- •1.Основные сведения из истории развития электроники.
- •2.Электропроводность полупроводников.
- •3.Удельная проводимость пп
- •4.Примесная проводимость
- •5.Зонная диаграмма пп с донорной примесью
- •6.Зонная диаграмма пп с акцепторной примесью
- •7.Понятие о потенциале и уровне Ферми для пп материалов.
- •8.Электрические переходы между двумя различными материалами
- •9.Электрические переходы между металлом и пп.
- •10.Процессы в p-n-переходе.
- •11.Прямое смещение pn перехода.
- •12.Обратное смещение pn перехода.
- •14.Емкость pn- перхода
- •15.Пробой pn перхода.
- •16.Устройство: принцип действия и вах полупроводникового диода.
- •17.Классификация и система обозначения Диодов
- •18.Устройство, принцип действия и вах стабилитрона.
- •19.Классификация и система обозначения стабилитронов.
- •20.Биполярный транзистор: устройство, принцип действия.
- •21.Типы транзисторов: устройство, принцип действия.
- •22.Схемы включения транзисторов.
- •23.Основные соотношения для токов в структуре
- •24.Математическая модель транзистора.
- •25.Уравнения Эберса-Молла
- •26.Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока об: основные соотношения и характеристики
- •27.Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока оэ: основные соотношения и характеристики
- •28.Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •29.Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •30.Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •31.Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •32.Основные режимы работы биполярного транзистора
- •33.Биполярный транзистор как активный 4-х полюсник
- •35.Схема замещения транзистора для h-параметров.
- •36.Основные параметры биполярного транзистора.
- •37.Эквивалентные схемы биполярных транзисторов для переменного тока.
- •38.Зависимость основных параметров биполярного транзистора от температуры.
- •39.Классификация и система обозначения биполярных транзисторов.
- •40.Структура и принцип работы полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •41.Основные характеристики полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •42.Основные параметры полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •43.Соотношения между параметрами полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •44.Эквивалентные схемы полевого транзистора для переменного тока.
- •45.Основные схемы включения полевого транзистора
- •46.Зависимость параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом от температуры
- •50.Стоко-затворные характеристики моп транзисторов с индуцированным каналом
- •51.Статические стоковые характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •52.Влияние потенциала подложки на характеристики управления моп-транзистора
- •53.Структура мноп: принцип действия и область использования.
- •55.Классификация, система обозначения и характеристики полевого транзистора
- •56.Структура, принцип действия и вах туннельного диода
- •57.Структура, принцип действия и вах двухбазового диода
- •58.Основные соотношения для токов и напряжений однопереходного транзистора
- •59.Транзисторный аналог двухбазового диода.
- •60.Лавинный транзистор: схема включения и основные параметры
- •61.Вах лавинного транзистора, область использования
- •62.Динистор: структура и принцип действия
- •63.Динистор: вах , основные соотношения для токов
- •64.Тиристор: структура, принцип действия
- •65.Тиристор: вах при управлении по катоду, и основные соотношения для токов
- •66.Классификация и система обозначений тиристоров.
- •67.Основные достоинства оптоэлектронных приборов
- •68.Светодиоды: принцип действия, основные характеристики, эквивалентные схемы
- •69.Основные параметры светодиодов
- •70.Основные параметры и характеристика фоторезисторов
- •71.Фотодиоды: структура, принцип действия, основные режимы работы
- •72.Основные параметры и характеристики фотодиодов
- •73.Фототранзисторы: принцип действия, основные режимы
- •74.Основные характеристики и параметры фототранзисторов.
- •75.Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры
- •76.Устройства отображения информации: назначение, классификация.
- •77.Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.
- •78. Устройство, принцип действия и область использования жидко-кристаллических индикаторов (жки)
- •79.Разновидности и способы управления ими
- •80.Пп знакосинтезирующие индикаторы: устройство, принцип действия
- •81.Многоэлементные пп зси устройство, область использования.
