- •1. Микроэлектроника и микросхемотехника. Основные термины и определения в микроэлектронике.
- •2. Классификация имс, система условных обозначений, особенности и отличия имс от схем на дискретных элементах.
- •Классификация по функциональному назначению.
- •Классификация по конструктивно-технологическому признаку
- •3. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: получение подложки, ее первичная обработка.
- •Получение подложки.
- •Очистка подложки от химических и физических загрязнений.
- •4. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: нанесение резистивной и проводящей пленок.
- •Нанесение резистивного слоя
- •Получение необходимого рисунка пленочных элементов
- •Заключительные технологические операции
- •5.Основные технологические операции при производстве гибридных имс: толстопленочная и тонкопленочная технологии.
- •Заключительные технологические операции
- •7. Основные технологические операции при производстве гибридных имс: монтаж компонентов, монтаж в корпус.
- •8. Пленочные элементы гибридных имс: резисторы, проводники и контактные площадки.
- •9. Пленочные элементы гибридных имс: конденсаторы.
- •10. Пленочные элементы гибридных имс: катушки индуктивности.
- •11. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: общие сведения, требование к производственным помещениям.
- •12. Основные технические операции при производстве полупроводниковых имс: получение слитка монокристалла кремния, его резка на пластины.
- •Получение слитка монокристалла кремния
- •Очистка монокристалла кремния
- •Легирование кристалла
- •Резка кристалла на пластины
- •13. Основные технические операции при производстве п/пр имс: первичная обработка п/пр пластины, окисление.
- •14. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: структура и топология имс, цикл формирования топологических слоев.
- •15. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: фотолитография и травление.
- •16. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: ионная имплантация.
- •17. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей другого типа проводимостей: диффузия.
- •18. Основные технические операции при производстве п/пр имс: получение областей. Другого типа проводимостей: эпитаксия. Резка пластины на кристаллы и монтаж в корпус, герметизация.
- •19. Методы изоляции элементов п/пр имс.
- •20. Базовые структуры п/пр имс: резисторы, транзисторы.
- •21. Базовые структуры п/пр имс: конденсаторы на основе p-n-перехода, мдп-конденсаторы.
- •22. Источники тока. Основные положения.
- •Основные параметры источников тока
- •23. Источники тока. Простое токовое зеркало. Основные соотношения. Температурный коэффициент.
- •24. Источники тока. Простое токовое зеркало. Разбаланс токов в ветвях.
- •25. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с уменьшенным значением выходного тока.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •26. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало с эмиттерными сопротивлениями.
- •27. Разновидности схем простого токового зеркала: токовое зеркало Уилсона.
- •28. Разновидности схем простого токового зеркала: высокоточные источники тока.
- •29. Источники опорного напряжения: Основные соотношения. Влияние ос на выходное сопротивление ион.
- •30. Источники опорного напряжения: Простейший источник опорного напряжения.
- •31. Источники опорного напряжения: ион на стабилитронах.
- •34.Температурная компенсация: общие положения.
- •Источник опорного напряжения с температурной компенсацией
- •Термостатирование
- •32. Источники опорного напряжения: ион на основе ширины запрещенной зоны.
- •33. Источники опорного напряжения: Температурная компенсация и термостатирование. Термокомпенсированный источник опорного напряжения.
- •34. Интегральные стабилизаторы напряжения (исн). Классификация, основные термины и определения.
- •Интегральные стабилизаторы напряжения.
- •35. Исн. Основные схемы включения.
- •36. Параметры исн.
- •37. Схемотехника линейных стабилизаторов напряжения.
- •38. Защита в исн.
- •39. Интегральные стабилизаторы для переносных устройств.
- •40. Преобразователи постоянного напряжения на коммутируемых конденсаторах.
- •41. Оу. Общие сведения.
- •Основные параметры оу
- •42. Идеальный операционный усилитель.
- •43. Основные схемы включения операционного усилителя: Дифференциальное включение.
