- •1. Микроэлектроника и микросхемотехника. Основные термины и определения в микроэлектронике.
- •2. Классификация имс, система условных обозначений, особенности и отличия имс от схем на дискретных элементах.
- •Классификация по функциональному назначению.
- •Классификация по конструктивно-технологическому признаку
- •3. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: получение подложки, ее первичная обработка.
- •Получение подложки.
- •Очистка подложки от химических и физических загрязнений.
- •4. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: нанесение резистивной и проводящей пленок.
- •Нанесение резистивного слоя
- •Получение необходимого рисунка пленочных элементов
- •Заключительные технологические операции
- •5.Основные технологические операции при производстве гибридных имс: толстопленочная и тонкопленочная технологии.
- •Заключительные технологические операции
- •7. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: монтаж компонентов, монтаж в корпус.
- •8. Пленочные элементы гибридных имс: резисторы, проводники и контактные площадки.
- •9. Пленочные элементы гибридных имс: конденсаторы.
- •10. Пленочные элементы гибридных имс: катушки индуктивности.
- •11. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: общие сведения, требование к производственным помещениям.
- •12. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: получение слитка монокристалла кремния, его резка на пластины.
- •Получение слитка монокристалла кремния
- •Очистка монокристалла кремния
- •Легирование кристалла
- •Резка кристалла на пластины
- •13. Основные технические операции при производстве п/пр имс: первичная обработка п/пр пластины, окисление.
- •14. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: структура и топология имс, цикл формирования топологических слоев.
- •15. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: фотолитография и травление.
- •16. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: ионная имплантация.
- •17. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: диффузия.
- •18. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей. Другого типа проводимостей: эпитаксия. Резка пластины на кристаллы и монтаж в корпус, герметизация.
- •19. Методы изоляции элементов п/пр имс.
- •20. Базовые структуры п/пр имс: резисторы, транзисторы.
- •21. Базовые структуры п/пр имс: конденсаторы на основе p-n-перехода, мдп-конденсаторы.
- •22. Источники тока. Основные положения.
- •Основные параметры источников тока
- •23. Источники тока. Простое токовое зеркало. Основные соотношения. Температурный коэффициент.
- •24. Источники тока. Простое токовое зеркало. Разбаланс токов в ветвях.
- •25. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с уменьшенным значением выходного тока.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •27. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало Уилсона.
- •28. Разновидности схем простого токового зеркала: высокоточные источники тока.
- •29. Источники опорного напряжения: Основные соотношения. Влияние ос на выходное сопротивление ион.
- •30. Источники опорного напряжения: Простейший источник опорного напряжения.
- •31. Источники опорного напряжения: ион на стабилитронах.
- •34.Температурная компенсация: общие положения.
- •Источник опорного напряжения с температурной компенсацией
- •Термостатирование
- •32. Источники опорного напряжения: ион на основе ширины запрещенной зоны.
- •33. Источники опорного напряжения: Температурная компенсация и термостатирование. Термокомпенсированный источник опорного напряжения.
- •34. Интегральные стабилизаторы напряжения (исн). Классификация, основные термины и определения.
- •Интегральные стабилизаторы напряжения.
- •35. Исн. Основные схемы включения.
- •36. Параметры исн.
- •37. Схемотехника линейных стабилизаторов напряжения.
- •38. Защита в исн.
- •39. Интегральные стабилизаторы для переносных устройств.
- •40. Преобразователи постоянного напряжения на коммутируемых конденсаторах.
- •41. Оу. Общие сведения.
- •Основные параметры оу
- •42. Идеальный операционный усилитель.
- •43. Основные схемы включения операционного усилителя: Дифференциальное включение.
- •44. Основные схемы включения операционного усилителя: Инвертирующее включение.
- •45. Основные схемы включения операционного усилителя: Неинвертирующее включение.
- •46. Внутренняя структура операционных усилителей.
- •47. Стандартная схема операционного усилителя.
- •48. Схема замещения операционного усилителя.
- •49. Коррекция частотной характеристики.
- •50. Статические параметры операционных усилителей.
- •51. Динамические параметры оу.
- •52. Типы операционных усилителей.
- •52. Типы операционных усилителей
- •53. Классификация оу по принципам построения.
- •54. Операционный усилитель модулятор-демодулятор.
- •55. Операционный усилитель с периодической компенсацией дрейфа.
- •56. Интегральные компараторы напряжения (икн). Основные положения.
- •57. Икн. Измерение статических параметров компараторов.
- •58. Икн. Измерение динамических параметров компараторов.
- •59. Компаратор напряжения с пос.
- •60. Схемотехника икн (на примере микросхемы mA710).
