- •1. Микроэлектроника и микросхемотехника. Основные термины и определения в микроэлектронике.
- •2. Классификация имс, система условных обозначений, особенности и отличия имс от схем на дискретных элементах.
- •Классификация по функциональному назначению.
- •Классификация по конструктивно-технологическому признаку
- •3. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: получение подложки, ее первичная обработка.
- •Получение подложки.
- •Очистка подложки от химических и физических загрязнений.
- •4. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: нанесение резистивной и проводящей пленок.
- •Нанесение резистивного слоя
- •Получение необходимого рисунка пленочных элементов
- •Заключительные технологические операции
- •5.Основные технологические операции при производстве гибридных имс: толстопленочная и тонкопленочная технологии.
- •Заключительные технологические операции
- •7. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: монтаж компонентов, монтаж в корпус.
- •8. Пленочные элементы гибридных имс: резисторы, проводники и контактные площадки.
- •9. Пленочные элементы гибридных имс: конденсаторы.
- •10. Пленочные элементы гибридных имс: катушки индуктивности.
- •11. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: общие сведения, требование к производственным помещениям.
- •12. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: получение слитка монокристалла кремния, его резка на пластины.
- •Получение слитка монокристалла кремния
- •Очистка монокристалла кремния
- •Легирование кристалла
- •Резка кристалла на пластины
- •13. Основные технические операции при производстве п/пр имс: первичная обработка п/пр пластины, окисление.
- •14. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: структура и топология имс, цикл формирования топологических слоев.
- •15. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: фотолитография и травление.
- •16. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: ионная имплантация.
- •17. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: диффузия.
- •18. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей. Другого типа проводимостей: эпитаксия. Резка пластины на кристаллы и монтаж в корпус, герметизация.
- •19. Методы изоляции элементов п/пр имс.
- •20. Базовые структуры п/пр имс: резисторы, транзисторы.
- •21. Базовые структуры п/пр имс: конденсаторы на основе p-n-перехода, мдп-конденсаторы.
- •22. Источники тока. Основные положения.
- •Основные параметры источников тока
- •23. Источники тока. Простое токовое зеркало. Основные соотношения. Температурный коэффициент.
- •24. Источники тока. Простое токовое зеркало. Разбаланс токов в ветвях.
- •25. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с уменьшенным значением выходного тока.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •27. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало Уилсона.
- •28. Разновидности схем простого токового зеркала: высокоточные источники тока.
- •29. Источники опорного напряжения: Основные соотношения. Влияние ос на выходное сопротивление ион.
- •30. Источники опорного напряжения: Простейший источник опорного напряжения.
- •31. Источники опорного напряжения: ион на стабилитронах.
- •34.Температурная компенсация: общие положения.
- •Источник опорного напряжения с температурной компенсацией
- •Термостатирование
- •32. Источники опорного напряжения: ион на основе ширины запрещенной зоны.
- •33. Источники опорного напряжения: Температурная компенсация и термостатирование. Термокомпенсированный источник опорного напряжения.
- •34. Интегральные стабилизаторы напряжения (исн). Классификация, основные термины и определения.
- •Интегральные стабилизаторы напряжения.
- •35. Исн. Основные схемы включения.
- •36. Параметры исн.
- •37. Схемотехника линейных стабилизаторов напряжения.
- •38. Защита в исн.
- •39. Интегральные стабилизаторы для переносных устройств.
- •40. Преобразователи постоянного напряжения на коммутируемых конденсаторах.
- •41. Оу. Общие сведения.
- •Основные параметры оу
- •42. Идеальный операционный усилитель.
- •43. Основные схемы включения операционного усилителя: Дифференциальное включение.
- •44. Основные схемы включения операционного усилителя: Инвертирующее включение.
- •45. Основные схемы включения операционного усилителя: Неинвертирующее включение.
- •46. Внутренняя структура операционных усилителей.
- •47. Стандартная схема операционного усилителя.
