- •1. Микроэлектроника и микросхемотехника. Основные термины и определения в микроэлектронике.
- •2. Классификация имс, система условных обозначений, особенности и отличия имс от схем на дискретных элементах.
- •Классификация по функциональному назначению.
- •Классификация по конструктивно-технологическому признаку
- •3. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: получение подложки, ее первичная обработка.
- •Получение подложки.
- •Очистка подложки от химических и физических загрязнений.
- •4. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: нанесение резистивной и проводящей пленок.
- •Нанесение резистивного слоя
- •Получение необходимого рисунка пленочных элементов
- •Заключительные технологические операции
- •5.Основные технологические операции при производстве гибридных имс: толстопленочная и тонкопленочная технологии.
- •Заключительные технологические операции
- •7. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: монтаж компонентов, монтаж в корпус.
- •8. Пленочные элементы гибридных имс: резисторы, проводники и контактные площадки.
- •9. Пленочные элементы гибридных имс: конденсаторы.
- •10. Пленочные элементы гибридных имс: катушки индуктивности.
- •11. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: общие сведения, требование к производственным помещениям.
- •12. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: получение слитка монокристалла кремния, его резка на пластины.
- •Получение слитка монокристалла кремния
- •Очистка монокристалла кремния
- •Легирование кристалла
- •Резка кристалла на пластины
- •13. Основные технические операции при производстве п/пр имс: первичная обработка п/пр пластины, окисление.
- •14. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: структура и топология имс, цикл формирования топологических слоев.
- •15. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: фотолитография и травление.
- •16. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: ионная имплантация.
- •17. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: диффузия.
- •18. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей. Другого типа проводимостей: эпитаксия. Резка пластины на кристаллы и монтаж в корпус, герметизация.
- •19. Методы изоляции элементов п/пр имс.
- •20. Базовые структуры п/пр имс: резисторы, транзисторы.
- •21. Базовые структуры п/пр имс: конденсаторы на основе p-n-перехода, мдп-конденсаторы.
- •22. Источники тока. Основные положения.
- •Основные параметры источников тока
- •23. Источники тока. Простое токовое зеркало. Основные соотношения. Температурный коэффициент.
- •24. Источники тока. Простое токовое зеркало. Разбаланс токов в ветвях.
- •25. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с уменьшенным значением выходного тока.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •27. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало Уилсона.
- •28. Разновидности схем простого токового зеркала: высокоточные источники тока.
- •29. Источники опорного напряжения: Основные соотношения. Влияние ос на выходное сопротивление ион.
- •30. Источники опорного напряжения: Простейший источник опорного напряжения.
- •31. Источники опорного напряжения: ион на стабилитронах.
- •34.Температурная компенсация: общие положения.
- •Источник опорного напряжения с температурной компенсацией
- •Термостатирование
- •32. Источники опорного напряжения: ион на основе ширины запрещенной зоны.
- •33. Источники опорного напряжения: Температурная компенсация и термостатирование. Термокомпенсированный источник опорного напряжения.
- •34. Интегральные стабилизаторы напряжения (исн). Классификация, основные термины и определения.
- •Интегральные стабилизаторы напряжения.
- •35. Исн. Основные схемы включения.
- •36. Параметры исн.
- •37. Схемотехника линейных стабилизаторов напряжения.
- •38. Защита в исн.
- •39. Интегральные стабилизаторы для переносных устройств.
- •40. Преобразователи постоянного напряжения на коммутируемых конденсаторах.
- •41. Оу. Общие сведения.
- •Основные параметры оу
- •42. Идеальный операционный усилитель.
- •43. Основные схемы включения операционного усилителя: Дифференциальное включение.
- •44. Основные схемы включения операционного усилителя: Инвертирующее включение.
- •45. Основные схемы включения операционного усилителя: Неинвертирующее включение.
- •46. Внутренняя структура операционных усилителей.
- •47. Стандартная схема операционного усилителя.
