- •1.Основные сведения из истории развития электроники.
- •2.Электропроводность полупроводников.
- •3.Удельная проводимость пп
- •4.Примесная проводимость
- •5.Зонная диаграмма пп с донорной примесью
- •6.Зонная диаграмма пп с акцепторной примесью
- •7.Понятие о потенциале и уровне Ферми для пп материалов.
- •8.Электрические переходы между двумя различными материалами
- •9.Электрические переходы между металлом и пп.
- •10.Процессы в p-n-переходе.
- •11.Прямое смещение pn перехода.
- •12.Обратное смещение pn перехода.
- •14.Емкость pn- перхода
- •15.Пробой pn перхода.
- •16.Устройство: принцип действия и вах полупроводникового диода.
- •17.Классификация и система обозначения Диодов
- •18.Устройство, принцип действия и вах стабилитрона.
- •19.Классификация и система обозначения стабилитронов.
- •20.Биполярный транзистор: устройство, принцип действия.
- •21.Типы транзисторов: устройство, принцип действия.
- •22.Схемы включения транзисторов.
- •23.Основные соотношения для токов в структуре
- •24.Математическая модель транзистора.
- •25.Уравнения Эберса-Молла
- •26.Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока об: основные соотношения и характеристики
- •27.Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока оэ: основные соотношения и характеристики
- •28.Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •29.Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •30.Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •31.Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •32.Основные режимы работы биполярного транзистора
- •33.Биполярный транзистор как активный 4-х полюсник
- •35.Схема замещения транзистора для h-параметров.
- •36.Основные параметры биполярного транзистора.
- •37.Эквивалентные схемы биполярных транзисторов для переменного тока.
- •38.Зависимость основных параметров биполярного транзистора от температуры.
- •39.Классификация и система обозначения биполярных транзисторов.
- •40.Структура и принцип работы полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •41.Основные характеристики полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •42.Основные параметры полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •43.Соотношения между параметрами полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •44.Эквивалентные схемы полевого транзистора для переменного тока.
- •45.Основные схемы включения полевого транзистора
- •46.Зависимость параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом от температуры
- •50.Стоко-затворные характеристики моп транзисторов с индуцированным каналом
- •51.Статические стоковые характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •52.Влияние потенциала подложки на характеристики управления моп-транзистора
- •53.Структура мноп: принцип действия и область использования.
- •55.Классификация, система обозначения и характеристики полевого транзистора
- •56.Структура, принцип действия и вах туннельного диода
- •57.Структура, принцип действия и вах двухбазового диода
- •58.Основные соотношения для токов и напряжений однопереходного транзистора
- •59.Транзисторный аналог двухбазового диода.
- •60.Лавинный транзистор: схема включения и основные параметры
- •61.Вах лавинного транзистора, область использования
- •62.Динистор: структура и принцип действия
- •63.Динистор: вах , основные соотношения для токов
- •64.Тиристор: структура, принцип действия
- •65.Тиристор: вах при управлении по катоду, и основные соотношения для токов
- •66.Классификация и система обозначений тиристоров.
- •67.Основные достоинства оптоэлектронных приборов
- •68.Светодиоды: принцип действия, основные характеристики, эквивалентные схемы
- •69.Основные параметры светодиодов
- •70.Основные параметры и характеристика фоторезисторов
- •71.Фотодиоды: структура, принцип действия, основные режимы работы
- •72.Основные параметры и характеристики фотодиодов
- •73.Фототранзисторы: принцип действия, основные режимы
- •74.Основные характеристики и параметры фототранзисторов.
- •75.Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры
- •76.Устройства отображения информации: назначение, классификация.
- •77.Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.
- •78. Устройство, принцип действия и область использования жидко-кристаллических индикаторов (жки)
- •79.Разновидности и способы управления ими
- •80.Пп знакосинтезирующие индикаторы: устройство, принцип действия
- •81.Многоэлементные пп зси устройство, область использования.
