
- •Введение.
- •1. Кремний.
- •2. Методы получения монокристаллических материалов.
- •2.1. Получение кристаллов из твёрдой фазы.
- •2.2. Получение кристаллов из жидкой фазы.
- •Выращивание кристаллов из расплавов.
- •Выращивание кристаллов из растворов.
- •2.3. Получение кристаллов из газовой фазы.
- •3. Материалы, использующиеся при производстве монокристаллического кремния методом Чохральского.
- •3.1. Легирующие примеси.
- •3.2. Основные конструкционные и технологические материалы.
- •4. Пооперационное описание технологии выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского.
- •Подготовка и компоновка сырья.
- •Чистка камеры печи.
- •Сборка оснастки печи.
- •Вакуумирование камеры и проверка на герметичность.
- •Расплавление загрузки и выдержка расплава.
- •Затравление и разращивание прямого конуса.
- •Выращивание цилиндрической части слитка.
- •Приостановка процесса роста.
- •Выращивание обратного конуса.
- •Охлаждение слитка и выгрузка из камеры печи.
- •Контроль качества выращенного слитка и доводка до готовой продукции.
- •5. Технологические неоднородности состава кристаллов и методы их уменьшения.
- •6. Оборудование, используемое при выращивании монокристаллического кремния методом Чохральского.
- •7. Управление технологическим процессом выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского.
- •Выбор управляющих воздействий.
- •8. Статистический анализ процессов.
- •Диаграмма Ишикавы.
- •Диаграмма Парето.
- •8.1. Подбор оптимального режима выращивания монокристаллов кремния.
- •8.2. Корректировка режимов при переходе на новую технологическую оснастку.
- •Основные результаты и выводы.
4. Пооперационное описание технологии выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского.
На рис.3 показана технологическая схема выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского.
Подготовка и компоновка сырья.
Подготовка сырья имеет целью снизить количество нежелательных примесей (металлы, углерод, органические вещества и т.д.) в исходном сырье и уменьшить их влияние на процесс роста и на характеристики выращенного слитка, определить тип и концентрацию легирующей примеси в исходном материале (путём измерения типа электропроводности и удельного электрического сопротивления), добавить, если требуется, в загрузку необходимое количество легирующей примеси.
Первым этапом обработки сырья является отделение инородных включений на станках ручной резки алмазным инструментом, который заключается в предварительной сортировке сырья и отделении кусков фракций, содержащих включения, посторонние вещества и предметы. Затем сырьё режут или раскалывают, удаляют поверхностные загрязнения с помощью химической обработки или ультразвуковой отмывки в ваннах с последующей сушкой. Далее сырьё поступает на операцию компоновки для составления мерных загрузок для выращивания кристаллов кремния определенного веса из сырья с известным номиналом УЭС и типом примеси, и ее легирование на заданную марку. Расчет среднего УЭС загрузки производится по формуле (4):
, (4)
где m – массы кусков или входящих в загрузку партий сырья;
ρ – средние УЭС кусков или входящих в загрузку партий сырья.
Расчет веса лигатуры производится электронной вычислительной машиной по специальной программе. В основе расчета лежит указанная выше формула и дополнительные поправочные коэффициенты, учитывающие результаты предшествующих плавок. Исходными данными для расчета являются вес загрузки; тип электропроводности и УЭС ее составляющих; заданное УЭС верхнего торца слитка; УЭС лигатуры.
В зависимости от вида сырье подвергается различным операциям, порядок и очерёдность которых зависит от типа и степени загрязнённости.
ВЫРАЩИВАНИЕ
СЛИТКОВ.
Целью этапа является получение слитков кремния с параметрами, отвечающими имеющимся техническим требованиям. Процесс выращивания слитков включает в себя следующие операции: чистка камеры печи; сборка оснастки печи; укладка скомпонованной загрузки в кварцевый тигель и установка его в камеру печи; вакуумирование камеры и проверка на герметичность; расплавление загрузки и выдержка расплава; дозагрузка сырья (производится на установках оснащенных необходимым оборудованием); затравление и разращивание прямого конуса; выращивание цилиндрической части слитка; приостановка процесса роста (производится на установках, оснащенных необходимым оборудованием, в случае необходимости изъятия шайбы, спутника или готового слитка, иных случаях); выращивание обратного конуса; охлаждение слитка в камере печи и выгрузка слитка из камеры; отжиг камеры и графитовой оснастки.
Чистка камеры печи.
Цель - удаление из камеры и фильтра (фильтров), печи моноокиси и карбида кремния, иных соединений, осевших на холодных частях печи, продуктов разрушения графитовой оснастки, тигельного остатка и остатков кварцевого тигля, образовавшихся при проведении предыдущих процессов. Сухая чистка с полной разборкой теплового узла выполняется перед отжигом и после него, если при осмотре на стенках камеры обнаружены следы масла; перед пуском печи в эксплуатацию после аварийного завершения процесса и после ремонтов, связанных с вакуумной системой печи.