- •1. Микроэлектроника и микросхемотехника. Основные термины и определения в микроэлектронике.
- •2. Классификация имс, система условных обозначений, особенности и отличия имс от схем на дискретных элементах.
- •Классификация по функциональному назначению.
- •Классификация по конструктивно-технологическому признаку
- •3. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: получение подложки, ее первичная обработка.
- •Получение подложки.
- •Очистка подложки от химических и физических загрязнений.
- •4. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: нанесение резистивной и проводящей пленок.
- •Нанесение резистивного слоя
- •Получение необходимого рисунка пленочных элементов
- •Заключительные технологические операции
- •5.Основные технологические операции при производстве гибридных имс: толстопленочная и тонкопленочная технологии.
- •Заключительные технологические операции
- •7. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: монтаж компонентов, монтаж в корпус.
- •8. Пленочные элементы гибридных имс: резисторы, проводники и контактные площадки.
- •9. Пленочные элементы гибридных имс: конденсаторы.
- •10. Пленочные элементы гибридных имс: катушки индуктивности.
- •11. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: общие сведения, требование к производственным помещениям.
- •12. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: получение слитка монокристалла кремния, его резка на пластины.
- •Получение слитка монокристалла кремния
- •Очистка монокристалла кремния
- •Легирование кристалла
- •Резка кристалла на пластины
- •13. Основные технические операции при производстве п/пр имс: первичная обработка п/пр пластины, окисление.
- •14. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: структура и топология имс, цикл формирования топологических слоев.
- •15. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: фотолитография и травление.
- •16. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: ионная имплантация.
- •17. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: диффузия.
- •18. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей. Другого типа проводимостей: эпитаксия. Резка пластины на кристаллы и монтаж в корпус, герметизация.
- •19. Методы изоляции элементов п/пр имс.
- •20. Базовые структуры п/пр имс: резисторы, транзисторы.
- •21. Базовые структуры п/пр имс: конденсаторы на основе p-n-перехода, мдп-конденсаторы.
- •22. Источники тока. Основные положения.
- •Основные параметры источников тока
- •23. Источники тока. Простое токовое зеркало. Основные соотношения. Температурный коэффициент.
- •24. Источники тока. Простое токовое зеркало. Разбаланс токов в ветвях.
- •25. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с уменьшенным значением выходного тока.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •27. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало Уилсона.
- •28. Разновидности схем простого токового зеркала: высокоточные источники тока.
- •29. Источники опорного напряжения: Основные соотношения. Влияние ос на выходное сопротивление ион.
- •30. Источники опорного напряжения: Простейший источник опорного напряжения.
- •31. Источники опорного напряжения: ион на стабилитронах.
- •34.Температурная компенсация: общие положения.
- •Источник опорного напряжения с температурной компенсацией
- •Термостатирование
- •32. Источники опорного напряжения: ион на основе ширины запрещенной зоны.
- •33. Источники опорного напряжения: Температурная компенсация и термостатирование. Термокомпенсированный источник опорного напряжения.
- •34. Интегральные стабилизаторы напряжения (исн). Классификация, основные термины и определения.
- •Интегральные стабилизаторы напряжения.
- •35. Исн. Основные схемы включения.
- •36. Параметры исн.
- •37. Схемотехника линейных стабилизаторов напряжения.
- •38. Защита в исн.
- •39. Интегральные стабилизаторы для переносных устройств.
- •40. Преобразователи постоянного напряжения на коммутируемых конденсаторах.
- •41. Оу. Общие сведения.
- •Основные параметры оу
- •42. Идеальный операционный усилитель.
- •43. Основные схемы включения операционного усилителя: Дифференциальное включение.
- •44. Основные схемы включения операционного усилителя: Инвертирующее включение.
- •45. Основные схемы включения операционного усилителя: Неинвертирующее включение.
- •46. Внутренняя структура операционных усилителей.
- •47. Стандартная схема операционного усилителя.
- •48. Схема замещения операционного усилителя.
- •49. Коррекция частотной характеристики.
- •50. Статические параметры операционных усилителей.
- •51. Динамические параметры оу.
- •52. Типы операционных усилителей.
- •52. Типы операционных усилителей
- •53. Классификация оу по принципам построения.
- •54. Операционный усилитель модулятор-демодулятор.
- •55. Операционный усилитель с периодической компенсацией дрейфа.
- •56. Интегральные компараторы напряжения (икн). Основные положения.
- •57. Икн. Измерение статических параметров компараторов.
- •58. Икн. Измерение динамических параметров компараторов.
- •59. Компаратор напряжения с пос.
- •60. Схемотехника икн (на примере микросхемы mA710).
- •61. Ак. Общие сведения.
- •62. Коммутаторы на полевых транзисторах.
- •63. Аналоговые мультиплексоры.
- •64. Статические характеристики ак.
- •65. Динамические характеристики и эксплуатационные параметры ак.
- •66. Увх: Общие сведения. Назначение.