- •48. Схема замещения операционного усилителя.
- •49. Коррекция частотной характеристики.
- •50. Статические параметры операционных усилителей.
- •51. Динамические параметры оу.
- •52. Типы операционных усилителей.
- •52. Типы операционных усилителей
- •53. Классификация оу по принципам построения.
- •54. Операционный усилитель модулятор-демодулятор.
- •55. Операционный усилитель с периодической компенсацией дрейфа.
- •56. Интегральные компараторы напряжения (икн). Основные положения.
- •57. Икн. Измерение статических параметров компараторов.
- •58. Икн. Измерение динамических параметров компараторов.
- •59. Компаратор напряжения с пос.
- •60. Схемотехника икн (на примере микросхемы mA710).
- •61. Ак. Общие сведения.
- •62. Коммутаторы на полевых транзисторах.
- •63. Аналоговые мультиплексоры.
- •64. Статические характеристики ак.
- •65. Динамические характеристики и эксплуатационные параметры ак.
- •66. Увх: Общие сведения. Назначение.
- •67. Параметры увх.
- •68. Схема двухкаскадного увх на примере 1100ск2.
- •Структурная схема микросхем увх 1100ск2
- •69. Апс. Основные сведения.
- •70. Апс. Основные методы аналогового перемножения. Параболические перемножители
- •Перемножители на основе амлитудно-широтной импульсной модуляции
- •71. Перемножители на основе управляемого напряжением диф. Усилителя.
- •72. Перемножители на основе управляемого током диф. Делителя тока.
- •73. Линейный преобразователь «напряжение-ток».
- •74. Статические параметры перемножителей. Погрешность перемножения апс
- •Настройка апс на минимальную погрешность
- •Нелинейность перемножения апс
- •Напряжение смещения апс
- •Остаточное напряжение апс
- •75. Динамические параметры перемножителей.
- •76. Применение апс на примере 525пс2 в режиме перемножения и делителя напряжения.
- •77. Применение апс на примере 525пс2 в режиме возведения в квадрат, извлечения корня и регулируемого усилителя. Возведение в степень
- •Извлечение корня
- •78 .Цап. Общие сведения. Классификация.
- •Основные параметры цап
- •Статические параметры:
- •Динамические параметры,
- •Шумы, помехи и дрейфы
- •Чувствительность к нестабильности источника питания- отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению напряжения питания.
- •79. Последовательные цап. Цап с широтно-импульсной модуляцией. Цап с широтно-импульсной модуляцией
- •80. Последовательный цап на переключаемых конденсаторах.
- •81. Параллельные цап. Цап с двоично-взвешенными резисторами.
- •82. Параллельные цап. Цап с матрицей r-2r.
- •83. Цап на источниках тока.
- •84. Формирование выходного сигнала в виде напряжения.
- •85. Параллельный цап на переключаемых конденсаторах.
- •86. Цап с суммированием напряжений.
- •87. Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей.
- •Цап с последовательным интерфейсом входных данных
- •88. Обработка чисел, имеющих знак.
- •89. Перемножители и делители функций, аттенюаторы и интеграторы на цап, системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •Аттенюаторы и интеграторы на цап
- •Системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •90. Параметры цап.
- •Статические параметры
- •Динамические параметры
- •Шумы цап
- •91. Ацп. Общие сведения. Классификация.
- •92. Ацп последовательного счета.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •94. Параллельные ацп.
- •95. Многоступенчатые ацп.
- •96. Многотактные ацп.
- •97. Конвеерные ацп.
- •98. Ацп двойного интегрирования.
- •99. Сигма-дельта ацп.
66. Увх: Общие сведения. Назначение.
