Задания к лабораторной работе.

I. Исследование транзистора, включённого по схеме с общей базой.

Лабораторные исследования выполняются на плате П4 с технологической картой 2.4. Инструкции по выполнению задания приведены на технологической карте.

Задание 1(номер 1 на технологической карте) Снять семейство статических входных характеристик транзистора при трёх значениях коллекторного напряжения: U_кб = 0 и двух U_кб  0. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1

Uкб = 0		Uкб1		Uкб2
Iэ, мА	Uэб, В	Iэ, мА	Uэб, В	Iэ, мА	Uэб, В

Задание 2 (номер 2 на технологической карте). Снять семейство статических выходных характеристик транзистора при трёх значениях тока эмиттера. Результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2

Iэ1		Iэ2		Iэ3
Iк , мА	Uкб , В	Iк , мА	Uкб , В	Iк , мА	Uкб , В

Задание 3 По данным таблиц 1 и 2 построить семейства входных и выходных характеристик транзистора, включённого по схеме с ОБ.

Задание 4 На полученных семействах входных и выходных характеристик выполнить построения для расчёта h-параметров транзистора. Выполнить расчёты h-параметров, оценить их значения. Сравнить расчётные значения h-параметров со справочными.

II. Исследование транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.

Лабораторные исследования выполняются на плате П5 с технологической картой 2.5. Инструкции по выполнению задания приведены на технологической карте.

Задание 1(номер 1 на технологической карте) Снять семейство статических входных характеристик транзистора при трёх значениях коллекторного напряжения: U_кэ= 0 и двух U_кэ  0. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1

Uкэ = 0		Uкэ1		Uкэ2
Iб, мкА	Uэб, В	Iб , мкА	Uэб , В	Iб , мкА,	Uэб , В

Задание 2 (номер 2 на технологической карте) Снять семейство статических выходных характеристик транзистора при трёх значениях тока эмиттера. Результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2

Iб1		Iб2		Iб3
Iк , мА	Uкэ , В	Iк , мА	Uкэ , В	Iк , мА	Uкэ , В

Задание 3 По данным таблиц 1 и 2 построить семейства входных и выходных характеристик транзистора, включённого по схеме с ОЭ.

Задание 4 На полученных семействах входных и выходных характеристик выполнить построения для расчёта h-параметров транзистора. Выполнить расчёты h-параметров, оценить их значения. Сравнить расчётные значения h-параметров со справочными. Сравнить h-параметры транзистора в схеме включения с ОБ и с ОЭ. Объяснить полученные результаты.