- •Глава 1. Введение в физику полупроводников.
- •1. Энергетические уровни твердого тела.
- •2. Зонная структура полупроводников и типы проводимости.
- •Законы распределения носителей в зонах полупроводника.
- •Концентрация носителей в собственном и примесном полупроводниках.
- •С ростом температуры, когда примесный полупроводник постепенно превращается в собственный, уровень Ферми смещается к середине запрещенной зоны.
- •Подвижность носителей.
- •6. Электропроводность.
- •7. Рекомбинация носителей.
- •8. Законы движения носителей в полупроводниках.
- •9. Кинетика носителей заряда в полупроводниках.
- •10. Эффект поля.
- •Глава 2. Электронно-дырочные переходы.
- •1. Основные определения.
- •2. Классификация p-n переходов.
- •3. Структура p-n перехода.
- •4. Анализ перехода в равновесном состоянии.
- •5. Анализ перехода в неравновесном состоянии.
- •6. Контакт металл-полупроводник.
- •Глава 3. Полупроводниковые диоды.
- •1.Исходные предпосылки.
- •3. Характеристические сопротивления.
- •4. Обратная характеристика реального диода.
- •5. Эквивалентная схема диода по постоянному току при обратном смещении.
- •Пробой p-n перехода.
- •7. Прямая характеристика реального диода.
- •8.Барьерная и диффузионная емкости диода.
- •9. Классификация диодов.
- •1) По технологическим методам создания электрических переходов и диодных структур
- •2) По выполняемой функции диодов.
- •1.Выпрямительные низкочастотные диоды. Они используются в источниках питания для выпрямления переменного тока.
- •3. Импульсные диоды. Предназначены для работы в импульсном режиме, т.Е. В устройствах формирования и преобразования импульсных сигналов, ключевых и цифровых схемах.
- •Глава 4. Биполярные транзисторы.
- •1. Введение.
- •2. Способы включения транзистора.
- •3. Распределение носителей в базе.
- •4. Модуляция толщины базы.
- •5. Статические характеристики транзистора.
- •6. Статические параметры транзистора.
- •7. Динамические параметры транзистора.
- •2. Коэффициент переноса. Для определения коэффициент переноса воспользуемся нестационарным уравнением диффузии:
- •8. Характеристики и параметры транзистора при включении с общим эмиттером.
- •9. Схема с общим коллектором
- •10. Разновидности дискретных транзисторов
- •Глава 5. Полевые транзисторы.
- •Введение.
- •2. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •Крутизна характеристики:
- •Выходное сопротивление
- •3) Коэффициент усиления:
- •Цепь затвора характеризуется входным сопротивлением транзистора:
- •2. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
- •Глава 6. Элементы интегральных схем.
- •3. Особенности устройств цифровых интегральных схем на биполярных транзисторах.
- •Глава 1. Усилительные каскады на биполярных транзисторах.
- •1.1. Усилительный каскад с общим эмиттером.
- •Расчет усилительного каскада по переменному току.
- •1). Средние частоты.
- •2). Нижние частоты.
- •3). Верхние частоты.
- •Глава 2. Усилители на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом и n-каналом.
- •1.1. Расчет усилительного каскада по постоянному току.
- •2.2. Расчет усилительного каскада по переменному току.
- •Сопротивление .
- •1). Основные расчетные соотношения в области средних частот.
- •2) Основные расчетные соотношения в области нижних частот.
- •3) Основные расчетные соотношения в области верхних частот.
2). Нижние частоты.
Продолжим расчет усилительного каскада в области нижних частот. Эквивалентная схема каскада показана на рис.1.6. Здесь существенное влияние оказывают емкости С1, С2 и Сэ. С понижением частоты реактивное сопротивление указанных емкостей увеличивается. При этом емкости С1 и С2 препятствуют прохождению сигнала со входа каскада на его выход, уменьшая тем самым коэффициент усиления каскада в области нижних частот. Действие блокирующей емкости несколько иное – в области нижних частот она перестает шунтировать резистор Rэ и коэффициент усилкния каскада уменьшается за счет действия отрицательной обратной связи. Для того чтобы количественно оценить уменьшение усиления , вводят понятие коэффициента частотных искажений
который показывает, во сколько раз коэффициент усиления в области средних частот (К0) больше коэффициента усиления в области нижних частот (Кн(ω) ). Так как в области нижних частот коэффициент усиления является комплексной величиной, то понимают его модуль.
Рассмотрим влияние каждой из этих емкостей поочередно, полагая остальные две емкости бесконечно большими (т.е. “закороченными”).
Рис. 1.6.
Положим сначала С2 = ∞, Сэ = ∞ и выясним роль С1. В результате получим эквивалентную схему, показанную на рис1.6а. Комплексный коэффициент передачи этой цепи можно найти по следующей формуле:
(1.31)
где
(1.32)
Частотные искажения за счет влияния С1 можно определить по формуле:
(1.33)
Полагая С1 = ∞, Сэ = ∞ и рассматривая влияние С2, получаем эквивалентную схему на рис.1.6б. Комплексный коэффициент передачи этой цепи можно найти по следующей формуле:
(1.35)
где
(1.36)
Коэффициент частотных искажений за счет влиянии емкости С2 определяется как:
(1.37)
Аналогично оценивается влияние блокирующей емкости в цепи эмиттера Сэ, полагая С1 = ∞, С2 = ∞. При этом коэффициент частотных искажений, характеризующий влияние Сэ на АЧХ усилительного каскада:
где
(1.38)
Совместное влияние емкостей оценивается общим коэффициентом частотных искажений, который определяется как:
(1.39)
где
(1.39а)
Нижняя частота полосы пропускания усилительного каскада связана с τэкв следующим соотношением:
.
(1.40)
Для расчета емкостей конденсаторов, обеспечивающих нижнюю частоту полосы пропускания, применим метод весовых коэффициентов. Вводится весовой коэффициент
где
,
(1.41)
Тогда
(1.42)
Чтобы оптимально определить весовые коэффициенты, необходимо ввести целевую функцию. В нашем случае целевая функция вводится как:
(1.43)
Таким образом, задача сводится к отысканию локального экстремума методом Лагранжа (метод неопределенных коэффициентов). Исходя из вышесказанного, для определения весовых коэффициентов получаем следующую систему уравнений:
(1.44)
В нашем случае j изменяется от 1 до 3 т.е.
(1.45)
т.е.
Решая эту систему относительно А, получим
(1.46)
Анализ полученных соотношений позволяет записать общую формулу для определения весовых коэффициентов при любом j:
.
(1.47)
