
- •1Основные задачи конструирования эвм.
- •3 Этапы разработки эвм и систем
- •3Техническая документация
- •5. Факторы, влияющие на работоспособность эва
- •7 Защита эва от механических воздействий
- •7 Защита эва от механических воздействий
- •9 Обеспечение тепловых режимов конструкций эва 23-26
- •11 Защита эва от климатических воздействий окружающей
- •11 Герметизация отдельных элементов, узлов, устройств или всей
- •11. Защита аппаратуры от воздействия влажности
- •.11 Защита от воздействия пыли
- •11Герметизация аппаратуры
- •15 Обеспечение надежности эва
- •17. Технологичность конструкции эвм. Критерии оценки. Естд, естпп.
- •20. Тонкопленочная технология: распыление материалов ионной бомбардировкой.
- •22.Методы контроля печатных плат. Виды дефектов печатных плат.
- •28 Классификация ис Классификация интегральных схем (ис)
- •Полупроводниковые микросхемы.
- •5.1. Понятие о структуре и топологии.
- •5.2. Цикл формирования топологических слоёв.
- •39. Технология изготовления полупроводниковых микросхем: эпитаксия.
- •42. Контроль и испытания эвм, оборудование, технология.
- •44 Принципы построения сапр
- •1. Цель создания сапр
- •2. Состав сапр
- •13.1. Термическое вакуумное напыление.
- •46. Технология изготовления полупроводниковых микросхем легирование методами ионной имплантации
- •Производство многослойных печатных плат
- •49 Тонкопленочная технология: получение конфигураций пленочных элементов.
- •50 Основные виды печатных плат и особенности их
- •51 Толстоплёночные технологии
39. Технология изготовления полупроводниковых микросхем: эпитаксия.
Технология полупроводниковых ннтегральпых микросхем
В технологии полупроводниковых интегральных микросхем отдельные элементы изготовляют путём направленного изменения свойств материала подложки легирующей примесью, выполняемое после компоновки элементов в определенной области на подложке, Затем элементы соединяют друг с другом тонкими проводниками. Базовой здесь является эпитаксиально-планарная технология. Поверхность монокристаллических кремниевых пластин окисляют и покрывают светочувствительным фоторезистом. При экспонировании через фотошаблон изменяют его химические свойства, полученные места теряют растворимость (негативный фоторезист). Затем окисленный слой травят в местах без фоторезиста и удаляют фоторезист. Через вскрытые окна легируют подложку из газовой среды на определённую глубину в зависимости от температуры и времени процесса, а окисный слой при этом действует как маска. Последующим окислением окна снова закрывают.
Повторяя операции окисления, селективного травления на основе фотолитографии и диффузии, которые совместно образуют планарную технологию, можно реализовать различные схемные элементы: диоды, транзисторы, сопротивления и ёмкости.
Эпитаксия
Эпитаксией называют выращивание тонких монокристаллических полупроводниковых плёнок на монокристаллической подложке. Наибольшее технологическое применение нашла химическая эпитаксия - высокотемпературный термохимический процесс. Кремний получают термическим разложением тетрахлорида кремния в атмосфере водорода при 1150-1250 С°
40. Регулировка и настройка ЭВМ, оборудование, технология.
Лекции
41.
Гибридно-пленочные микросхемы. Технология
изготовления
Рис. 2. Укрупненная схема технологического процесса изготовления гибридно-пленочных ИС.
Гибридно-плёночные микросхемы включают в себя плёночные пассивные элементы (резисторы и конденсаторы), коммутационные проводники, нанесённые непосредственно на подложку из изоляционного материала, и бескорпусные полупроводниковые кристаллы (транзисторы, диоды, диодные матрицы, несложные микросхемы), монтируемые на той же подложке. Пассивные элементы и проводники могут быть выполнены по тонкоплёночной или толстоплёночной технологии.
42. Контроль и испытания ЭВМ, оборудование, технология.
42. Контроль и испытания эвм, оборудование, технология.
Проводится испытание ЭВМ в составе устройств ввода и вывода, запоминающего устройства, арифметического устройства и т.д. Объектом испытаний считается ЭВМ в целом.
На испытания представлен один из нескольких каналов системы связи. В этом случае объектом испытаний является данный канал системы связи.
На испытания представляется партия телевизоров объемом N. Из N изделий делается выборка в n изделий, у которых определяются характеристики их свойств. На основании использования выборочных методов оценки и контроля результаты испытаний распространяются на всю партию из N телевизоров. В этом случае объектом испытаний является вся партия из N телевизоров.
Все используемые в производстве ЭВМ
технологические процессы можно разделить на следующие основные группы.
Первую группу составляют
технологические процессы производства ЭРЭ, ИМС, микросборок,
электронно-функциональных элементов, которые характеризуют массовым выпуском,
тщательностью
обработки конструкции, высоким уровнем технологичности и автоматизации
производства высокой надёжностью и низкой стоимостью.