- •61. Ак. Общие сведения.
- •62. Коммутаторы на полевых транзисторах.
- •63. Аналоговые мультиплексоры.
- •64. Статические характеристики ак.
- •65. Динамические характеристики и эксплуатационные параметры ак.
- •66. Увх: Общие сведения. Назначение.
- •67. Параметры увх.
- •68. Схема двухкаскадного увх на примере 1100ск2.
- •Структурная схема микросхем увх 1100ск2
- •69. Апс. Основные сведения.
- •70. Апс. Основные методы аналогового перемножения. Параболические перемножители
- •Перемножители на основе амлитудно-широтной импульсной модуляции
- •71. Перемножители на основе управляемого напряжением диф. Усилителя.
- •72. Перемножители на основе управляемого током диф. Делителя тока.
- •73. Линейный преобразователь «напряжение-ток».
- •74. Статические параметры перемножителей. Погрешность перемножения апс
- •Настройка апс на минимальную погрешность
- •Нелинейность перемножения апс
- •Напряжение смещения апс
- •Остаточное напряжение апс
- •75. Динамические параметры перемножителей.
- •76. Применение апс на примере 525пс2 в режиме перемножения и делителя напряжения.
- •77. Применение апс на примере 525пс2 в режиме возведения в квадрат, извлечения корня и регулируемого усилителя. Возведение в степень
- •Извлечение корня
- •78 .Цап. Общие сведения. Классификация.
- •Основные параметры цап
- •Статические параметры:
- •Динамические параметры,
- •Шумы, помехи и дрейфы
- •Чувствительность к нестабильности источника питания- отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению напряжения питания.
- •79. Последовательные цап. Цап с широтно-импульсной модуляцией. Цап с широтно-импульсной модуляцией
- •80. Последовательный цап на переключаемых конденсаторах.
- •81. Параллельные цап. Цап с двоично-взвешенными резисторами.
- •82. Параллельные цап. Цап с матрицей r-2r.
- •83. Цап на источниках тока.
- •84. Формирование выходного сигнала в виде напряжения.
- •85. Параллельный цап на переключаемых конденсаторах.
- •86. Цап с суммированием напряжений.
- •87. Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей.
- •Цап с последовательным интерфейсом входных данных
- •88. Обработка чисел, имеющих знак.
- •89. Перемножители и делители функций, аттенюаторы и интеграторы на цап, системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •Аттенюаторы и интеграторы на цап
- •Системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •90. Параметры цап.
- •Статические параметры
- •Динамические параметры
- •Шумы цап
- •91. Ацп. Общие сведения. Классификация.
- •92. Ацп последовательного счета.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •94. Параллельные ацп.
- •95. Многоступенчатые ацп.
- •96. Многотактные ацп.
- •97. Конвеерные ацп.
- •98. Ацп двойного интегрирования.
- •99. Сигма-дельта ацп.
67. Параметры увх.
Точностные характеристики.
1. Напряжение смещения нуля Uсм, определяемое практически смещением нуля ОУ1. 2. Дрейф фиксируемого напряжения при заданной емкости Схр
d Uвых / d t= Iр / Схр,
где Iр - ток разряда конденсатора. Он складывается из токов утечки конденсатора и коммутатора, а также из входного тока усилителя ОУ2.
При заданном токе утечки величину дрейфа можно уменьшить путем увеличения емкости конденсатора Схр. Однако это ухудшает динамические характеристики схемы.
Динамические характеристики.
Время выборки tв определяет, как долго при самых неблагоприятных условиях длится процесс заряда конденсатора хранения до величины входного напряжения с заданным уровнем допуска. Это время пропорционально емкости Схр. Перевод УВХ в режим хранения до окончания интервала выборки чреват значительными ошибками.
Апертурная задержка tа. Это период между моментом снятия управляющего напряжения и фактическим запиранием последовательного коммутатора.
В табл. 2 приведены основные характеристики некоторых типов УВХ, выпускаемых промышленностью.
Параметры в режиме выборки:
Время выборки. Это время в течение которого образуется выборочное начение напряжения на накопительном элементе (конденсаторе) при переходе от режима хранения в режим выборки. Это время кроме схемотехнических особенностей зависит от таких внешних факторов, как разница между хранящимся напряжением и выбираемым, емкость конденсатора хранения, требуемая точность установления. Поэтому, когда указывается время выборки должны быть указаны и значения этих величин.
Погрешность коэффициента передачи в режиме выборки характеризует его отклонение от расчетного значения. Как правило различают погрешности коэффициента передачи при работе с постоянным входным напряжением и с синусоидальным сигналом различной частоты.
