1. Микроэлектроника и микросхемотехника. Основные термины и определения в микроэлектронике.

2. Классификация ИМС, система условных обозначений, особенности и отличия ИМС от схем на дискретных элементах.

3. Основные технологические операции при производстве гибридных ИМС: получение подложки, ее первичная обработка.

4. Основные технологические операции при производстве гибридных ИМС: нанесение резистивной и проводящей пленок.

5.Основные технологические операции при производстве гибридных ИМС: толстопленочная и тонкопленочная технологии.

6. Основные технологические операции при производстве гибридных ИМС: фотолитография и травление.

7. Основные технологические операции при производстве гибридных ИМС: монтаж компонентов, монтаж в корпус.

8. Пленочные элементы гибридных ИМС: резисторы, проводники и контактные площадки.

9. Пленочные элементы гибридных ИМС: конденсаторы.

10. Пленочные элементы гибридных ИМС: катушки индуктивности.

11. Основные технические операции при производстве п/пр ИМС: общие сведения, требование к производственным помещениям.

12. Основные технические операции при производстве п/пр ИМС: получение слитка монокристалла кремния, его резка на пластины.

13. Основные технические операции при производстве п/пр ИМС: первичная обработка п/пр пластины, окисление.

14. Основные технические операции при производстве п/пр ИМС: получение областей другого типа проводимостей: структура и топология ИМС, цикл формирования топологических слоев.

15. Основные технические операции при производстве п/пр ИМС: получение областей другого типа проводимостей: фотолитография и травление.

16. Основные технические операции при производстве п/пр ИМС: получение областей другого типа проводимостей: ионная имплантация.

17. Основные технические операции при производстве п/пр ИМС: получение областей другого типа проводимостей: диффузия.

18. Основные технические операции при производстве п/пр ИМС: получение областей. другого типа проводимостей: эпитаксия. Резка пластины на кристаллы и монтаж в корпус, герметизация.

19. Методы изоляции элементов п/пр ИМС.

20. Базовые структуры п/пр ИМС: резисторы, транзисторы.

21. Базовые структуры п/пр ИМС: конденсаторы на основе p-n-перехода, МДП-конденсаторы.

22. Источники тока. Основные положения.

23. Источники тока. Простое токовое зеркало. Основные соотношения. Температурный коэффициент.

24. Источники тока. Простое токовое зеркало. Разбаланс токов в ветвях.

25. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с уменьшенным значением выходного тока.

26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.

27. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало Уилсона.

28. Разновидности схем простого токового зеркала: высокоточные источники тока.

29. Источники опорного напряжения: Основные соотношения. Влияние ОС на выходное сопротивление ИОН.

30. Источники опорного напряжения: Простейший источник опорного напряжения.

31. Источники опорного напряжения: ИОН на стабилитронах.

32. Источники опорного напряжения: ИОН на основе ширины запрещенной зоны.

33. Источники опорного напряжения: Температурная компенсация и термостатирование. Термокомпенсированный источник опорного напряжения.

34. Интегральные стабилизаторы напряжения (ИСН). Классификация, основные термины и определения.

35. ИСН. Основные схемы включения.

36. Параметры ИСН.

37. Схемотехника линейных стабилизаторов напряжения.

38. Защита в ИСН.

39. Интегральные стабилизаторы для переносных устройств.

40. Преобразователи постоянного напряжения на коммутируемых конденсаторах.

41. ОУ. Общие сведения.

42. Идеальный операционный усилитель.

43. Основные схемы включения операционного усилителя: Дифференциальное включение.

44. Основные схемы включения операционного усилителя: Инвертирующее включение.

45. Основные схемы включения операционного усилителя: Неинвертирующее включение.

46. Внутренняя структура операционных усилителей.

47. Стандартная схема операционного усилителя.

48. Схема замещения операционного усилителя.

49. Коррекция частотной характеристики.

50. Статические параметры операционных усилителей.

51. Динамические параметры ОУ.

52. Типы операционных усилителей.

53. Классификация ОУ по принципам построения.

54. Операционный усилитель модулятор-демодулятор.

55. Операционный усилитель с периодической компенсацией дрейфа.

56. Интегральные компараторы напряжения (ИКН). Основные положения.

57. ИКН. Измерение статических параметров компараторов.

58. ИКН. Измерение динамических параметров компараторов.

59. Компаратор напряжения с ПОС.

60. Схемотехника ИКН (на примере микросхемы mA710).

61. АК. Общие сведения.

62. Коммутаторы на полевых транзисторах.

63. Аналоговые мультиплексоры.

64. Статические характеристики АК.

65. Динамические характеристики и эксплуатационные параметры АК.

66. УВХ: Общие сведения. Назначение.

67. Параметры УВХ.

68. Схема двухкаскадного УВХ на примере 1100ск2.

69. АПС. Основные сведения.

70. АПС. Основные методы аналогового перемножения.

