- •1. Использование металлов в радиоэлектронных устройствах.
- •2. Жидкие кристаллы
- •3. Классификация веществ по магнитным свойствам Основные характеристики магнитных материалов
- •1. Электрические свойства металлов.
- •2. Сегнетоэлектрики, применение в электронике.
- •3. Магнитотвёрдые материалы Основные характеристики.
- •1. Технические показатели тепловых свойств металлов.
- •2. Собственные и примесные полупроводники. Виды носителей зарядов в полупроводниках.
- •3. Поляризация диэлектриков.
- •1. Механические свойства металлов.
- •2. Температурная зависимость удельной проводимости полупроводников.
- •3. Строение и основные свойства полимеров.
- •1. Совместимость металлов. Контактные явления и термоэлектродвижущая сила.
- •2. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
- •3. Оптические и лазерные материалы.
- •1. Причины возникновения коррозии металлов
- •2. Жидкие кристаллы. Основные электрические свойства.
- •3. Классификация магнитных материалов. Основные характеристики магнитных материалов.
- •1. Материалы высокой проводимости.
- •2. Пироэлектрики. Основные электрические свойства
- •3. Классификация материалов. Виды химической связи.
- •3) Металлическая связь
- •1. Сплавы высокого сопротивления.
- •2. Классификация диэлектриков. Основные характеристики диэлектриков.
- •3. Магнитомягкие материалы для постоянных и низкочастотных магнитных полей.
- •1. Электретные состояния в диэлектриках. Приведите примеры практического использования электретов.
- •2. Термоэлектрические эффекты в полупроводниках.
- •3. Неметаллические проводящие материалы.
- •1. Основные свойства полимеров. Особенности строения полимеров.
- •2. Сверхпроводники и их практическое использование.
- •3. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
- •1. Электрофизические параметры изоляционных материалов
- •2. Аморфные металлические сплавы
- •3. Классификация полупроводниковых материалов
- •1. Электрические свойства изоляционных материалов.
- •2. Особенности строения твёрдых тел. Элементы зонной теории твёрдого тела.
- •3. Магнитомягкие материалы для высокочастотных электромагнитных полей.
- •1. Композиционные порошковые пластмассы и слоистые пластики.
- •2. Сопротивление проводников на высоких частотах.
- •3. Процессы при намагничивании ферромагнетиков.
- •Билет № 13
- •1. Токи смещения и электропроводность диэлектриков..
- •2. Основные свойства германия и кремния. Практическое использование в радиоэлектронике.
- •3. Поведение ферримагнетиков в переменных магнитных полях.
- •2. Материалы высокой проводимости.
- •3. Магнитные материалы специализированного назначения.
- •Билет № 15
- •1) Пьезоэлектрические материалы и их электрофизические параметры.
- •2) Оптические и лазерные материалы.
- •3) Доменные структуры в тонких магнитных плёнках.
3. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках.
Все многообразие оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках можно свести к следующим основным:
– поглощение света и фотопроводимость;
– фотоэффект в p-n переходе;
– электролюминесценция;
– стимулированное когерентное излучение.
Фотопроводимость. Фоторезистивный эффект
Явлением фотопроводимости называется увеличение электропроводности полупроводника под воздействием электромагнитного излучения.
При освещении полупроводника в нем происходит генерация электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости.
Поскольку основным следствием поглощения энергии света в полупроводнике является перевод электронов из валентной зоны в зону проводимости, т.е. междузонный переход, то энергия кванта света фотона
для германия граничная длина волны составляет примерно 1.8 мкм. Однако спад фотопроводимости наблюдается и в области малых длин волн. Это объясняется быстрым увеличением поглощения энергии с частотой и уменьшением глубины проникновения падющей на полупроводник электромагнитной энергии. Поглощение происходит в тонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Фоторезисторы Фоторезисторами называют полупроводниковые приборы, проводимость которых меняется под действием света. Основными характеристиками фоторезисторов являются: Вольтамперная, характеризующая зависимость фототока. Частотная. Основные параметры фоторезисторов: Рабочее напряжение, Максимально допустимое напряжение фоторезистора U max – максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к фоторезистору, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе в заданных эксплуатационных условиях.
Темновое сопротивление Rт – сопротивление фоторезистора в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Световое сопротивление Rс – сопротивление фоторезистора, измеренное через определенный интервал времени после начала воздействия излучения, создающего на нем освещенность заданного значения.
Допустимая мощность рассеяния – мощность, при которой не наступает необратимых изменений параметров фоторезистора в процессе его эксплуатации.
Общий ток фоторезистора – ток, состоящий из темнового тока и фототока.
Фототок – ток, протекающий через фоторезистор при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.
В качестве материалов для фоторезисторов широко используются сульфиды, селениды и теллуриды различных элементов, а также соединения типа A III B V . Применение фоторезисторов
В последние годы фоторезисторы широко применяются во многих отраслях науки и техники. Это объясняется их высокой чувствительностью, простотой конструкции, малыми габаритами и значительной допустимой мощностью рассеяния. Значительный интерес представляет использование фоторезисторов в оптоэлектронике.
Билет 10