41.Основные характеристики полевого транзистора с управляемым p-n переходом

Это ПП прибор, работа которого обусловлена током основных носителей заряда протекающим через проводящий канал, сопротивление которого модулируется (управляется) электрическим полем.

Преимущество: высокое входное сопротивление, малая мощность управления, высоко частотность, работа при низких температурах, высокая технологичность изготовления.

В качестве основных характеристик ПТ представляются функциональные зависимости между токами и напряжениями, прикладываемыми к их электродам: входная характеристика I_З = f(U_ЗИ) при U_СИ = const; характеристика обратной связи I₃=f(U_СИ) при U_ЗИ = const; характеристика прямой передачи I_С=f(U_ЗИ) при U_СИ = const; выходная характеристика I_С = f(U_СИ) при U_ЗИ = const.

На практике широко используются лишь две последние характеристики, причем первую из них часто называют передаточной характеристикой.

Входная характеристика и характеристика обратной связи применяется редко, так как в абсолютном большинстве случаев входные токи ПТ пренебрежимо малы (от 10^-8 до 10^-12 А) по сравнению с токами, протекающими через элементы, подключенные ко  входу.

На рисунке изображена характеристика прямой передачи I_С =f(U_ЗИ). И изображено семейство выходных характеристик I_С =f(U_СИ) при различных значениях напряжения затвора  U_ЗИ. Каждая характеристика имеет три участка - омический (для  U_СИ < U_ЗИ0-  U_ЗИ), насыщения (для U_СИ > U_ЗИ0 - U_ЗИ) и пробоя. При U_ЗИ = 0 с увеличением напряже­ния U_С ток I_С вначале нарастает почти линейно, однако далее характеристика перестает подчиняться линейному закону; ток I_С начинает расти медленнее, ибо его увеличение приводит к повышению падения напряжения в канале и потенциала вдоль канала. Вследствие этого увеличиваются толщина запирающего слоя и сопротивление канала в области, прилегающей к стоку,   это приводит к замедлению возрастания самого тока I_С. При напряжении насыщения U_СИ = U_ЗИ0 сечение канала вблизи стока приближается к нулю и рост I_С прекращается.

42.Основные параметры полевого транзистора с управляемым p-n переходом

Это ПП прибор, работа которого обусловлена током основных носителей заряда протекающим через проводящий канал, сопротивление которого модулируется (управляется) электрическим полем.

Основными параметрами является:

13. ток стока в области насыщения

14. крутизна характеристик S=(0.3…3)мА/В

15. Дифференциальное сопротивление стока

16. коэффициент усиления напряжения

17. Емкость

43.Соотношения между параметрами полевого транзистора с управляемым p-n переходом

Это ПП прибор, работа которого обусловлена током основных носителей заряда протекающим через проводящий канал, сопротивление которого модулируется (управляется) электрическим полем.

Основными параметрами является:

18. ток стока в области насыщения

19. крутизна характеристик S=(0.3…3)мА/В

20. Дифференциальное сопротивление стока

21. коэффициент усиления напряжения

22. Емкость

44.Эквивалентные схемы полевого транзистора для переменного тока.

эквивалентная схема полевого транзистора, основным элементом этой схемы, характеризующим усилительные свойства прибора, является зависимый генератор тока SUз. Частотные и импульсные характеристики транзистора определяются емкостями электродов: затвор - сток Cзи, затвор - сток Cзс, сток - исток Cзи. Емкости Cзи и Cзс зависят от площади затвора и степени легирования канала, емкость Cзс - самая маленькая среди рассмотренных.

Rз = 10^10 Ом; Rсиdif =(0.1-1) МОм; Rэкв=(50-800) Ом; Сз=(0.2-10) мкФ.