- •82.Принцип работы лазера, свойства лазерного излучения
- •83.Основные типы лазеров, основные области использования лазерного излучения
- •84.Пп приборы с зарядовой связью: устройство, принцип действия, режимы работы, область применения
- •85.Усилители электрических сигналов: основные параметры и характеристики
- •86.Принцип действия усилительного каскада на транзисторе
- •87.Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме оэ
- •88.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме каскада оэ
- •89.Температурная компенсация каскада оэ
- •90.Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
- •91.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
- •92.Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
- •93.Усилительные каскады на полевых транзисторах: схемы и основные соотношения
- •94.Истоковый повторитель: схема и основные соотношения
- •95.Режимы усилительных каскадов
- •96.Графо-аналитический анализ работы усилительного каскада
- •97.Усилители мощности с трансформаторным включением нагрузки
- •98.Бестрансформаторные усилители мощности
- •99.Понятие об усилителях постоянного тока
83.Основные типы лазеров, основные области использования лазерного излучения
Широкое распространение получили: лазеры с разорванным p-n переходом (на переход подается прямое смещение, при этом генерируется лазерное излучение (0.8…0.9)мкм); и мазеры – лазеры работающие в диапазоне СВЧ.
Применение лазеров. Уникальные свойства лазерного излучения сделали квантовые генераторы незаменимым инструментом в самых разных областях науки и техники.
1. Технологические лазеры. Мощные лазеры непрерывного действия применяются для резки, сварки и пайки деталей из различных материалов. Для обработки деталей в вакууме или в атмосфере инертного газа лазерный луч можно вводить в технологическую камеру через прозрачное окно.
Идеально прямой лазерный луч служит удобной «линейкой». В геодезии и строительстве импульсные лазеры применяют для измерения расстояний на местности, рассчитывая их по времени движения светового импульса между двумя точками. Точные измерения в промышленности производят при помощи интерференции лазерных лучей, отраженных от концевых поверхностей изделия.
2. Лазерная связь. Появление лазеров произвело переворот в технике связи и записи информации. Существует простая закономерность: чем выше несущая частота (меньше длина волны) канала связи, тем больше его пропускная способность. Именно поэтому радиосвязь, вначале освоившая диапазон длинных волн, постепенно переходила на все более короткие длины волн.
3. Лазеры в медицине. Лазерная техника широко применяется и в хирургии, и в терапии. Лазерным лучом, введенным через глазной зрачок, «приваривают» отслоившуюся сетчатку и исправляют дефекты глазного дна. Хирургические операции, производимые «лазерным скальпелем» меньше травмируют живые ткани. А лазерное излучение малой мощности ускоряет заживление ран и оказывает воздействие, аналогичное иглоукалыванию, практикуемому восточной медициной (лазерная акупунктура).
4. Лазеры в научных исследованиях. Чрезвычайно высокая температура излучения и высокая плотность его энергии дает возможность исследовать вещество в экстремальном состоянии, существующем только в недрах горячих звезд. Делаются попытки осуществить термоядерную реакцию, сжимая ампулу со смесью дейтерия с тритием системой лазерных лучей (т.н. инерционный термоядерный синтез). В генной инженерии и нанотехнологии (технологии, имеющей дело с объектами с характерными размерами 10–9 м) лазерными лучами разрезают, передвигают и соединяют фрагменты генов, биологических молекул и детали размером порядка миллионной доли миллиметра (10–9 м). Лазерные локаторы (лидары) применяются для исследования атмосферы.
5. Военные лазеры. Военное применение лазеров включает как их использование для обнаружения целей и связи, так и применение в качестве оружия.
84.Пп приборы с зарядовой связью: устройство, принцип действия, режимы работы, область применения
Учебно-наглядное пособие, служащее для демонстрации к.-л. закономерностей (физ. П., хим. П.). ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ (ПЗС) - осн. тип прибора с переносом заряда, в основе работы к-рого лежит принцип хранения локализов. заряда в потенциальных ямах, образуемых в ПП кристалле под действием внеш. электрич. поля, и передачи зарядовых пакетов из одной потенц. ямы в другую при изменении напряжения на внеш. электродах (т.н. принцип зарядовой связи). Осн. элементом ПЗС является металл - оксид - полупроводник-структура или контакт с барьером Шоттки. Элементы расположены на ПП подложке так близко друг от друга, что потенц. ямы, образуемые под соседними электродами, перекрываются и между ними возможна зарядовая связь. ПЗС находят применение в фо-точувствит. интегральных схемах, в запоминающих устройствах и схемах аналоговой и цифровой обработки сигнала. Из всех устройств на ПЗС наибольшее распространение получили однострочные и матричные фо-точувствит. ИС.