- •67. Параметры увх.
- •68. Схема двухкаскадного увх на примере 1100ск2.
- •Структурная схема микросхем увх 1100ск2
- •69. Апс. Основные сведения.
- •70. Апс. Основные методы аналогового перемножения. Параболические перемножители
- •Перемножители на основе амлитудно-широтной импульсной модуляции
- •71. Перемножители на основе управляемого напряжением диф. Усилителя.
- •72. Перемножители на основе управляемого током диф. Делителя тока.
- •73. Линейный преобразователь «напряжение-ток».
- •74. Статические параметры перемножителей. Погрешность перемножения апс
- •Настройка апс на минимальную погрешность
- •Нелинейность перемножения апс
- •Напряжение смещения апс
- •Остаточное напряжение апс
- •75. Динамические параметры перемножителей.
- •76. Применение апс на примере 525пс2 в режиме перемножения и делителя напряжения.
- •77. Применение апс на примере 525пс2 в режиме возведения в квадрат, извлечения корня и регулируемого усилителя. Возведение в степень
- •Извлечение корня
- •78 .Цап. Общие сведения. Классификация.
- •Основные параметры цап
- •Статические параметры:
- •Динамические параметры,
- •Шумы, помехи и дрейфы
- •Чувствительность к нестабильности источника питания- отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению напряжения питания.
- •79. Последовательные цап. Цап с широтно-импульсной модуляцией. Цап с широтно-импульсной модуляцией
- •80. Последовательный цап на переключаемых конденсаторах.
- •81. Параллельные цап. Цап с двоично-взвешенными резисторами.
- •82. Параллельные цап. Цап с матрицей r-2r.
- •83. Цап на источниках тока.
- •84. Формирование выходного сигнала в виде напряжения.
- •85. Параллельный цап на переключаемых конденсаторах.
- •86. Цап с суммированием напряжений.
- •87. Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей.
- •Цап с последовательным интерфейсом входных данных
- •88. Обработка чисел, имеющих знак.
- •89. Перемножители и делители функций, аттенюаторы и интеграторы на цап, системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •Аттенюаторы и интеграторы на цап
- •Системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •90. Параметры цап.
- •Статические параметры
- •Динамические параметры
- •Шумы цап
- •91. Ацп. Общие сведения. Классификация.
- •92. Ацп последовательного счета.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •94. Параллельные ацп.
- •95. Многоступенчатые ацп.
- •96. Многотактные ацп.
- •97. Конвеерные ацп.
- •98. Ацп двойного интегрирования.
- •99. Сигма-дельта ацп.
98. Ацп двойного интегрирования.
Недостатком рассмотренных последовательных АЦП является их относительно низкая помехоустойчивость, что ограничивает их разрешающую способность, как правило, на уровне 8...10 разрядов. От этого недостатка в значительной мере свободны АЦП, использующие в процессе преобразования операцию интегрирования входного сигнала за фиксированный интервал времени.
Одним из наиболее распространенных вариантов преобразователей такого типа является АЦП с двухтактным интегрированием (Рис. 63,а). Полный цикл его работы состоит из двух тактов. В первом с помощью аналогового интегратора происходит интегрирование входного напряжения за фиксированный интервал времени Т = Nмаксtсч, где Nмакс — емкость счетчика, определяющая разрешающую способность АЦП. В результате этой операции на интегрирующем конденсаторе накапливается заряд
q1 = Uвх/RC , Ф. 32
где Uвх — среднее значение входного напряжения за время Т.
Во втором такте происходит разряд конденсатора от источника опорного напряжения Uвх, который имеет полярность, противоположную входному напряжению, и подключается к интегратору с помощью переключателя Кл. Этот процесс продолжается до возвращения конденсатора в начальные условия (Рис. 63, б), что фиксируется компаратором. В результате удаленный из конденсатора заряд
q2= Uоп t/RC Ф. 33
Рис. 63 Структурная схема АЦП с двухтактным интегрированием (а) и временные диаграммы, поясняющие его работу (б) :
где t— время разряда конденсатора. Это время является переменным, и его последующее измерение с помощью счетных импульсов с периодом следования tсч позволяет получить цифровой эквивалент Uвх. Действительно, поскольку условием правильной работы АЦП является
q1 = q2 , то
Ф. 34
откуда
Ф. 35
или в пересчете на количество счетных импульсов
Ф. 36
Используя процедуру двойного интегрирования, этот тип АЦП • приобретает важные свойства.
Во-первых, интегрирование входного сигнала приводит к его усреднению и сглаживанию всех быстрых по сравнению с временем интегрирования помех, наводок и шумов. Интегрирование сигнала за время Т эквивалентно его фильтрации с помощью фильтра низких частот, подавляющий различные частотные составляющие, присутствующие на входе интегратора. В частности, легко видеть, что если выбрать интервал интегрирования Т кратным периоду частоты питающей сети, например, 50 Гц, то на этой частоте будут полностью подавляться наводки проходящие по цепям питания и являющиеся одним из факторов, ограничивающих точность АЦП. В терминах теории обработки сигналов сказанное можно трактовать как увеличение отношения сигнал/помеха на выходе интегратора, а поскольку это отношение является критерием помехозащищенности, то этот результат означает повышение помехоустойчивости АЦП, использующих интегрирование входного сигнала.
