Ua Ua1 Ua2 Uа3 . . . Uаn
Ia Ia1 Ia2 Ia3 . . . Ian
5. Отметить положение рабочей точки в режиме класса А при пересечении нагрузочной линии со статической анодной характеристикой, соответствующей заданному или выбранному значению—Uc0.
6. Исходя из значений величин — Uc0 и ±Um вx, отметить на линии нагрузки рабочий участок (аб). При этом в классе А обычно нельзя выходить в область положительных напряжений на сетке + Uс, а также на нижние загибы анодных характеристик и в область Pа > Ра доп, иначе появятся большие нелинейные искажения усиливаемого сигнала.
7. Из рабочей точки провести три временные оси и построить в пределах рабочего участка кривые входного напряжения Uвх = f(t), выходного анодного тока iа = f(t) и выходного напряжения Uа = f(t).
8. Положение рабочей точки и рабочий участок (аб), соответствующий данному значению ±Um вх, дают возможность графически определить и записать полученные значения всех искомых токов и напряжений (Iа0, Iа макс, Iа мин, Ima; Ua0, Ua макс, Ia мин, Uma = Um вых).
Для более точного определения взять среднеарифметические значения:
9. Пользуясь линией нагрузки, построить динамическую анодно-сеточную характеристику Iа = f / (Uс) при Eа = const и Rа = const.
Для этой цели необходимо перенести ординаты токов из координат анодных характеристик при соответствующих значениях сеточных напряжений в координаты анодно-сеточной характеристики. Из рабочей точки динамической входной характеристики провести вниз ось времени и построить относительно ее кривую входного напряжения
10. Графически определить коэффициент усиления каскада по напряжению К = — Um вых / Um вх, a затем аналитически проверить по формуле
11. Пользуясь ранее приведенными формулами, определить Ра0, PRa0, Pполезн, Pнакала, P01, P02, ηэ и ηп, а также величины Rк, Cк, Rc, Cp.
Следует отметить, что подобный графоаналитический метод применяется для исследования любых усилительных каскадов, собранных и на пентоде, и на лучевом тетроде, и на транзисторе.
При этом графики будут отличаться в основном только видом (формой) входных и выходных характеристик активных усилительных элементов.