- •Глава 1. Введение в физику полупроводников.
- •1. Энергетические уровни твердого тела.
- •2. Зонная структура полупроводников и типы проводимости.
- •Законы распределения носителей в зонах полупроводника.
- •Концентрация носителей в собственном и примесном полупроводниках.
- •С ростом температуры, когда примесный полупроводник постепенно превращается в собственный, уровень Ферми смещается к середине запрещенной зоны.
- •Подвижность носителей.
- •6. Электропроводность.
- •7. Рекомбинация носителей.
- •8. Законы движения носителей в полупроводниках.
- •9. Кинетика носителей заряда в полупроводниках.
- •10. Эффект поля.
- •Глава 2. Электронно-дырочные переходы.
- •1. Основные определения.
- •2. Классификация p-n переходов.
- •3. Структура p-n перехода.
- •4. Анализ перехода в равновесном состоянии.
- •5. Анализ перехода в неравновесном состоянии.
- •6. Контакт металл-полупроводник.
- •Глава 3. Полупроводниковые диоды.
- •1.Исходные предпосылки.
- •3. Характеристические сопротивления.
- •4. Обратная характеристика реального диода.
- •5. Эквивалентная схема диода по постоянному току при обратном смещении.
- •Пробой p-n перехода.
- •7. Прямая характеристика реального диода.
- •8.Барьерная и диффузионная емкости диода.
- •9. Классификация диодов.
- •1) По технологическим методам создания электрических переходов и диодных структур
- •2) По выполняемой функции диодов.
- •1.Выпрямительные низкочастотные диоды. Они используются в источниках питания для выпрямления переменного тока.
- •3. Импульсные диоды. Предназначены для работы в импульсном режиме, т.Е. В устройствах формирования и преобразования импульсных сигналов, ключевых и цифровых схемах.
- •Глава 4. Биполярные транзисторы.
- •1. Введение.
- •2. Способы включения транзистора.
- •3. Распределение носителей в базе.
- •4. Модуляция толщины базы.
- •5. Статические характеристики транзистора.
- •6. Статические параметры транзистора.
- •7. Динамические параметры транзистора.
- •2. Коэффициент переноса. Для определения коэффициент переноса воспользуемся нестационарным уравнением диффузии:
- •8. Характеристики и параметры транзистора при включении с общим эмиттером.
- •9. Схема с общим коллектором
- •10. Разновидности дискретных транзисторов
- •Глава 5. Полевые транзисторы.
- •Введение.
- •2. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
- •Крутизна характеристики:
- •Выходное сопротивление
- •3) Коэффициент усиления:
- •Цепь затвора характеризуется входным сопротивлением транзистора:
- •2. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •2. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
- •Глава 6. Элементы интегральных схем.
- •3. Особенности устройств цифровых интегральных схем на биполярных транзисторах.
- •Глава 1. Усилительные каскады на биполярных транзисторах.
- •1.1. Усилительный каскад с общим эмиттером.
- •Расчет усилительного каскада по переменному току.
- •1). Средние частоты.
- •2). Нижние частоты.
- •3). Верхние частоты.
- •Глава 2. Усилители на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом и n-каналом.
- •1.1. Расчет усилительного каскада по постоянному току.
- •2.2. Расчет усилительного каскада по переменному току.
- •Сопротивление .
- •1). Основные расчетные соотношения в области средних частот.
- •2) Основные расчетные соотношения в области нижних частот.
- •3) Основные расчетные соотношения в области верхних частот.
Расчет усилительного каскада по переменному току.
Анализ и расчет усилителей обычно ведутся с использованием эквивалентных схем по переменному току. При этом транзистор заменяется физической эквивалентной Т-образной схемой для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, источник питания Ек по переменному току коротко замкнут. Исходя из вышесказанного, общая эквивалентная схема представлена на рис.1.3.
Рис.1.3
Для упрощения расчета весь диапазон рабочих частот можно разбить на три области (нижних, средних верхних частот)и рассматривать раздельно поведение АЧХ в этих областях.
1). Средние частоты.
Начнем расчет усилительного каскада с области средних частот, в которой можно считать схему, состоящей только из активных элементов и не учитывать временных и частотных искажений. Внешние емкости С1, С2 и Сэ будем предполагать бесконечно большими, емкости Ск и Сн равными нулю, сопротивление нагрузки Rн и источника сигнала Rг чисто активными, а коэффициент передачи β действительной величиной. Тогда эквивалентная схема каскада будет такой, как показана на рис.1.4 .
Рис.1.4
С целью упрощения расчетов в области средних частот основные параметры усилительного каскада обычно рассчитывают с помощью h-коэффициентов транзистора. В упрощенной схеме замещения (рис.1.5) транзистор формально представляется как активный четырехполюсник, на входе которого действуют напряжение Uвх и ток Iвх,, а на выходе - напряжение Uвых и ток Iвых и для транзистора известны h-коэффициенты в рабочей точке. Сопротивление Rб= R1║R2 показывает наличие базового делителя, резисторы R1, R2 которого по переменному току соединены параллельно. Резисторы Rк, Rн также соединены параллельно и их можно заменить сопротивлением R′н= Rк║Rн.
Рис. 1.5
Исходя из общих уравнений четырехполюсника и применяя их для малых сигналов (почти линейных участков), запишем для анализируемой схемы (рис.1.5) следующую систему уравнений, которая позволит определить основные параметры усилительного каскада в области средних частот:
(1.18)
Коэффициент усиления по току определяется как:
(1.19)
Входное сопротивление без учета сопротивления Rб:
(1.20)
Коэффициент усиления по напряжению:
(1.21)
Выходное сопротивление:
(1.22)
Предыдущие расчеты были сделаны без учета влияния базового делителя на входное сопротивление усилительного каскада, а также влияния RГ, Rк, Rвх на коэффициент усиления по току и Rк на выходное сопротивление. С учетом вышесказанного, окончательно получаем :
(1.23)
(1.24)
(1.25)
Индекс к означает, что расчет ведется для полного каскада.
Выразим вышеприведенные формулы через собственные параметры транзистора. Для этого воспользуемся выражениями, связывающими h-коэффициенты с собственными параметрами транзистора:
(1.26)
Тогда
при
условии
(1.27)
.
(1.28)
(1.29)
где
(1.30)