- •82.Принцип работы лазера, свойства лазерного излучения
- •83.Основные типы лазеров, основные области использования лазерного излучения
- •84.Пп приборы с зарядовой связью: устройство, принцип действия, режимы работы, область применения
- •85.Усилители электрических сигналов: основные параметры и характеристики
- •86.Принцип действия усилительного каскада на транзисторе
- •87.Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме оэ
- •88.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме каскада оэ
- •89.Температурная компенсация каскада оэ
- •90.Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
- •91.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
- •92.Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
- •93.Усилительные каскады на полевых транзисторах: схемы и основные соотношения
- •94.Истоковый повторитель: схема и основные соотношения
- •95.Режимы усилительных каскадов
- •96.Графо-аналитический анализ работы усилительного каскада
- •97.Усилители мощности с трансформаторным включением нагрузки
- •98.Бестрансформаторные усилители мощности
- •99.Понятие об усилителях постоянного тока
75.Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры
Фоторезистор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом.
Для изготовления фоторезисторов используют полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, оптимальной для решаемой задачи. Так, для регистрации видимого света используются фоторезисторы из селенида и сульфида кадмия, Se. Для регистрации инфракрасного излучения используются Ge (чистый или легированный примесями Au, Cu или Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe, часто охлаждаемые до низких температур. Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку или вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой или пластинку полупроводника снабжают двумя электродами и помещают в защитный корпус.
Конструктивно фоторезистор представляет пленку ПП и отводы
Важнейшие параметры фоторезисторов:
чувствительность — отношение приращения выходной величины к входной
граничная частота – частота сигнала модулируемого световым потоком, при котором чувствительность изменяется в корень из 2 раз
температурный коэффициент.
Основные характеристика:
ВАХ
Энергетическая характеристика
76.Устройства отображения информации: назначение, классификация.
Применяются где нужно визуальное отображение.
2 класса устройств:
1. на основе излучательной способности. ЭЛТ, люминесцентные
2. пассивные ЖК, электрохромные индикаторы
Индикаторы бывают цифровыми, буквенно-цифровыми, шкальными.
Также различают сегментные и матричные (знако-синтезирующие матрицы).
По напряжению: низковольтовые (до 5В); средневольтовые (до 30В), высоковольтовые (более 30В).
77.Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.
Работа вакуумных люминесцентных индикаторов основана на способности некоторых кристаллических веществ, называемых като-долюминофорами, преобразовывать кинетическую энергию электронов в световую. Вакуумный люминесцентный индикатор представляет собой триод с положительной управляющей сеткой. Электроды заключены в стеклянный цилиндрический баллон, из которого выкачан воздух. Термоэлектронный оксидный катод прямого накала выполнен в виде прямой нити. На некотором расстоянии от катода на плоской токопроводящей пластине расположены аноды-сегменты, количество которых зависит от вида знака. На аноды нанесен слой низковольтного катодолюминофора. Между катодом и анодами расположена управляющая сетка с широкими ячейками, прикрывающая все изображения знака (аноды-сегменты). Сетка и аноды-сегменты имеют положительный потенциал. Электроны, испускаемые термоэлектронным катодом, устремляются к анодам-сегментам, находящимся под положительными напряжениями, и возбуждают атомы нанесенного на них слоя катодолюминофора. В результате аноды-сегменты начинают светиться. Подавая положительные напряжения на те или иные аноды-сегменты, можно высвечивать необходимые знаки. Индикация высвеченных знаков осуществляется через боковую поверхность или торец баллона. В ЭВМ, цифровых приборах, различных пультах управления и табло применяются многоразрядные вакуумные индикаторы. В таких индикаторах имеются общие нити накала, а управляющая сетка состоит из отдельных самостоятельных частей, расположенных над каждым из знаков. Каждая сетка имеет свой вывод, что позволяет подавать на них управляющие напряжения независимо друг от друга. Свечение того или иного анода-сегмента происходит в том случае, если на управляющую сетку и анод одновременно поданы положительные напряжения.