Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовые работы / Цифровые следящие системы.doc
Скачиваний:
41
Добавлен:
23.02.2014
Размер:
308.74 Кб
Скачать

3. Выбор элементов системы.

3.1. Фотоэлектрический импульсный датчик

Основным параметром данной системы является цена импульса, т. е. величина перемещения станка за один импульс на один элементарный шаг (см. техническое задание - цена импульса равна 0,01 мм)..

Это импульсный датчик обратной связи предназначенный для измерения и преобразования линейных перемещений органов станка в электрические импульсы обратной связи.

Датчик для линейных перемещений имеет длинную дифракционную решетку (1), закрепленную на неподвижной части рабочего органа и короткую (2), на подвижной части. Короткую решетку устанавливают с некоторым перекосом, так чтобы штрихи обеих решеток пересекались под некоторым углом . Со стороны подвижной части располагают источник света (3) с оптическим устройством фокусировки луча, а с другой – съемник с двумя фотоэлементами (4).

При движении рабочего органа штрихи решетки (2) закрываются и открываются, в местах пересечения штрихов, пропускающих свет получаются темные “муаровые полосы”, перемещающиеся перпендикулярно движению рабочего органа. Сигнал с фотоэлемента поступает в измерительную систему, которая выдает импульсы при прохождении одной муаровой полосы. в проходящем свете.

Выберем импульсную измерительную систему фотоэлектрического типа ВЕ – 106 (линейный).

Рассмотрим технические характеристики данной измерительной системы:

  • Число каналов (выходных сигналов) – IV;

  • Максимальная рабочая частота – 50 кГц;

  • Сопротивление нагрузки – 1 кОм;

  • Напряжение коммутируемое – 15 В;

  • Цена импульса – 0,01 мм;

  • Разрешающая способность - 0,3 мкм;

  • Чувствительность – 10 мА/лк.

Входной величиной ФЭД является освещенность, а выходной –электрический сигнал. Принцип действия такого датчика основан на принципе прямого наложения Для фотоэлектрического датчика зависимость между напряжением и освещенностью следующая:

U=a∙Eγ

Где U– напряжение;

a– коэффициент пропорциональности;

γ– коэффициент поглощения поверхностью (для линейных поверхностей он равен единицы).

Статическая характеристика датчика – есть функциональная зависимость между входной Х и выходной Y величинами, которая представлена на рисунке 4.

Так как передаточная функция – есть отношение между выходной и входной величины, т. е. равна чувствительности датчика. Значит передаточная функция ФЭД равна:

WФЭД (р) = 10 (1)

3.2. Микропроцессор (мп)

Микропрцессорный комплекс, состоящий из микросхемы К1801 и сопроцессора К1809, является микроЭВМ – ЦП1К1801ВМ1.

Технические характеристики:

  • Разрядность - 16 бит;

  • Время цикла - 2002000 нс;

  • Мощность потребления – 1 ВА;

  • Тактовая частота  10 МГц.

В нем находится ПЗУ, ОЗУ, реверсивный счетчик РС, регистр, дешифратор ДШ, блоки синхронизации и тактовый генератор.

Данная микроЭВМ, исходя из технических условий, нам подходит.

Передаточная функция МП будет равна:

WМП (р) = 1 (2)