- •48. Схема замещения операционного усилителя.
- •49. Коррекция частотной характеристики.
- •50. Статические параметры операционных усилителей.
- •51. Динамические параметры оу.
- •52. Типы операционных усилителей.
- •52. Типы операционных усилителей
- •53. Классификация оу по принципам построения.
- •54. Операционный усилитель модулятор-демодулятор.
- •55. Операционный усилитель с периодической компенсацией дрейфа.
- •56. Интегральные компараторы напряжения (икн). Основные положения.
- •57. Икн. Измерение статических параметров компараторов.
- •58. Икн. Измерение динамических параметров компараторов.
- •59. Компаратор напряжения с пос.
- •60. Схемотехника икн (на примере микросхемы mA710).
- •61. Ак. Общие сведения.
- •62. Коммутаторы на полевых транзисторах.
- •63. Аналоговые мультиплексоры.
- •64. Статические характеристики ак.
- •65. Динамические характеристики и эксплуатационные параметры ак.
- •66. Увх: Общие сведения. Назначение.
- •67. Параметры увх.
- •68. Схема двухкаскадного увх на примере 1100ск2.
- •Структурная схема микросхем увх 1100ск2
- •69. Апс. Основные сведения.
- •70. Апс. Основные методы аналогового перемножения. Параболические перемножители
- •Перемножители на основе амлитудно-широтной импульсной модуляции
- •71. Перемножители на основе управляемого напряжением диф. Усилителя.
- •72. Перемножители на основе управляемого током диф. Делителя тока.
- •73. Линейный преобразователь «напряжение-ток».
- •74. Статические параметры перемножителей. Погрешность перемножения апс
- •Настройка апс на минимальную погрешность
- •Нелинейность перемножения апс
- •Напряжение смещения апс
- •Остаточное напряжение апс
- •75. Динамические параметры перемножителей.
- •76. Применение апс на примере 525пс2 в режиме перемножения и делителя напряжения.
- •77. Применение апс на примере 525пс2 в режиме возведения в квадрат, извлечения корня и регулируемого усилителя. Возведение в степень
- •Извлечение корня
- •78 .Цап. Общие сведения. Классификация.
- •Основные параметры цап
- •Статические параметры:
- •Динамические параметры,
- •Шумы, помехи и дрейфы
- •Чувствительность к нестабильности источника питания- отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению напряжения питания.
- •79. Последовательные цап. Цап с широтно-импульсной модуляцией. Цап с широтно-импульсной модуляцией
- •80. Последовательный цап на переключаемых конденсаторах.
- •81. Параллельные цап. Цап с двоично-взвешенными резисторами.
- •82. Параллельные цап. Цап с матрицей r-2r.
- •83. Цап на источниках тока.
- •84. Формирование выходного сигнала в виде напряжения.
- •85. Параллельный цап на переключаемых конденсаторах.
- •86. Цап с суммированием напряжений.
- •87. Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей.
- •Цап с последовательным интерфейсом входных данных
- •88. Обработка чисел, имеющих знак.
- •89. Перемножители и делители функций, аттенюаторы и интеграторы на цап, системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •Аттенюаторы и интеграторы на цап
- •Системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •90. Параметры цап.
- •Статические параметры
- •Динамические параметры
- •Шумы цап
- •91. Ацп. Общие сведения. Классификация.
- •92. Ацп последовательного счета.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •94. Параллельные ацп.
- •95. Многоступенчатые ацп.
- •96. Многотактные ацп.
- •97. Конвеерные ацп.
- •98. Ацп двойного интегрирования.
- •99. Сигма-дельта ацп.
Классификация по функциональному назначению.
заложена в системе условных обозначений. Рассмотрим систему условных обозначений на примере микросхемы аналогового перемножителя сигналов К525ПС2А.