Во вторую группу
входят технологические процессы изготовления элементов несущих конструкций,
видов и защитно-декоративных изделий (штамповка, литьё, прессование, точение,
фрезерование, электрофизические методы обработки и т.п.), которые заимствованы
из других, в основном машиностроительных, отраслей и приспособлены для
производства ЭВМ.
В третью группу
входят технологические процессы сборки и монтажа ЭВМ, которые занимают в общем
объёме производства от 50 до 70%. Для снижение длительности производственного
цикла осуществляется параллельная сборка модулей различных уровней и
комплексная автоматизация. Основные направления их совершенствования: повышение
плотности компоновки навесных элементов на печатные платы и плотность печатного
монтажа за счёт применения многослойных печатных плат на керамических и
полиимидных основаниях; широкое использование бескорпусных ИМС и ЭРЭ,
перспективных
технологий их монтажа, в частности монтажа «на поверхность» и
автоматизированного оборудования; разработка новых методов сборки и монтажа
модулей второго и последующих уровней; оптимизация количества операций
промежуточного контроля по экономическим критериям; разработка мер по
технологическому обеспечению надёжности электрических соединений.
Четвёртую группу составляют
технологические процессы контроля, регулировки и испытаний ЭВМ, которые
характеризуются применением высококвалифицированной рабочей силы, специальной
измерительной аппаратуры. От качества выполнения этих процессов во многом
зависит надёжность выпускаемых машин. Предварительный контроль и регулировка
функциональных параметров отдельных модулей позволяют сокращать время настройки
аппаратуры в целом. Перспективно широкое использование контролирующей и
диагностирующей аппаратуры, реализованной на микропроцессорах.
Во-первых, к изделиям ЭВМ относятся
устройства, работающие на различных принципах: электронные
(арифметико-логические устройства, устройства оперативной памяти и др.);
электромеханические (накопители на магнитных дисках, устройства печати и т.п.);
механические (стойки, рамы и т.д.). Данное обстоятельство усложняет выполнение
конструкторской документации.
Во-вторых, при проектировании стационарных
ЭВМ, как правило, используется модульный принцип конструирования, т.е.
применяется конкретное конструкционная система с модульной структурой. При этом
все несущие конструкции (стойки, рамы, панели, типовые элементы замены и т.п.)
создаются типовыми в виде базовых конструкций. Базовые конструкции имеют полные
комплекты конструкторских документов, проходят необходимые испытания и могут
быть номенклатурными изделиями. В этом случае возможно заимствование
конструкторской документации из предшествующих или параллельных разработок и
сокращение срока проектирования.
В-третьих, особенности изделий ЭВМ и методов
их проектирования (автоматизированное конструирование, использование САПР и
т.п.) привели к созданию ряда специфических конструкторских документов. К ним
относятся схемы алгоритмов, временные диаграммы, таблицы сигналов, таблицы
проверки параметров и др.
При автоматизированном конструировании
изделий ЭВМ основной комплект конструкторских документов, как правило, не
изменяется. Однако для обеспечения автоматизированного изготовления и контроля
изделий могут создаваться документы как в традиционном виде (на бумаге,
кальке), так и в нетрадиционном – на магнитных носителях (перфоленте, магнитной
ленте и т.п.).
Основными объектами стандартизации в ЭВМ
обычно являются: общие вопросы проектирования (терминология, технические
требования, технические условия, методы испытаний и др.); элементная база;
конструктивная и технологическая база и нормы проектирования; система
сопряжения устройств и обеспечение единства их интерфейсов; показатель
надёжности ЭВМ и их составных частей, методы определения показателей;
номенклатура и правила выполнения конструкторской документации; кодирование
информации на носителях и устройствах передачи данных, в документации; системы
математического обеспечения и программной документации и др.
Особое значение имеют: стандартизация
элементной и конструктивно-технологической базы, в частности установления
конструктивной модульности; унификация элементов конструкции; сокращение
номенклатуры применяемых ЭРЭ, материалов и др.; установление единых требований
эргономики, технической эстетики к монтажным деталям и связанным с ними
конструктивным элементам для придания конструкциям ЭВМ и их устройствам
современного вида, способствующего конкурентоспособности ЭВМ на внешнем рынке.
Именно стандарты на эти объекты определяют техническую совместимость
конструкций ЭВМ.
43. Тонкопленочная технология. Область применения.
- Технология изготовления образцовых и эталонных резисторов;
- Технология изготовления многоразрядных сверхпрецизионных гибридных интегральных схем цифро-аналоговых преобразователей(ГИС ЦАП) и микросборок аналого-цифровых преобразователей напряжений вращающихся трансформаторов (АЦП ВТ);
- Технология изготовления высокоомных терморезисторов с заданным значением сопротивления и ТКС.