58.Основные соотношения для токов и напряжений однопереходного транзистора
представляющий собой кристалл полупроводника, в котором создан p-n переход, называемый инжектором:
Этим переходом кристалл полупроводника разделяется как бы на две области базы. Поэтому однопереходный транзистор имеет и другое широко распространённое название - двухбазовый диод. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличии от биполярных и полевых транзисторов ОПТ представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда ОПТ находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.
Uвкл~ Uвн = Uмб* (eta)
(eta) = Rб1/(Rб1+Rб2)
59.Транзисторный аналог двухбазового диода.
представляющий собой кристалл полупроводника, в котором создан p-n переход, называемый инжектором:
Этим переходом кристалл полупроводника разделяется как бы на две области базы. Поэтому однопереходный транзистор имеет и другое широко распространённое название - двухбазовый диод. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличии от биполярных и полевых транзисторов ОПТ представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда ОПТ находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.
Uвкл~ Uвн = Uмб* (eta)
(eta) = Rб1/(Rб1+Rб2)
60.Лавинный транзистор: схема включения и основные параметры
Лавинный транзистор, транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода.
-
характеристическое напряжение лавинного
пробоя.
В т1 отпирается эмиттер, переходный ток коллектора увеличивается, но при этом увеличивается коэф переноса alpha, а дифференциальное сопротивление уменьшается.
61.Вах лавинного транзистора, область использования
Лавинный транзистор, транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода.
- характеристическое напряжение лавинного пробоя.
В т1 отпирается эмиттер, переходный ток коллектора увеличивается, но при этом увеличивается коэф переноса alpha, а дифференциальное сопротивление уменьшается.
Применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать мощные импульсы тока (до нескольких А) со временем нарастания импульса менее 10^-9 сек. Возможность генерирования ЛТ. коротких импульсов с частотой повторения до 100 МГц используется в устройствах совпадения импульсов и в стробоскопических осциллографах. Наличие участка отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике ЛТ и малое эффективное значение времени пролёта носителей заряда от эмиттера к коллектору позволяют применять его также в генераторах и усилителях электрических колебаний дециметрового и сантиметрового диапазонов волн.