Нелинейность амплитудной характеристики обусловлена отклонением коэффициента передачи от постоянного значения при изменении входного напряжения во всем динамическом диапазоне.
Дрейф коэффициента передачи характеризует изменение коэффициента передачи в зависимости от температуры, изменения номиналов источников питания, старения элементов и т. д.
Напряжение смещения представляет собой выходное напряжение схемы при стробировании нулевого сигнала разделенное на коэффициент передачи.
Дрейф напряжения смещения - определяется изменением напряжения смещения вследствие изменения температуры окружающей среды, питающих напряжений и. т. д.
Время установления выходного напряжения - это максимальное время, необходимое для установления выходного напряжения с заданной точностью при воздействии на вход ступенчатого сигнала. Из-за переходных процессов в различных буферных и усилительных каскадах это время всегда больше времени выборки. Иногда пользуются понятием скорости нарастания выходного напряжения, как это делается для ОУ.
2.Параметры при переходе от выборки к запоминанию
Апертурная задержка. Возникновения апертурной погрешности связано с тем, что сопротивление реального ключа при переходе из режима выборки в режим хранения меняется не скачкообразно, а по какому-то определенному закону. После прихода управляющего напряжения на переход в режим хранения, конденсатор не мгновенно отключается от входного напряжения: сопротивление ключа начинает постепенно возрастать. И в течение этого времени, до того как сопротивление ключа достигнет бесконечности, входное напряжение будет воздействовать на напряжение на конденсаторе, но уже по какому-то более сложному закону (зависит от закона изменения сопротивления ключа при размыкании и от закона изменения входного напряжения). Смотрите Рис. 4, на котором представлены временные диаграммы при переходе выборка-хранение
Как видно из этого рисунка, истинное время запоминания tЭФФ1 и tЭФФ2
наступит раньше, чем обратное сопротивление ключа достигнет бесконечности. При этом в зависимости от закона изменения входного сигнала эффективное
время может изменяться от некоторого минимального значения T1 (апертурный сдвиг) до времени T3, которое носит название апертурное время или апертурная задержка. Разница T3 - T1 носит название апертурная дрожь.
Апертурный сдвиг приводит, как правило, к частотным искажениям, аналогичным тем, которые возникают в эквивалентной RC-цепи, причем величина T1 играет здесь роль такого же параметра, как и T=RC. Влияние апертурной дрожи проявляется либо как погрешность мгновенного значения сигнала при заданных моментах измерения, либо как погрешность момента времени, в который производится измерение при заданном мгновенном значении сигнала. При равномерной дискретизации следствием апертурной неопределеннос- ти является возникновение амплитудных погрешностей, которые называются апертурными и численно равны приращению сигнала в течение апертурного времени. Если использовать другую интерпретацию эффекта апертурной неопределенности, то её наличие приводит к “дрожанию” истинных моментов времени, в которые берутся отсчеты сигнала, по отношению к равноотстоящим на оси времени моментам. В литературе приводится следующая формула: , связывающая разрядность (точность АЦП), максимальную частоту и апертурную задержку для условия того, чтобы погрешность не превышала шаг квантования.
Рис. 4 Временные диаграммы при переходе из режима выборки в режим хранения
Погрешность переключения при образовании выборочного значения обусловлена прохождением части управляющих стробирующих импульсов через межэлектродные емкости используемых аналоговых ключей. Также носит название коммутационная ошибка или напряжение переноса заряда.
Погрешность связанная с диэлектрической поляризацией, при образовании выборочного значения возникает за счет процессов, происходящих в диэлектрике накопительного конденсатора.
Время установления в режиме хранения - определяет время в течение которого завершаются переходные процессы на накопительном конденсаторе при переходе из режима выборки в режим хранения. Сумма времени установления и апертурной задержки полностью определяет время перехода от выборки к хранению.
Параметры в режиме запоминания.
Спад выходного напряжения - характеризует основную составляющую погрешности устройства в режиме запоминания. Он определяется скоростью разряда накопительного конденсатора , где I - сумма токов утечки ключа, тока смещения усилителя и токов утечки на шины питания и земляную. Как правило, основной составляющей тока I является суммарный ток утечки ключа. Спад выходного напряжения определяет время хранения устройства с допустимой погрешностью.
Сквозное прохождение обусловлено той частью входного сигнала, которая попадает на выход через емкостной делитель, образованный проходной емкостью разомкнутого ключа и накопительным конденсатором. Часто этот параметр выражают в децибелах как отношение напряжения сквозного прохождения для входного синусоидального сигнала определенной амплитуды и частоты к амплитуде этого сигнала на входе устройства.