При сборе информации и ее последующем преобразовании часто бывает необходимо зафиксировать значение аналогового сигнала в некоторый момент времени. Некоторые типы аналогово-цифровых преобразователей, например, последовательного приближения, могут давать совершенно непредсказуемые ошибки, если их входной сигнал не зафиксирован во время преобразования. При смене входного кода цифро-аналоговых преобразователей из-за неодновременности установления разрядов наблюдаются выбросы выходного напряжения. Для устранения этого явления на время установления также следует зафиксировать выходной сигнал ЦАП. Устройства выборки - хранения (УВХ) (слежения - хранения), выполняющие эту функцию, должны на интервале времени выборки (слежения) повторять на выходе входной аналоговый сигнал, а при переключении режима на хранение сохранять последнее значение выходного напряжения до поступления сигнала выборки. Схема простейшего УВХ приведена на рис. 15а.
Рис.15. Устройство выборки - хранения
Когда ключ S замкнут, выходное напряжение схемы повторяет входное, т.е. Uвых = Uвх (рис.15б). При размыкании ключа Uвых сохраняет свое значение, последнее перед размыканием. Выходной повторитель на ОУ препятствует разряду конденсатора хранения Схр на нагрузку схемы. Входное сопротивление повторителя должно быть как можно больше, поэтому обычно применяют ОУ с полевыми транзисторами на входе.
Простейшая схема УВХ имеет ряд недостатков:
При замкнутом ключе источник входного сигнала имеет значительную емкостную нагрузку. Если источником является ОУ, это обычно приводит к его самовозбуждению.
ОУ с полевыми транзисторами на входе, применяемые в качестве буферных повторителей, имеют значительное смещение нуля.
Эти недостатки во многом устранены в ИМС устройства выборки - хранения LF398 (отечественный аналог - 1100СК2), которая в течение многих лет была по существу промышленным стандартом. Функциональная схема этой ИМС приведена на рис. 16. Здесь схема имеет общую отрицательную обратную связь, охватывающую всю схему - с выхода усилителя ОУ2 на вход усилителя ОУ1.
Рис. 16. Функциональная схема УВХ 1100СК2
Когда коммутатор находится в замкнутом состоянии, потенциал выхода операционного усилителя ОУ1 вследствие действия общей отрицательной обратной связи устанавливается таким, что Uвых отличается от Uвх на величину напряжения смещения ОУ1. При этом смещение, возникающее из-за наличия коммутатора и ОУ2, сводится к нулю. Диоды в этом состоянии схемы заперты, так как падение напряжения на них, равное указанному смещению, достаточно мало (<= 20мВ). При размыкании коммутатора управляющим сигналом выходное напряжение остается неизменным. Резистор R1 и диоды предотвращают насыщение ОУ1, которое могло бы возникнуть из-за размыкания общей отрицательной обратной связи в этом режиме. Это снижает время переходного процесса при замыкании коммутатора. Усилитель ОУ1 обеспечивает высокое входное сопротивление УВХ. Он выполнен по схеме с биполярными транзисторами на входе, что легко позволяет получить смещение нуля схемы в пределах 5 мВ. Резистор R2 ограничивает ток заряда конденсатора хранения.
Основные характеристики УВХ:
Точностные характеристики.
Напряжение смещения нуля Uсм, определяемое практически смещением нуля ОУ1.
Дрейф фиксируемого напряжения при заданной емкости Схр
Uвых / t= Iр / Схр,
где Iр - ток разряда конденсатора. Он складывается из токов утечки конденсатора и коммутатора, а также из входного тока усилителя ОУ2.
При заданном токе утечки величину дрейфа можно уменьшить путем увеличения емкости конденсатора Схр. Однако это ухудшает динамические характеристики схемы.
Динамические характеристики.
Время выборки tв определяет, как долго при самых неблагоприятных условиях длится процесс заряда конденсатора хранения до величины входного напряжения с заданным уровнем допуска. Это время пропорционально емкости Схр. Перевод УВХ в режим хранения до окончания интервала выборки чреват значительными ошибками.
Апертурная задержка tа. Это период между моментом снятия управляющего напряжения и фактическим запиранием последовательного коммутатора.
