Основные параметры антенны
Действующая высота антенны.
Рассмотрим
участок антенны длинной 
Рассмотрим
какой же 
в антенне.
;
;
.
Как связан этот ток с напряженностью вблизи антенны?
антенны
действующая
высота антенны–это
самый
важный
параметр.
Рассмотренная антенна называется полупроводниковым вибратором
Рассмотрим
для этой антенны:
действующая
высота полупроводникового вибратора.
Рассчитаем для четвертьволнового вибратора
Результат получится такой же:
Напряженность
электрического поля на расстоянии
от
антенны.
, а коэффициент пропорциональности зависит от условий распространения волн.
Сопротивление излучения.
Мощность
поступающая на антенну расходуется
на
мощность потери 
излучаемая
мощность
(действующее
значение)
Получим:
сопротивление
излучения
КПД антенны
Отношение
Направленность излучения антенны.
Для этого строят диаграммы направленности - это графики которые характеризуют излучение антенны в данном направлении. Их строят в полярных координатах, т. е. абсолютная величина сигнала от угла. Диаграммы строят в двух плоскостях, (вертикальной и горизонтальной).
Для полуволновой антенны:
Вертикальная направленность Горизонтальная направленность.
Во все стороны антенна излучает одинаково.
Как можно влиять на диаграммы?
Пусть у нас есть антенна.
Пассивный вибратор – называется рефлектором.
Вся система называется вибратор с рефлектором.
Тогда вся система будет излучать в одном направлении.
Рассмотрим другой случай.
Вибратор называют дилектором.
Характеристики антенны на излучение и прием абсолютно одинаковы
М
ожно
поставить конденсатор, чтобы управлять
частотой излучения.
1)
2) 3)
Полупроводниковые приборы.
(Принцип работы - использование электронно-дырочного перехода)
Электронно-дырочный переход (p-n переход).
П
од
p-n переходом
понимают внутреннюю область монокристалла,
в которой граничат области электронной
и дырочной проводимости.
При равновесии: p*n~
(концентрация)
Диффузия : дырки Р: из р в n
электроны N: из n в p
После диффузии в n-области положительно заряженные ионы
в p-области
отрицательно заряженные ионы
– концентрация донорных атомов ( в
полупроводниках
n-типа)
= 
– концентрация электронов
– концентрация акцепторных атомов ( в
полупроводниках p-типа)
= 
– концентрация дырок
ρ – плотность объемного заряда.
E – напряженность электрического поля
φ – контактная разность потенциалов
E=-grad φ
Дырочная плотность
тока: 
= |e|*p*
,
е – заряд, р – концентрация дырок,
- скорость дырок.
Электронная
плотность тока: 
= |e|*n*
,
е – заряд, n
– концентрация электронов,
– скорость электронов.
Общий диффузный
ток: 
= 
+ 
=
+
→ “+”, т.к. заряды противоположны и
их скорости противоположны.
В “n” остаются положительно заряженные ионы, а в “p” остаются отрицательно заряженные ионы.
После разделения
заряда появляется электрическое поле,
которое называется контактным. (
)
– препятствует переходу основных
носителей, но способствует переходу
неосновных, т.е. дырок из “n”
в “p”
и электронов из “p”
в “n”
область.
Такой ток
называется дрейфовым током. (
)
= 
+ 
В равновесии общий ток:
j
= 
+
или
j = -
В состоянии равновесия общий ток равен 0 (нулю).
Вспомним з-н Ома: j = ρ*E.
– плотность объемного заряда
E – напряженность электрического поля
φ – контактный потенциал (E=-grad φ)
Δ
- контактная разность потенциалов
Чтобы дырка поднялась на барьер, она должна обладать энергией
|e|* Δ
Вероятность того, что дырка преодолеет барьер
W = EXP(|e|* Δ /kT)
K
– постоянная Больцмана
Т –абсолютная температура
П
рямое
включение p-n
перехода.
уменьшает 
П
отенциальный
барьер (
)
уменьшается на величину приложенного
напряжения. Ширана перехода уменьшается.
~ exp(
)
При прямом включении течет диффузный ток.
= const (не зависит от приложенного напряжения)
,
– постоянная.
прямом включении течет только диффузный
ток.
Оценим 
при комнатной температуре.
K
= 0,86*
эВ 
- получим при разделении на 1,6*
= 
= 
при напряжении > 0,025 В дрейфовым
током можно пренебречь.
Обратное включение p-n перехода.
Внешнее
поле 
складывается с контактным 
.
p-n переход расширяется!
Основные носители
практически не могут преодолевать
потенциальный барьер, т.к. он увеличивается
на величину приложенного напряжения
,
через p-n
переход бежит только дрейфовый ток.
Вольт-амперная характеристика p-n перехода.
В
АХ
p-n
перехода резко нелинейна, т.е. не
подчиняется з-ну Ома нигде (j
= ρ*E).
2. Сопротивление р-n
перехода намного меньше чем в обратном.
3. При больших обратных напряжениях наблюдается пробой р-n перехода. Его сопротивление резко падает.