71. Перемножители на основе управляемого напряжением диф. усилителя.

72. Перемножители на основе управляемого током диф. делителя тока.

73. Линейный преобразователь «напряжение-ток».

74. Статические параметры перемножителей.

75. Динамические параметры перемножителей.

76. Применение АПС на примере 525ПС2 в режиме перемножения и делителя напряжения.

77. Применение АПС на примере 525ПС2 в режиме возведения в квадрат, извлечения корня и регулируемого усилителя.

78 .ЦАП. Общие сведения. Классификация.

79. Последовательные ЦАП. ЦАП с широтно-импульсной модуляцией.

80. Последовательный ЦАП на переключаемых конденсаторах.

81. Параллельные ЦАП. ЦАП с двоично-взвешенными резисторами.

82. Параллельные ЦАП. ЦАП с матрицей R-2R.

83. ЦАП на источниках тока.

84. Формирование выходного сигнала в виде напряжения.

85. Параллельный ЦАП на переключаемых конденсаторах.

86. ЦАП с суммированием напряжений.

87. Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей.

88. Обработка чисел, имеющих знак.

89. Перемножители и делители функций, аттенюаторы и интеграторы на ЦАП, системы прямого цифрового синтеза сигналов.

90. Параметры ЦАП.

91. АЦП. Общие сведения. Классификация.

92. АЦП последовательного счета.

93. АЦП последовательного приближения.

94. Параллельные АЦП.

95. Многоступенчатые АЦП.

96. Многотактные АЦП.

97. Конвеерные АЦП.

98. АЦП двойного интегрирования.

99. Сигма-дельта АЦП.

1. Микроэлектроника и микросхемотехника. Основные термины и определения в микроэлектронике.

Интегральная микросхема - это микроэлектронное изделие, изготовленное в едином технологическом цикле, выполняющее определенную функцию, и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов), которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.

Элемент интегральной схемы - это часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента (транзистора, диода, резистора, конденсатора и т.д.), которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

Компонент интегральной схемы - это часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

Полупроводниковая интегральная схема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.

Корпус интегральной микросхемы - часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для защиты микросхемы от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов.

Подложка интегральной схемы - заготовка, предназначенная для нанесения на неё элементов гибридных и пленочных интегральных микросхем, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.

Полупроводниковая пластина - заготовка из полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем.

Кристалл интегральной микросхемы - часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.

2. Классификация имс, система условных обозначений, особенности и отличия имс от схем на дискретных элементах.

1. Микросхема самостоятельно выполняет какую-то функцию, часто весьма сложную, которую можно осуществить с помощью большого количества дискретных элементов соединенных по определенной схеме. Поэтому интегральная микросхема должна рассматриваться не только как элемент с определенными входными и выходными параметрами, но и как устройство с определенной внутренней электрической схемой.

2. Усложнение функций выполняемых интегральными микросхемами, в отличии от схем на дискретных элементах, практически не сопровождается заметным ухудшением надежности, габаритных размеров и других показателей.

3. Функциональная сложность и параметры интегральных микросхем в значительной степени определяются возможностями технологии их изготовления. Например, совершенствование технологии обусловливает повышение степени интеграции элементов, это в свою очередь, позволяет, с одной стороны, на том же кристалле реализовать более сложный функциональный узел, с другой стороны, за счет сокращения длины соединений, уменьшаются время задержки сигналов, паразитные емкости.

4. В ИМС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. Это обусловлено тем, что при одинаковой технологии изготовления тех и других, активные элементы имеют меньшие размеры.

5. В ИМС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют аналогов среди дискретных элементов (многоэмиттерные транзисторы, элементы с инжекционным питанием, структуры с распределенными параметрами, приборы с зарядовой связью). Их использование открывает широкие возможности по построению микроэлектронной аппаратуры.

6. Элементы интегральных микросхем имеют следующие отличия от дискретных элементов:

а). Элементы ИМС имеют большой разброс параметров относительно расчетных, что обусловлено их малыми размерами, невозможностью подгонки и подстройки и рядом других технологических особенностей.

б). Элементы ИМС , созданные в одном технологическом цикле, характеризуются высокой идентичностью параметров и характеристик.

в). Имеет место ограничение номинальных значений параметров сопротивлений и емкостей, что вызвано малой площадью отводимой под эти элементы. Индуктивность в виде полупроводникового простого элемента не реализуется вообще. Имеет место ограничение по мощности рассеивания тепла.

г). Для элементов ИМС характерно наличие ряда паразитных параметров, отсутствующих в дискретных элементах (появление токов утечки в подложку, появление емкости между элементом и подложкой, а также наличие емкостных и индуктивных связей между близко расположенными элементами и соединениями). Это является следствием создания элементов на единой подложке.

Интегральные микросхемы можно классифицировать по многим признакам, но мы ограничимся классификацией по функциональному назначению и классификацией по конструкторско-технологическим особенностям.