3.1.6. Виды модулей памяти

Современные модули памяти имеют шину данных разрядностью 1, 4 или 8 байт. Кроме основных информационных бит, модули могут иметь дополнительные контрольные биты с различной организацией:

• Модули без контрольных бит (поп Parity) имеют разрядность 8, 32 или 64 бита и допускают независимое побайтное обращение с помощью отдельных для каждого байта линий CAS#.

• Модули с контролем паритета (Parity) имеют разрядность 9, 36 или 72 бита и также допускают независимое побайтное обращение, контрольные биты по обращению приписаны к соответствующим байтам.

• Модули с генератором паритета (Fake Parity, Parity Generator, Logical Parity) также допускают независимое побайтное обращение, логические генераторы паритета по чтению приписаны к соответствующим байтам. Действительного контроля памяти они не обеспечивают.

• Модули с контролем по схеме ЕСС имеют разрядность 36, 40, 72 или 80 бит. Обычно они допускают побайтное обращение к информационным битам, но контрольные биты у них привязаны к одному или нескольким сигналам CAS#, поскольку ЕСС подразумевает обращение сразу к целому слову.

• ECC-Optimized - модули, оптимизированные под режим ЕСС. От обычных ЕСС модулей они отличаются тем, что могут не обеспечивать побайтное обращение и к информационным битам.

• ECC-on-Simm (EOS) - модули со встроенной схемой исправления ошибок. Каждый байт модуля имеет встроенные средства контроля и исправления ошибок, работающие прозрачно. Для системы модули функционируют как обычные паритетные - в случае обнаружения неисправимой ошибки они генерируют ошибочный бит паритета. Эти модули обеспечивают отказоустойчивость по памяти (Kill Protected Memory) для системных плат, поддерживающих только контроль паритета. По благородству поведения (делают больше, чем "говорят") они являются прямой противоположностью модулям с генератором паритета.

3.1.7. Способы крепления модулей памяти на плате:

• Пайка - первые микросхемы памяти припаивались к плате, следовательно, их практически было невозможно поменять

• Установка в "кроватку" (модули DIP) - такие микросхемы устанавливались в специальный паз на системной плате ("кроватку") и их относительно легко было заменить, но с увеличением объема памяти ее микросхемы стали занимали много места на плате.

• Модули SIMM - были созданы для экономии места на системной плате следующим образом: на специальную печатную плату с двух сторон припаиваются микросхемы памяти, образуя модуль памяти. Каждый модуль устанавливается контактами (выводами) в специальный разъем (слот) на системной плате. Таких разъемой может быть несколько. Они объединяются в группы, называемые банками памяти. Первые модули SIMM были 30-контактные 8-разрядные емкостью 256 Кб, 512 Кб, 1 Мб, позже появились 72-контактные 32-разрядные модули емкостью 4, 8, 16, 32, 64, 128 и даже выше. Первые 30-контактные модули SIMM появились в последних моделях компьютеров 80286 и просущетсвовали до первых моделей 80486. В более поздних моделях компьютеров 80486 использовались уже 72-контактные модули SIMM. На модулях SIMM устанавливались микросхемы FPM или EDO.

• Модули DIMM - появились в 1997 году. Контакты таких модулей с двух сторон электрически независимы, в отличие от модулей SIMM. Наиболее распростанены 168-контактные 64-разрядные модули DIMM, имеющие по 84 контакта с каждой стороны (рис.3). На модули DIMM устанавливаются микросхемы SDRAM (реже EDO). В конструкции таких модулей предусмотрено два ключа: первый служит для определения типа памяти (SDRAM или EDO), второй - для определения напряжения питания (5 В или 3,3 В). В настоящее время большинство системных плат оборудовано слотами для установки DIMM-модулей.