- •44. Основные схемы включения операционного усилителя: Инвертирующее включение.
- •45. Основные схемы включения операционного усилителя: Неинвертирующее включение.
- •46. Внутренняя структура операционных усилителей.
- •47. Стандартная схема операционного усилителя.
- •48. Схема замещения операционного усилителя.
- •49. Коррекция частотной характеристики.
- •50. Статические параметры операционных усилителей.
- •51. Динамические параметры оу.
- •52. Типы операционных усилителей.
- •52. Типы операционных усилителей
- •53. Классификация оу по принципам построения.
- •54. Операционный усилитель модулятор-демодулятор.
- •55. Операционный усилитель с периодической компенсацией дрейфа.
- •56. Интегральные компараторы напряжения (икн). Основные положения.
- •57. Икн. Измерение статических параметров компараторов.
- •58. Икн. Измерение динамических параметров компараторов.
- •59. Компаратор напряжения с пос.
- •60. Схемотехника икн (на примере микросхемы mA710).
- •61. Ак. Общие сведения.
- •62. Коммутаторы на полевых транзисторах.
- •63. Аналоговые мультиплексоры.
- •64. Статические характеристики ак.
- •65. Динамические характеристики и эксплуатационные параметры ак.
- •66. Увх: Общие сведения. Назначение.
- •67. Параметры увх.
- •68. Схема двухкаскадного увх на примере 1100ск2.
- •Структурная схема микросхем увх 1100ск2
- •69. Апс. Основные сведения.
- •70. Апс. Основные методы аналогового перемножения. Параболические перемножители
- •Перемножители на основе амлитудно-широтной импульсной модуляции
- •71. Перемножители на основе управляемого напряжением диф. Усилителя.
- •72. Перемножители на основе управляемого током диф. Делителя тока.
- •73. Линейный преобразователь «напряжение-ток».
- •74. Статические параметры перемножителей. Погрешность перемножения апс
- •Настройка апс на минимальную погрешность
- •Нелинейность перемножения апс
- •Напряжение смещения апс
- •Остаточное напряжение апс
- •75. Динамические параметры перемножителей.
- •76. Применение апс на примере 525пс2 в режиме перемножения и делителя напряжения.
- •77. Применение апс на примере 525пс2 в режиме возведения в квадрат, извлечения корня и регулируемого усилителя. Возведение в степень
- •Извлечение корня
- •78 .Цап. Общие сведения. Классификация.
- •Основные параметры цап
- •Статические параметры:
- •Динамические параметры,
- •Шумы, помехи и дрейфы
- •Чувствительность к нестабильности источника питания- отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению напряжения питания.
- •79. Последовательные цап. Цап с широтно-импульсной модуляцией. Цап с широтно-импульсной модуляцией
- •80. Последовательный цап на переключаемых конденсаторах.
- •81. Параллельные цап. Цап с двоично-взвешенными резисторами.
- •82. Параллельные цап. Цап с матрицей r-2r.
- •83. Цап на источниках тока.
- •84. Формирование выходного сигнала в виде напряжения.
- •85. Параллельный цап на переключаемых конденсаторах.
- •86. Цап с суммированием напряжений.
- •87. Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей.
- •Цап с последовательным интерфейсом входных данных
- •88. Обработка чисел, имеющих знак.
- •89. Перемножители и делители функций, аттенюаторы и интеграторы на цап, системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •Аттенюаторы и интеграторы на цап
- •Системы прямого цифрового синтеза сигналов.
- •90. Параметры цап.
- •Статические параметры
- •Динамические параметры
- •Шумы цап
- •91. Ацп. Общие сведения. Классификация.
- •92. Ацп последовательного счета.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •93. Ацп последовательного приближения.
- •94. Параллельные ацп.
- •95. Многоступенчатые ацп.
- •96. Многотактные ацп.
- •97. Конвеерные ацп.
