
- •1)Организация питания эвм. Роль заземления аппаратуры.
- •2)Особенности архитектуры cis, risc микропроцессоров.
- •3)Источники бесперебойного питания. Структурные схемы OnLine и StandBy ups.
- •4)Команды процессора, цикл выполнения команд
- •5)Архитектура компьютера. Основные компоненты эвм - их роль и взаимодействие.
- •6)Организация хранения данных во внешних магнитных дисках
- •7)Электронные компоненты, применяемые в эвм. Триггер. Регистр, мультиплексор, коммутатор, счетчик, сумматор, компаратор.
- •9)Назначение bios. Основные разделы bios.
- •10) Типы файловых систем внешних магнитных дисков. Влияние размера кластера на работу диска.
- •11) Физические принципы записи информации в магнитных дисках. Эффект суперпармагнетизма.
- •12)Устройство ввода информации - мышь. Принципы функционирования.
- •Оптические мыши первого поколения
- •Оптические мыши второго поколения
- •Лазерные мыши
- •Индукционные мыши
- •Инерционные мыши
- •Гироскопические мыши
- •Мыши с mems-датчиками
- •13)Команды эвм. Машинные коды и команды ассемблера. Функциональные группы команд.
- •Достоинства языка ассемблера
- •Недостатки языка ассемблера
- •14) Организация raid массивов. Основная цель организации и способы реализации.
- •15) Электронные компоненты, применяемые в эвм. Триггер. Регистр, мультиплексор, коммутатор, счетчик, сумматор, компаратор.
- •16) Типы файловых систем внешних магнитных дисков
- •17)Стадии выполнения команды с точки зрения взаимодействия процессора и памяти.
- •Конвейерная архитектура
- •Параллельная архитектура
- •18)Интерфейсы рс. Основные группы сигналов и их назначение.
- •19)Динамическая память. Принцип функционирования sdram, ddr sdram, ddr2 sdram. Основные параметры.
- •20) Арбитраж в интерфейсах. Основные типы арбитража и способы выполнения..
- •21) Понятие кэш-памяти. Принцип функционирования.
- •22)Стандарт rs-232. Принцып обмена информацией. Режимы обмена данными.
- •23)Виртуальная память. Принцип работы.
- •24)Параллельный порт рс. Основные регистры. Способ организации обмена информацией.
- •25)Программные и аппаратные прерывания.
- •26)Дисковые накопители. Принцип функционирования. Типы разметки поверхности магнитного диска. Параметры диска.
- •27)Cd-rom. Dvd-rom br диски. Принципы функционирования.
- •28)2D и 3d графические ускорители. Эффекты, реализуемые на аппаратном уровне в 3d графическом процессоре.
- •29)Принцип функционирования crt мониторов. Основные типы, особенности и характеристики. Достоинства и недостатки
- •30)Функционирование компьютера с точки зрения взаимодействия с данными..
- •31)Электронные компоненты, применяемые в эвм. Триггер. Регистр, мультиплексор, коммутатор, счетчик, сумматор, компаратор.
- •32)Звуковые контроллеры. Блок-схема. Принципы функционирования
- •33)Последовательная шина usb. Принципы функционирования.
- •34. Конвейерная архитектура процессора. Принцип функционирования. Факторы снижающие эффективность конвейерной архитектуры.
- •35. Принципы функционирования струйных принтеров.
- •36. Параллельная архитектура
- •37Принципы функционирования лазерных принтеров.
- •38. Суперскалярная архитектура.
- •39. Стандарты mpeg
- •40. Кэш. Цели и задачи. Способы замещения данных.
- •41)Организация кластера эвм. Преимущества кластерной организации многомашинного комплекса
- •42)Триггер. Таблица истинности. Одно и двухпортовая ячейка статической памяти.
- •43. Основные характеристики динамической памяти. Тайминги.
- •44. Принцип функционирования жидкокристаллического монитора. Типы жидкокристаллических мониторов. Особенности и характеристики. Достоинства и недостатки.
- •45. Принцип функционирования плазменного монитора. Особенности и характеристики. Достоинства и недостатки
- •46)Организация хранения данных на магнитных дисках
- •47)Методы повышения надежности магнитных дисков
- •48)Основные особенности системной шины pci. Сравнение с pci-express.
- •49. Организация прерываний.
- •50. Адресация пк в защищенном режиме.
- •51. Архитектура системы команд стекового типа
- •52. Архитектура системы команд аккумуляторного типа
- •53. Архитектура системы команд регистрового типа
- •54. Преобразование логического адреса в физический
- •55. Преобразование логического адреса в линейный
- •56)Режимы работы процессора с архитектурой х86
- •57. Принципы функционирования dlp Проекторов. Преимущества и недостатки.
- •58. Основные этапы развития вычислительной техники
Параллельная архитектура
Архитектура фон Неймана обладает тем недостатком, что она последовательная. Какой бы огромный массив данных ни требовалось обработать, каждый его байт должен будет пройти через центральный процессор, даже если над всеми байтами требуется провести одну и ту же операцию. Этот эффект называется узким горлышком фон Неймана.