Первый элемент в условном обозначении - цифра, соответствующая конструкторско-технологической группе:
1,5,6,7 - полупроводниковые ИМС, причем 7-бескорпусные;
2,4,8 - гибридные;
3 - прочие (пленочные, вакуумные и др.);
Второй элемент - две или три цифры, указывающие номер разработки данной серии; В последнее время при трехзначном номере разработке данной серии, первую цифру устанавливают в зависимости от функционального назначения:
0 - для комплектации бытовой РЭА;
1 - микросхемы аналоговые;
4 - микросхемы ОУ;
5 - сериям цифровых микросхем;
6 - сериям микросхем памяти, как оперативной, так и постоянной;
8 - сериям микропроцессоров;
К примеру:
1816ВЕ31 - однокристальная микро-ЭВМ;
1401УД1 - операционный усилитель;
1108ПВ1 - аналого-цифровой преобразователь;
1531ЛА3- логический элемент 2И-НЕ;
Следует отметить, что и при двухзначном номере разработке данной серии можно найти серии микросхем подходящие под эту классификацию. Например:
580ВМ80 - микропроцессор;
155ЛА3 - логический элемент;
140УД6 - операционный усилитель;
565РУ5 - динамическое ОЗУ;
Хотя существует и немало исключений, например:
561ЛА3 - цифровая микросхема;
553УД1 - операционный усилитель;
Третий элемент - две буквы, определяющие функциональное назначение (подгруппу) и вид ИМС. Например, в курсе “Микроэлектроника и микросхемотехника” изучаются следующие виды ИМС:
ЕН - стабилизаторы напряжения непрерывные;
УД - операционные усилители;
СА - схемы сравнения по напряжению (компараторы);
КН - ключи напряжения;
СК - устройства выборки и хранения;
ПС - преобразователи частоты (в т.ч. аналоговые перемножители сигналов);
ПА - цифро-аналоговые преобразователи;
ПВ - аналого-цифровые преобразователи;
ПП - преобразователи прочие;
Четвертый элемент - одна или несколько цифр - обозначающий номер разработки микросхемы в данной серии;
Эти четыре элемента являются обязательными и присутствуют в обозначении любой микросхемы. В конце условного обозначения иногда добавляется буква, определяющая технологический разброс электрических параметров данного типономинала (например, электрические параметры микросхемы К525ПС2А отличаются от параметров микросхемы К525ПС2Б, но при этом их внутренние принципиальные схемы одинаковы).
Иногда для обозначения области применения, материала и типа корпуса перед условным обозначением ставятся буквы, обозначающие следующее:
К - область широкого применения;
Э - экспортное исполнение (шаг выводов 2.54 или 1.27);
А - пластмассовый планарный корпус;
Б - бескорпусные;
Е - металлополимерный корпус 2-го типа;
И - стеклокерамический планарный;
М - керамический, металлокерамический или стеклокерамический 2-го типа;
Р - пластмассовый 2-го типа;
Ф - миниатюрный пластмассовый;
Классификация по конструктивно-технологическому признаку
По этой классификации интегральные микросхемы (ИМС) подразделяют на монолитные, пленочные, гибридные и совмещенные.
В полупроводниковых монолитных ИМС все элементы схемы (диоды, транзисторы, резисторы и т.д.) выполнены на основе одного кристалла полупроводникового материала, так называемой активной подложке (обычно монокристалл кремния).
В пленочных ИМС все элементы представляют собой пленки, нанесенные на диэлектрическое основание (пассивную подложку). Возможно получить только пассивные элементы. Различают тонкопленочные и толстопленочные ИМС.
В гибридных ИМС как правило пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными. Обычно это малогабаритные дискретные элементы (в т.ч. могут быть и конденсаторы, и резисторы) и бескорпусные монолитные полупроводниковые ИМС.
В совмещенных ИМС активные элементы выполнены как в полупроводниковых монолитных микросхемах (т.е. на активной подложке), а пассивные наносятся на активную подложку в виде пленок.