- •98. Ацп двойного интегрирования.
- •99. Сигма-дельта ацп.
49. Коррекция частотной характеристики.
Вследствие наличия паразитных емкостей и многокаскадной структуры операционный усилитель по своим частотным свойствам аналогичен фильтру нижних частот высокого порядка. Системы такого рода, имеющие большой коэффициент усиления, при наличии обратной связи склонны к неустойчивости, проявляющейся в том, что даже при отсутствии сигнала на входе системы, на ее выходе существуют колебания относительно большой амплитуды. Устойчивость ОУ с обратной связью удобно исследовать по его частотным характеристикам. Типичные логарифмические асимптотическая амплитудно-частотная (ЛАЧХ) и фазово-частотная (ЛФЧХ) характеристики (диаграмма Боде) ОУ без частотной коррекции приведены на рис. 13.
Рис. 13. Типичные логарифмические амплитудно-частотная и фазово-частотная характеристики ОУ
Выше частоты f1 частотная характеристика определяется инерционным звеном с максимальной постоянной времени. Коэффициент усиления в этой области убывает со скоростью -20 дБ/дек. Выше частоты f2 начинает действовать второе инерционное звено, коэффициент усиления убывает быстрее (-40 дБ/дек), а фазовый сдвиг между Uд и Uвых достигает j = -180°. Частота, при которой выполняется это условие, называется критической fкр. Частота, при которой модуль коэффициента усиления петли обратной связи (коэффициента петлевого усиления) |Kп| = |bKU|=1, называется частотой среза fср. Коэффициент b в этом соотношении является коэффициентом передачи цепи обратной связи. Как для инвертирующего, так и для неинвертирующего включения ОУ при резистивной обратной связи он определяется как
b = R1/(R1+R2)
Согласно выражениям (8), (9), между b и коэффициентом усиления входного сигнала схемы на ОУ K существует следующая взаимосвязь:
для инвертирующего включениядля неинвертирующего включения.
,1-К-для
инвертирующего включения (14)
К-для неинвертирующего включения
В соответствии с логарифмическим вариантом критерия Найквиста для минимально-фазовых систем, к которым можно отнести ОУ с отрицательной обратной связью, усилитель будет устойчив, если для логарифмических частотных характеристик разомкнутой петли обратной связи bKU выполнено
условие: fср< fкр (15)
При резистивной обратной связи ЛФЧХ петли совпадает с ЛФЧХ усилителя, а ЛАЧХ петли проходит на 20lg(1/b) ниже ЛАЧХ усилителя, так что частота среза fср соответствует точке пересечения графика ЛАЧХ усилителя с горизонтальной прямой, проведенной на 20lg(1/b) выше оси частот. На диаграмме рис. 13 видно, что при больших значениях K (и, соответственно, малых b) условие (15) выполняется, причем имеется достаточный запас устойчивости по фазе. При K<200 операционный усилитель с частотными характеристиками, такими, как на рис. 13, неустойчив.
Степень устойчивости, а также мера затухания переходных процессов приближенно определяется запасом устойчивости по фазе. Под этой величиной понимается дополнительный до 180° угол к фазовому запаздыванию на критической частоте: a =180° + j(fкр).
На рис. 14 представлены типичные графики переходных функций (реакций на единичный скачек) операционного усилителя, включенного по схеме неинвертирующего повторителя при различных запасах устойчивости по фазе a.
По диаграмме Боде разомкнутого ОУ можно непосредственно определить, какая величина затухания окажется у схемы усилителя с заданным значением b . В качестве примера рассмотрим на рис. 13 случай для 1/b =8000. При этом из диаграммы находим fкр =100 кГц и a =65°. Таким образом, для такой обратной связи получается приемлемая величина затухания. В случае более глубокой обратной связи величина a быстро уменьшается и при 1/b =200 достигает нуля.
Рис. 14. Переходные характеристики ОУ, охваченного обратной связью
