Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
BT.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
15.07.2019
Размер:
295.94 Кб
Скачать

Задания к лабораторной работе.

I. Исследование транзистора, включённого по схеме с общей базой.

Лабораторные исследования выполняются на плате П4 с технологической картой 2.4. Инструкции по выполнению задания приведены на технологической карте.

Задание 1(номер 1 на технологической карте) Снять семейство статических входных характеристик транзистора при трёх значениях коллекторного напряжения: Uкб = 0 и двух Uкб  0. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1

Uкб = 0

Uкб1

Uкб2

Iэ, мА

Uэб, В

Iэ, мА

Uэб, В

Iэ, мА

Uэб, В

Задание 2 (номер 2 на технологической карте). Снять семейство статических выходных характеристик транзистора при трёх значениях тока эмиттера. Результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2

Iэ1

Iэ2

Iэ3

Iк , мА

Uкб , В

Iк , мА

Uкб , В

Iк , мА

Uкб , В

Задание 3 По данным таблиц 1 и 2 построить семейства входных и выходных характеристик транзистора, включённого по схеме с ОБ.

Задание 4 На полученных семействах входных и выходных характеристик выполнить построения для расчёта h-параметров транзистора. Выполнить расчёты h-параметров, оценить их значения. Сравнить расчётные значения h-параметров со справочными.

II. Исследование транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.

Лабораторные исследования выполняются на плате П5 с технологической картой 2.5. Инструкции по выполнению задания приведены на технологической карте.

Задание 1(номер 1 на технологической карте) Снять семейство статических входных характеристик транзистора при трёх значениях коллекторного напряжения: Uкэ= 0 и двух Uкэ  0. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1

Uкэ = 0

Uкэ1

Uкэ2

Iб, мкА

Uэб, В

Iб , мкА

Uэб , В

Iб , мкА,

Uэб , В

Задание 2 (номер 2 на технологической карте) Снять семейство статических выходных характеристик транзистора при трёх значениях тока эмиттера. Результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2

Iб1

Iб2

Iб3

Iк , мА

Uкэ , В

Iк , мА

Uкэ , В

Iк , мА

Uкэ , В

Задание 3 По данным таблиц 1 и 2 построить семейства входных и выходных характеристик транзистора, включённого по схеме с ОЭ.

Задание 4 На полученных семействах входных и выходных характеристик выполнить построения для расчёта h-параметров транзистора. Выполнить расчёты h-параметров, оценить их значения. Сравнить расчётные значения h-параметров со справочными. Сравнить h-параметры транзистора в схеме включения с ОБ и с ОЭ. Объяснить полученные результаты.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]