- •1. Использование металлов в радиоэлектронных устройствах.
- •2. Жидкие кристаллы
- •3. Классификация веществ по магнитным свойствам Основные характеристики магнитных материалов
- •1. Электрические свойства металлов.
- •2. Сегнетоэлектрики, применение в электронике.
- •3. Магнитотвёрдые материалы Основные характеристики.
- •1. Технические показатели тепловых свойств металлов.
- •2. Собственные и примесные полупроводники. Виды носителей зарядов в полупроводниках.
- •3. Поляризация диэлектриков.
- •1. Механические свойства металлов.
- •2. Температурная зависимость удельной проводимости полупроводников.
- •3. Строение и основные свойства полимеров.
- •1. Совместимость металлов. Контактные явления и термоэлектродвижущая сила.
- •2. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
- •3. Оптические и лазерные материалы.
- •1. Причины возникновения коррозии металлов
- •2. Жидкие кристаллы. Основные электрические свойства.
- •3. Классификация магнитных материалов. Основные характеристики магнитных материалов.
- •1. Материалы высокой проводимости.
- •2. Пироэлектрики. Основные электрические свойства
- •3. Классификация материалов. Виды химической связи.
- •3) Металлическая связь
- •1. Сплавы высокого сопротивления.
- •2. Классификация диэлектриков. Основные характеристики диэлектриков.
- •3. Магнитомягкие материалы для постоянных и низкочастотных магнитных полей.
- •1. Электретные состояния в диэлектриках. Приведите примеры практического использования электретов.
- •2. Термоэлектрические эффекты в полупроводниках.
- •3. Неметаллические проводящие материалы.
- •1. Основные свойства полимеров. Особенности строения полимеров.
- •2. Сверхпроводники и их практическое использование.
- •3. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
- •1. Электрофизические параметры изоляционных материалов
- •2. Аморфные металлические сплавы
- •3. Классификация полупроводниковых материалов
- •1. Электрические свойства изоляционных материалов.
- •2. Особенности строения твёрдых тел. Элементы зонной теории твёрдого тела.
- •3. Магнитомягкие материалы для высокочастотных электромагнитных полей.
- •1. Композиционные порошковые пластмассы и слоистые пластики.
- •2. Сопротивление проводников на высоких частотах.
- •3. Процессы при намагничивании ферромагнетиков.
- •Билет № 13
- •1. Токи смещения и электропроводность диэлектриков..
- •2. Основные свойства германия и кремния. Практическое использование в радиоэлектронике.
- •3. Поведение ферримагнетиков в переменных магнитных полях.
- •2. Материалы высокой проводимости.
- •3. Магнитные материалы специализированного назначения.
- •Билет № 15
- •1) Пьезоэлектрические материалы и их электрофизические параметры.
- •2) Оптические и лазерные материалы.
- •3) Доменные структуры в тонких магнитных плёнках.
3. Магнитотвёрдые материалы Основные характеристики.
Классификация и свойства. Магнитотвердые материалы отличаются от магнитомягких высокой коэрцитивной силой. Площадь гистерезисной петли у магнитотвердых материалов значительно больше, чем у магнитомягких.
По применению магнитотвердые материалы можно подразделить на материалы для постоянных магнитов и материалы для записи и длительного хранения звука, изображения и т. п.
Магнитные цепи с постоянными магнитами должны быть разомкнутыми, т. е. иметь рабочий воздушный зазор. Магнитный поток в зазоре возникает после предварительного намагничивания материала в сильном магнитном поле. Свойства магнитотвердых материалов характеризуются кривой размагничивания, которая является участком предельной гистерезисной петли (рис. 10.17). При наличии зазора за счет свободных полюсов создается внутреннее размагничивающее поле Hd , которое уменьшает индукцию внутри магнита до значения Вd. Положение рабочей точки, характеризующей состояние магнитного материала, зависит от величины зазора.
При отсутствии внешнего магнитного поля макроскопические токи отсутствуют. В соответствии с законом полного тока Hdl=0.
Это справедливо для любого контура интегрирования, в частности, вдоль пути по всей оси магнита. Отсюда следует, что HdLd-0L0=0, где1d и 10 —длины магнита и воздушного зазора соответственно; H0 — напряженность магнитного поля в зазоре.
Важнейшее требование к постоянному магниту состоит в том, чтобы получить максимальную магнитную энергию Э0 в рабочем зазоре.
Чтобы получить высокую коэрцитивную силу в магнитном материале, необходимо затруднить процесс перемагничивания. Это можно осуществить двумя путями: либо воспрепятствовать смещению доменных границ, либо вообще исключить эти границы, уменьшая размер кристаллических зерен. Препятствиями к легкому смещению доменных границ под действием внешнего магнитного поля являются внутренние механические напряжения, посторонние включения или высокая магнитострикция. Большая коэрцитивная сила возникает в материале состоящем из однодоменных частиц, у которых велика энергия магнитной кристаллографической анизотропии или анизотропии формы.
Билет 3
1. Технические показатели тепловых свойств металлов.
Теплоемкость – количество теплоты, необходимое для нагревания единицы массы металла на 1 градус.
Тепловое расширение – изменение размеров твердого тела при изменении его температуры.
Теплопроводность – перенос теплоты от более нагретых частей к менее нагретым.
Фазовые переходы – изменение агрегатного состоянии металла при изменении температуры. Определяется температурами плавления и кипения. Все металлы делятся на легко- и туго плавкие.
2. Собственные и примесные полупроводники. Виды носителей зарядов в полупроводниках.
Собственный полупроводник – такой полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре. При нуле по кельвину собственный полупроводник ведет себя как диэлектрик, т.к. все электроны находятся в валентной зоне (на орбиталях). При повышении температуры существует вероятность, что электрон покинет атом и окажется в зоне проводимости. Тогда образуется пара «электрон-дырка», которые принимают участие в образовании тока через полупроводник при наличии поля. Дырки и электроны непрерывно появляются и рекомбинируют. Уровень ферми – энергетический уровень, вероятность нахождения электрона на котором составляет 50% . В собственном полупроводнике уровень ферми находится посередине между зонами проводимости и валентной зоной.
Примесный полупроводник – полупроводник, свойства которого определяются примесями. Примеси, поставляющие электроны в зону проводимости, называются донорами, а полупроводники с такими примесями – полупроводниками n типа. Примеси с незаполненными электронными уровнями называются акцепторами, а полупроводники с такими примесями – полупроводниками p типа. Таким образом, в полупроводниках два вида зарядов – электроны и дырки. Создать донорную или акцепторную проводимость можно, внеся примесь с большим или меньшим количеством электронов на внешнем уровне, чем у основного полупроводника. Заряды, концентрация которых больше, называются основными, концентрация которых меньше – неосновными. Если идти от 0 кельвинов на повышение температуры, первыми перейдут в зону проводимости примесные заряды. Так, при комнатной температуре преобладают примесные заряды. А при повышении температуры значительную роль привносят собственные заряды. Уровень Ферми для n п-проводника сдвинут к зане проводимости, для p п-проводника – к валентной зоне.