4.3.2. Агротехніка вирощування, сівозміни, обробіток грунту та

Породи	Час посіву	Глибина загортання насіння, см	Підготовка насіння до посіву
1	2	3	4
Сосна звичайна	весна	0,5-1,5	Снігування 1-2 місяці, намочування в 0,03% розчині кобальту, протруювання ТМТД або фентиурамом, БМК.
Липа дрібнолиста	весна	-	Намочування у воді 8-10 днів, стратифікація 30 днів, снігування 60-90 днів. Протруювання ТМТД.
Горобина звичайна	рання весна	1,5-2,0	Намочування у воді 8-10 днів. Стратифікація 3 місяці.
	весна	0,5-1,5	Стратифікація 6 місяців.
Калина звичайна	весна	6-8	Протруювання ТМТД або фентиурамом.
	осінь		Без підготовки, насінням поточного року.
	весна	2-3	Стратифікація 6 місяців.
Яблуня, груша	весна	2-3	Стратифікація 6 місяців.
Дуб звичайний	весна осінь	5-8	Протруювання ТМТД. Без підготовки, насінням поточного року.
Клен гостролистий	весна	3-4	Намочування у воді 1 день і стратифікація 1,5-2 місяці або снігування.
Бузина червона	осінь	-	Без підготовки, насінням поточного року.
	весна	0,5-1,5	Стратифікація 6 місяців.
Аронія	весна	1-2	Протруювання 0,5% KМnO4 протягом 2 годин, і стратифікація 2 місяці.
Вишня	весна	1-2	Стратифікація 1,5-3 місяці.
Ялина звичайна	осінь	-	Без підготовки, насінням поточного року.
	весна	3-4	Протруювання 0,5% KМnO4 протягом 2 годин, і стратифікація 6 місяців.
Шипшина	весна пізня	0,5-2,0	Намочування в сніговій воді 1 день або в 0,5% розчині KМnO4 2 години, снігування 30-45 днів, намочування в 0,03% розчинах кобальту або міді.

До появи сходів проводиться розпушування поверхні ґрунту легкими боронами, коткування, мульчування посівів, з метою попередження утворення ґрунтової кірки, появі дружніх сходів, збереження вологи в ґрунті.

Завдяки коткуванню поліпшуються умови зволоження у верхньому горизонті ґрунту завдяки підняттю вологи з нижніх горизонтів. Мульчування сприяє збереженню вологи у верхньому шарі ґрунту, перешкоджає надмірному його ущільненню й утворенню ґрунтової кірки.

Після появи сходів проводяться догляди за посівами, метою яких є створити найсприятливіші умови для їх росту. Основними видами догляду, які проводяться на розсаднику є: прополювання бур'янів, розпушування ґрунту, боротьба з шкідниками та хворобами. Затінення посівів не проводиться. При вирощуванні сіянців у перший рік проводять 5-6 доглядів, на другий рік - 3-4 догляди. Догляди проводяться механізовано (культивація) та вручну (просапування), але не завжди дотримуються запроектованої кількості. Боротьба з шкідниками та хворобами лісу проводиться шляхом передпосівного протруювання насіння 0,5% розчином марганцево- кислого калію.

Викопування садивного матеріалу проводиться восени, або весною плугом ВПН-2.

В основному заходи по догляду за посівами на розсаднику проводяться, але потрібно відмітити, що деякі із основних заходів проводяться в недостатніх обсягах або зовсім не проводяться, наприклад підживлення в період посиленого росту. Потрібно також забезпечити підрізку коріння, щоб формувалась компактна коренева система.

Сівозміни в розсаднику.

Сівозміни в розсаднику є основою впровадження високої агротехніки, відновлення структурного стану та підвищення родючості ґрунту. Вони сприяють поліпшенню фізичних властивостей ґрунту нагромадженню вологи та очищенню полів від бур'янів. Система сівозмін в розсаднику була запроектована досить вдало, але в даний час в жодному з існуючих розсадників сівозміна не проводиться. Це пов’язано з тим, що садивний матеріал вирощують на невеликих площах.

Підготовка ґрунту.

При виробництві садивного матеріалу в даному розсаднику обробіток грунту проводиться за системою зяблевої оранки. При проведенні обробітку грунту покращуються агрофізичні властивості, водний, повітряний і тепловий режими в ґрунті, а також проходить знищення бур'янів та шкідників на полях.

Глибина основного обробітку грунту встановлюється в залежності від призначення даної площі та місцевих умов. В посівному відділенні розсадника обробіток грунту проводять на глибину 20-22 см. Оранка проводиться плугом з передплужником.

Підготовка ґрунту в полях, що вийшли з-під сіянців проводиться по системі зяблевого обробітку. Зяблева підготовка ґрунту полягає в лущенні, осінній оранці і весняному боронуванні. Лущення або рихлення поверхневого горизонту ґрунту проводиться на глибину 4-7 см. Через два тижні після лущення грунт переорюється на глибину орного шару. Зораний ґрунт лишається на зиму. Ранньою весною проводиться боронування з метою збереження вологи і вирівнювання поверхневого шару ґрунту.

Серед недоліків виконуваних робіт слід зазначити невчасність або взагалі невиконання, окремих робіт, що передбачені даною системою, зокрема: не рідкі випадки не виконання лущення грунту, що призводить до забур’янення полів, не завжди або невчасно виконується весняне закриття вологи, що призводить до значної її втрати вологи в грунті в період посіву (посадки). З метою запобігання та усунення вищеназваних недоліків необхідно більш відповідально виконувати планування робіт. Також при виконанні робіт по обробітку грунту необхідно звернути більше уваги відносно якості та ефективності запланованих заходів.

Система внесення добрив.

Під час викопування садивного матеріалу з розсадника видаляються всі стебла, майже всі корені та навіть частково ґрунт з гумусового горизонту, який налипає на кореневій системі. Це призводить до виснаження родючого шару грунту. Тобто значна кількість поживних речовин виноситься з ґрунту розсадника.

Тому нестачу поживних елементів в ґрунті усувають шляхом внесення добрив. В першу чергу ґрунти потребують внесення органічних добрив. Для збагачення грунту органічними речовинами передбачено внесення “зелених” добрив шляхом вирощування та приорювання в зеленому виді люпину однорічного. Дана суміш збагачує грунт доступним для рослин азотом, але оскільки в розсаднику сівозміни не застосовуються, то і внесення добрив не проводиться.

Для підсилення росту однорічних сіянців запроектовано підживлення розчином мінеральних добрив, однак його теж не проводять. В період інтенсивного росту садивного матеріалу рекомендується проводити кореневе підживлення шляхом внесення суперфосфату і калійних солей концентрацією 2 – 5 % одночасно із проведенням культивацій .