Во-вторых, интегрирование входного сигнала приводит к уменьшению динамических погрешностей АЦП, связанных с изменением сигнала в процессе преобразования. В частности, исчезают составляющие динамической погрешности, обусловленные нечетными производными входного сигнала [см., например: (6.7)].
В-третьих, использование двухтактного интегрирования позволяет компенсировать, ряд составляющих статической погрешности и существенно увеличивать общую точность преобразования. К этим составляющим относятся погрешности буферного усилителя, возникающие за счет изменения коэффициента усиления и синфазного сигнала, погрешности интегратора, обусловленные изменением постоянной времени интегратора, и дрейфы этих составляющих, если их скорость такова, что за время одного преобразования ими можно пренебречь.
Быстродействие АЦП с двухтактным интегрированием определяется при заданном числе разрядов, т. е. значении Nmax частотой счетных импульсов fсч . Выбор последней в значительной мере ограничивается временем включения компаратора. Это связано с тем, что, например, для 12-разрядного АЦП с максимальным входным напряжением 2В шаг квантования имеет значение около 500 мкВ. При этом компаратор должен обладать чувствительностью порядка 100 мкВ. Как отмечалось в гл. 5, высокочувствительные -интегральные компараторы имеют типичные времена включения порядка 200 нс при перевозбуждениях 5 ... 10 мВ. При уменьшении напряжения перевозбуждения эти времена существенно увеличиваются и могут достигать нескольких микросекунд. Поэтому правильный выбор .компаратора является важным моментом проектирования. АЦП с двухтактным интегрированием и прецизионных АЦП вообще. Когда ни один из выпускаемых промышленностью компараторов не подходит по чувствительности, можно рекомендовать метод увеличения их чувствительности, рассмотренный в гл. 5 (см. рис. 5.9), или применять компаратор на основе операционного усилителя с соответствующим коэффициентом усиления в разомкнутом состоянии (см. § 5.3). Но в любом случае надо знать время включения при требуемом перевозбуждении. Если эти данные отсутствуют, их надо получить экспериментально. Обычно частоту fсч выбирают в диапазоне 10...100кГц. При Nmax = 4096 этообусловливает, например, время преобразования 40...400 мс.
Таким образом, высокие точностные характеристики АЦП с двухтактным интегрированием получаются за счет невысокого быстродействия и основной областью их применения являются цифровые вольтметры постоянного напряжения, а также системы обработки данных, оперирующие с постоянными или медленно изменяющимися сигналами.
Составляющими статической погрешности АЦП с двухтактным интегрированием являются:
— нестабильность источника опорного напряжения со всеми ее составляющими, которая, как видно из (7.27), непосредственно пересчитывается в погрешность АЦП;
— нестабильность частоты счетных импульсов, влияющих на коэффициент передачи преобразователя;
— напряжения смещения буферного каскада, интегратора и компаратора и их дрейфы;
— нелинейность интегратора, которая определяется коэффициентом усиления операционного усилителя в разомкнутом состоянии.
Для высокоточных АЦП с двойным интегрированием необходимо учитывать такие дополнительные составляющие, как:
— нелинейность буферного каскада, обусловленную изменением коэффициента ослабления синфазной составляющей в диапазоне изменения входного сигнала;
— потери в интегрирующем конденсаторе, происходящие за счет явления абсорбции, как это имеет место в точных устройствах выборки и запоминания;
— шумы, проходящие на вход от различных плохо контролируемых факторов;
— составляющие, связанные с неидеальностью используемых аналоговых ключей, и другие эффекты, зависящие от конкретного схемного выполнения аналоговой части АЦП.
В тех случаях, когда не удается удовлетворительно распределить составляющие статической погрешности между отдельными - элементами и выполнить требования, предъявляемые к допустимой погрешности преобразования, используют методы автоматической коррекции, в первую очередь смещения нуля (см. § 7.18) [154, 155].
Дальнейшим развитием метода двухтактного интегрирования является метод четырехтактного интегрирования, совмещенный с коррекцией некоторых видов погрешностей [30, 150].
В заключение отметим, что АЦП с двухтактным интегрированием благодаря высоким точностным характеристикам, простоте структурной схемы и хорошей реализуемости на ИС нашли широкое применение. На основе метода двухтактного интегрирования созданы преобразователи с числом разрядов от 8 до 16 при временах преобразования от единиц до сотен миллисекунд. Достижением последних лет является разработка АЦП с двухтактным .интегрированием в виде двух БИС, одна из которых содержит аналоговую часть, а вторая—цифровую [154].