
- •1.Основные сведения из истории развития электроники.
- •2.Электропроводность полупроводников.
- •3.Удельная проводимость пп
- •4.Примесная проводимость
- •5.Зонная диаграмма пп с донорной примесью
- •6.Зонная диаграмма пп с акцепторной примесью
- •7.Понятие о потенциале и уровне Ферми для пп материалов.
- •8.Электрические переходы между двумя различными материалами
- •9.Электрические переходы между металлом и пп.
- •10.Процессы в p-n-переходе.
- •11.Прямое смещение pn перехода.
- •12.Обратное смещение pn перехода.
- •14.Емкость pn- перхода
- •15.Пробой pn перхода.
- •16.Устройство: принцип действия и вах полупроводникового диода.
- •17.Классификация и система обозначения Диодов
- •18.Устройство, принцип действия и вах стабилитрона.
- •19.Классификация и система обозначения стабилитронов.
- •20.Биполярный транзистор: устройство, принцип действия.
- •21.Типы транзисторов: устройство, принцип действия.
- •22.Схемы включения транзисторов.
- •23.Основные соотношения для токов в структуре
- •24.Математическая модель транзистора.
- •25.Уравнения Эберса-Молла
- •26.Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока об: основные соотношения и характеристики
- •27.Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока оэ: основные соотношения и характеристики
- •28.Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •29.Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •30.Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •31.Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •32.Основные режимы работы биполярного транзистора
- •33.Биполярный транзистор как активный 4-х полюсник
- •35.Схема замещения транзистора для h-параметров.
- •36.Основные параметры биполярного транзистора.
- •37.Эквивалентные схемы биполярных транзисторов для переменного тока.
- •38.Зависимость основных параметров биполярного транзистора от температуры.
- •39.Классификация и система обозначения биполярных транзисторов.
- •40.Структура и принцип работы полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •41.Основные характеристики полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •42.Основные параметры полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •43.Соотношения между параметрами полевого транзистора с управляемым p-n переходом
- •44.Эквивалентные схемы полевого транзистора для переменного тока.
- •45.Основные схемы включения полевого транзистора
- •46.Зависимость параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом от температуры
- •50.Стоко-затворные характеристики моп транзисторов с индуцированным каналом
- •51.Статические стоковые характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •52.Влияние потенциала подложки на характеристики управления моп-транзистора
- •53.Структура мноп: принцип действия и область использования.
- •55.Классификация, система обозначения и характеристики полевого транзистора
- •56.Структура, принцип действия и вах туннельного диода
- •57.Структура, принцип действия и вах двухбазового диода
- •58.Основные соотношения для токов и напряжений однопереходного транзистора
- •59.Транзисторный аналог двухбазового диода.
- •60.Лавинный транзистор: схема включения и основные параметры
- •61.Вах лавинного транзистора, область использования
- •62.Динистор: структура и принцип действия
- •63.Динистор: вах , основные соотношения для токов
- •64.Тиристор: структура, принцип действия
- •65.Тиристор: вах при управлении по катоду, и основные соотношения для токов
- •66.Классификация и система обозначений тиристоров.
- •67.Основные достоинства оптоэлектронных приборов
- •68.Светодиоды: принцип действия, основные характеристики, эквивалентные схемы
- •69.Основные параметры светодиодов
- •70.Основные параметры и характеристика фоторезисторов
- •71.Фотодиоды: структура, принцип действия, основные режимы работы
- •72.Основные параметры и характеристики фотодиодов
- •73.Фототранзисторы: принцип действия, основные режимы
- •74.Основные характеристики и параметры фототранзисторов.
- •75.Фоторезисторы: структура, классификация, основные параметры
- •76.Устройства отображения информации: назначение, классификация.
- •77.Принцип действия и способы управления вакуумными люминесцентными индикаторами.
- •78. Устройство, принцип действия и область использования жидко-кристаллических индикаторов (жки)
- •79.Разновидности и способы управления ими
- •80.Пп знакосинтезирующие индикаторы: устройство, принцип действия
- •81.Многоэлементные пп зси устройство, область использования.