Для преодоления этого недостатка предлагались и предлагаются архитектуры процессоров, которые называются параллельными. Параллельные процессоры используются в суперкомпьютерах.
Возможными вариантами параллельной архитектуры могут служить (по классификации Флинна):
-
SISD — один поток команд, один поток данных;
-
SIMD — один поток команд, много потоков данных;
-
MISD — много потоков команд, один поток данных;
-
MIMD — много потоков команд, много потоков данных.
18)Интерфейсы рс. Основные группы сигналов и их назначение.
19)Динамическая память. Принцип функционирования sdram, ddr sdram, ddr2 sdram. Основные параметры.
DRAM (Dynamic Random Access Memory) — один из видов компьютерной памяти с произвольным доступом (RAM), наиболее широко используемый в качестве ОЗУ современных компьютеров.
Конструктивно память DRAM состоит из «ячеек» размером в 1 или 4 бит, в каждой из которых можно хранить определённый объём данных. Совокупность «ячеек» такой памяти образуют условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор «ячеек» условно делится на несколько областей.
Физическое представление
В современных компьютерах физически DRAM-память представляет собой электрическую плату — модуль, на котором расположены микросхемы памяти и разъём, необходимый для подключения модуля к материнской плате. Роль «ячеек» играют конденсаторы и транзисторы, расположенные внутри микросхем памяти. Конденсаторы заряжаются в случае, когда в «ячейку» заносится единичный бит, либо разряжаются в случае, когда в «ячейку» заносится нулевой бит. Транзисторы необходимы для удержания заряда внутри конденсатора. При отсутствии подачи электроэнергии к оперативной памяти, происходит разряжение конденсаторов, и память опустошается. Это динамическое изменение заряда конденсатора является основополагающим принципом работы памяти типа DRAM. Элементом памяти этого типа является чувствительный усилитель (англ. sense amp), подключенный к каждому из столбцов «прямоугольника». Он, реагируя на слабый поток электронов, устремившихся через открытые транзисторы с обкладок конденсаторов, считывает всю страницу целиком. Именно страница является минимальной порцией обмена с динамической памятью, потому что обмен данными с отдельно взятой ячейкой невозможен.
Основными характеристиками DRAM являются тайминги и рабочая частота.
Синхронная DRAM
SDRAM (англ. Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом) — тип запоминающего устройства, использующегося в компьютерной технике.
В отличие от других типов DRAM, использовавших асинхронный обмен данными, ответ на поступивший в устройство управляющий сигнал возвращается не сразу, а лишь при получении следующего тактового сигнала. Тактовые сигналы позволяют организовать работу SDRAM в виде конечного автомата, исполняющего входящие команды. При этом входящие команды могут поступать в виде непрерывного потока, не дожидаясь, пока будет завершено выполнение предыдущих инструкций (конвейерная обработка): сразу после команды записи может поступить следующая команда, не ожидая, когда данные окажутся записаны. Поступление команды чтения приведёт к тому, что на выходе данные появятся спустя некоторое количество тактов — это время называется задержкой (latency) и является одной из важных характеристик данного типа устройств.
Циклы обновления выполняются сразу для целой строки, в отличие от предыдущих типов DRAM, обновлявших данные по внутреннему счётчику, используя способ обновления по команде CAS перед RAS.
DDR SDRAM
DDR SDRAM (от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип оперативной памяти, используемой в компьютерах. При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в обыкновенной SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, как в SDRAM, но и по срезу тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных, не увеличивая при этом частоты тактового сигнала шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM). В спецификации JEDEC есть замечание, что использовать термин «МГц» в DDR некорректно, правильно указывать скорость «миллионов передач в секунду через один вывод данных».
Ширина шины памяти составляет 64 бита, то есть по шине за один такт одновременно передаётся 8 байт. В результате получаем следующую формулу для расчёта максимальной скорости передачи для заданного типа памяти: тактовая частота шины памяти x 2 (передача данных дважды за такт) x 8 (число байтов передающихся за один такт). Например, чтобы обеспечить передачу данных дважды за такт, используется специальная архитектура «2n Prefetch». Внутренняя шина данных имеет ширину в два раза больше внешней. При передаче данных сначала передаётся первая половина шины данных по переднему фронту тактового сигнала, а затем вторая половина шины данных по срезу.
Помимо удвоенной передачи данных, DDR SDRAM имеет несколько других принципиальных отличий от простой памяти SDRAM. В основном они являются технологическими. Например, был добавлен сигнал QDS, который располагается на печатной плате вместе с линиями данных. По нему происходит синхронизация при передаче данных. Если используется два модуля памяти, то данные от них приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей из-за разного расстояния. Возникает проблема в выборе синхросигнала для их считывания. Использование QDS успешно это решает.
JEDEC устанавливает стандарты для скоростей DDR SDRAM, разделённых на две части: первая для чипов памяти, а вторая для модулей памяти, на которых, собственно, и размещаются чипы памяти.
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, тип 2) — это тип оперативной памяти используемой в компьютерах.
Как и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для SDRAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR2 от DDR - вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом работа самого чипа осталась такой-же, что и в просто DDR, то есть с теми же задержками, но при большей скорости передачи информации.