Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
BT.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
15.07.2019
Размер:
295.94 Кб
Скачать

Статические характеристики биполярного транзистора.

Для каждой схемы включения транзистора вводятся свои семейства статических характеристик, которые приводятся в справочниках. Эти семейства позволяют правильно выбрать рабочий режим транзистора и обеспечить наиболее эффективное использование его возможностей. Из всех статических характеристик наиболее важными являются входные, связывающие ток и напряжение на входе и выходные, связывающие ток и напряжение на выходе транзистора.

Для схемы с ОБ входной статической характеристикой является зависимость Iэ = f(Uэб) при Uкб = const, а для схемы с ОЭ – зависимость Iб = f(Uбэ) при Uкэ = const.

Общий характер входных характеристик определяется p-n переходом, который включён в прямом направлении. Поэтому по внешнему виду входные характеристики похожи на прямые ветви ВАХ диода и имеют экспоненциальный характер (рис. 2.5)

I э Iб

Uкэ=0

Uкб>0 Uкб = 0

Uкэ>0

Uэб Uбэ

б)

a)

Рис. 2.5. Входные характеристики в схемах с ОБ (а) и с ОЭ (б).

С увеличением обратного напряжения на коллекторе характеристика смещается влево в схеме с ОБ и вправо в схеме с ОЭ. Сдвиг характеристик объясняется эффектом модуляции ширины базы: при увеличении коллекторного напряжения ширина коллекторного перехода увеличивается, причём в основном в сторону базы. При этом ширина базы уменьшается, уменьшается и базовый ток (из-за уменьшения рекомбинации носителей), и характеристики в схеме с ОЭ идут правее. Ток эмиттера увеличивается (возрастает градиент концентрации неосновных носителей в базе), и характеристики в схеме с ОБ идут левее.

Выходной статической характеристикой в схеме с ОБ является зависимость Iк = f(Uкб) при Iэ = const, а в схеме с ОЭ – зависимость Iк = f(Uкэ) при Iб=const.

Выходные характеристики по своему виду аналогичны обратной ветви ВАХ диода, так как коллекторный переход включён в обратном направлении. При построении характеристик вправо принято откладывать обратное напряжение коллектора (рис. 2.6):

Iэ3 > Iэ2 > Iэ1

Iк Iк

Iэ3

Iб2

Iэ2

Iб1

Iэ1

Iб=0

Iкэо

Iкбо

Iэ =0

Iб = -Iкбо

Uкэ

Uкб

а) б)

Рис. 2.6. Выходные характеристики в схемах с ОБ (а) и с ОЭ (б).

В схеме с ОБ участки характеристики, соответствующие активному режиму, проходят почти параллельно оси абсцисс. В этой области зависимость между коллекторным и эмиттерным токами определяется соотношением:

Когда Iэ = 0 (цепь эмиттера оборвана), выходная характеристика – это характеристика обратно смещённого коллекторного перехода. При включении эмиттерного перехода в прямом направлении возникает инжекция носителей, и выходные характеристики сдвигаются вверх на величину (Iэ2 - Iэ1) и влево.

Выходные характеристики в схеме с ОЭ имеют заметный угол наклона, что свидетельствует о большей зависимости Iк от напряжения коллектора по сравнению со схемой с ОБ.

Общий характер зависимостей (рис. 2.6, б) свидетельствует о том, что между коллекторным и базовым токами имеется следующая зависимость:

где Iкэо – сквозной ток коллектора, определяемый при Iб = 0 (обрыв базы). Ток Iкэо в +1 раз больше тока Iкбо, так как при Еб = 0 часть напряжения Ек оказывается приложенным к эмиттерному переходу, смещая его в прямом направлении. Таким образом, Iкэо = (+1)Iкбо – достаточно большой ток, и во избежание нарушения работы транзистора не следует разрывать цепь базы.

При увеличении тока базы возрастает и величина тока коллектора на величину (Iб2 – Iб1), и характеристики смещаются вверх.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]