- •82.Принцип работы лазера, свойства лазерного излучения
- •83.Основные типы лазеров, основные области использования лазерного излучения
- •84.Пп приборы с зарядовой связью: устройство, принцип действия, режимы работы, область применения
- •85.Усилители электрических сигналов: основные параметры и характеристики
- •86.Принцип действия усилительного каскада на транзисторе
- •87.Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме оэ
- •88.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме каскада оэ
- •89.Температурная компенсация каскада оэ
- •90.Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
- •91.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
- •92.Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
- •93.Усилительные каскады на полевых транзисторах: схемы и основные соотношения
- •94.Истоковый повторитель: схема и основные соотношения
- •95.Режимы усилительных каскадов
- •96.Графо-аналитический анализ работы усилительного каскада
- •97.Усилители мощности с трансформаторным включением нагрузки
- •98.Бестрансформаторные усилители мощности
- •99.Понятие об усилителях постоянного тока
89.Температурная компенсация каскада оэ
Резисторы R1 и R2 обеспечивают такое смещение на базе, что транзистор VT1 находится в проводящем состоянии. При подаче входного сигнала транзистор на участке КБ изменяет проводимость, в следствии, в коллекторной цепи изменяется значение протекающего тока, это приводит к изменению падения напряжения на Rк в следствии чего в точке выхода сигнала меняется значение потенциала и на нагрузку поступает усиленные сигнал.
Rэ обеспечивает температурную компенсацию, а Cэ – обратную связь
При повышении температуры транзистора все выходные характеристики смещаются в верх, и получается рабочее положение выходит из рабочей точки, для того чтобы контролировать рабочее положение применяется температурная компенсация. В данной схеме это установлен дополнительно резистор Rэ. Принцип действия заключается в том, что при повышении температуры транзистора ток КЭ увеличивается по отношению к нормально температуре, увеличивается падение напряжения на Rэ, так как Uэб величина постоянная, то увеличение потенциала на Rэ воздействовать на смещение базы и ток КЭ уменьшаться, т.е мы будем возвращаться в рассчитанную рабочую точку.
90.Эмиттерный повторитель: схемы и основные соотношения.
Он усиливает только ток. Часто используется как входной каскад ИУ.
При этом входное сопротивление относительно велико, а выходное — мало
91.Определение коэффициентов усиления тока и напряжения в схеме ок
Он усиливает только ток. Часто используется как входной каскад ИУ.
При этом входное сопротивление относительно велико, а выходное — мало
92.Усилительный каскад с общей базой (об схема и основные соотношения)
Схема каскада с общей базой (ОБ) приведена на рис. 1.24а. Еэ и Rэ предназначены для задания эмиттерного тока в режиме покоя, а остальные элементы каскада выполняют те же функции, что и в схеме ОЭ.
Из схемы замещения рис. 1.24б:
т.е. входное сопротивление определяется сопротивлением смещенного в прямом направлении эмиттерного перехода и не превышает величины 10 - 50 Ом.
Коэффициент усиления по переменному току можно найти, исходя из того, что Iвх IЭ (т.к. Rвх rэ) и Iк = Iэ. Так как коллекторный ток делится между Rк и Rн, соотношение для КI имеет вид:
Рисунок 1.24 - Схема усилительного каскада с общей базой(а) и его схема замещения (б)
Нетрудно увидеть, что коэффициент усиления по току в схеме ОБ существенно( в 10 - 50 раз) меньше, чем в схемах ОЭ и ОК.
Расчет коэффициента усиления по напряжению по аналогии со схемами ОЭ и ОК дает:
и он возрастает с уменьшением внутреннего сопротивления источника сигнала.
Выходное сопротивление каскада ОБ:
Следует отметить, что ввиду наличия емкости коллекторного перехода на повышенных частотах коэффициент передачи тока транзистора становится комплексной величиной, модуль и аргумент которой зависят от частоты усиливаемого сигнала. О частотных свойствах транзистора судят по граничной частоте , при которой коэффициент передачи уменьшается в раз. Частота входит в число основных параметров транзистора и определяет его частотные свойства. При этом схема включения транзистора с общей базой имеет максимальную граничную частоту. Что касается схемы с общим эмиттером, то граничная частота:
т.е. частотные свойства схемы с общим эмиттером значительно хуже.