3.1.4. Сравнительная характеристика типов динамической памяти

Основные характеристики описанных типов DRAM приведены в табл.1. Обратим внимание на то, что спецификация (последний элемент обозначения микросхем или модулей) для асинхронной памяти указывает время доступа в единицах или десятках наносекунд, в то время как для SDRAM она указывает длительность цикла. Время доступа Т_RAC измеряется от начала операции чтения (спада RAS#) до появления достоверных данных на выходе. Длительность цикла CAS определяет период поступления очередных данных на выходные шины в середине пакетного цикла. Максимальная частота определяется как частота системной шины, при которой число тактов на цикл не превышает значений, провозглашенных оптимальными для данного типа памяти. Поскольку она определяется не только собственно микросхемами памяти, но и задержками окружающих ее элементов (коммутирующих элементов чипсета, внешних буферов), длины проводников, емкостной нагрузки на шины (зависящей и от количества посадочных мест и установленных элементов памяти), в реальных системных платах возможны и иные соотношения. Например, плата на чипсете 82430-ТХ позволяет на частоте шины 66,6 МГц использовать EDO DRAM 60 нс циклом 5-2-2-2.

Таблица 1. Основные характеристики распространенных типов DRAM

	FPM	EDO	BEDO	SDRAM
Спецификация	-5, -6, -7	-5,-6. -7	-5,-6, -7	-10,-12,-15
Время доступа (TRAC), нс	50, 60, 70	50, 60, 70	50, 60, 70	50, 60,70
Длительность цикла CAS, нс	30,35,40	20,25,30	15, 16,6, 20	10, 12,15
Максимальная частота при пакетном цикле чтения, МГц	66, 50, 40 5-3-3-3	66, 50, 40 5-2-2-2	66,60,50 5-1-1-1	100,80, 66 5-1-1-1

 

 

Время доступа и длительность первого цикла чтения у всех четырех типов DRAM одинаковы, существенная разница наблюдается в последующих трех циклах. Если чипсет способен генерировать обращения к памяти в смежных циклах (back-to-back) в режиме страничного обмена, то выигрыш в производительности будет еще более значительным (вместо двух циклов 5-1-1-1 и 5-1-1-1 будет один 5-1-1-1-1-1-1-1}.

Динамической памяти с действительно произвольным доступом, выполняемым с частотой 66 МГц, нет, для этого требуется память со временем доступа 15 нс, что пока недостижимо. В настоящее время наибольшее распространение имеет память EDO, но при переходе на высокие частоты системной шины ожидается вытеснение этой памяти микросхемами SDRAM. Память BEDO является промежуточным шагом, поскольку она эффективна только до частоты 66 МГц.

3.1.5. Маркировка микросхем динамической памяти

Современные микросхемы DRAM имеют емкость 1-256 Мбит, время доступа 45-250 нс и обычно организованы по 1, 4, 8, 9, 16, 18, 32 и 36 бит в корпусе с общими управляющими и адресными сигналами. Микросхемы разрядностью 16/18 бит состоят из двух половин по 8/9 бит, эти половины имеют раздельные сигналы CAS# или (и) WE#, что обеспечивает возможность побайтного обращения. Микросхемы 32/36 бит делятся на четыре части. В зависимости от модификации микросхемы выбор байт для записи может осуществляться либо двумя (четырьмя) раздельными линиями CAS# при общей линии WE#, либо раздельными линиями WE# при общей линии CAS#.

 

Существуют 4-битные микросхемы с раздельными сигналами CAS# - QCAS (Quadro CAS), предназначенные для хранения бит паритета сразу четырех байт.

Маркировка микросхем несет информацию об изготовителе, объеме и организации матрицы, типе памяти, быстродействии, напряжении питания, дате изготовления и некоторую другую. Единой строгой системы, применимой ко всем микросхемам, нет. В обозначении можно выделить основную цифровую часть, которая для старых микросхем (емкостью до 1 Мбит) имеет примерно следующий вид:

4NC-T, где 4 - разрядность ячеек, бит, N-=1; С=64, 128, 256, ООО... - количество ячеек (64:64К, 000:1М); Т - время доступа в наносекундах или десятках наносе-кунд. Первая цифра "4" обозначает класс памяти - динамическая, но вместо нее могут встречаться и другие цифры и комбинации (например, 5, 51). Примеры обозначений: 41256 - микросхема 256 Kxl, 44256 - микросхема 256 Кх4.

Для новых микросхем разрядность обычно указывается последними тремя цифрами основной части: 000, 100 - 1 бит; 400, 800 и 160 - 4, 8 и 16 бит соответственно. Ненулевое значение последней цифры может задавать тип памяти (например, EDO). Перед разрядностью указывается общий объем памяти в мегабитах. Перед цифровой частью обычно стоит закодированное имя производителя:

HМ Hitachi

 

HY Hyundai

 

KM Samsung

 

М OKI

 

MCM Motorola

 

МТ Micron

 

ТММ Toshiba

 

TMS Texas Instruments

 

(n)PD NEC

 

После цифровой части через дефис или букву, определяющую тип корпуса, указывается спецификация быстродействия - время доступа в единицах или десятках наносекунд. Быстродействие может указываться и отдельной надписью, например -6 и -60 означают время доступа 60 нс. Примеры основной части обозначения:

1000, 1100 - 1 M x 1 бит

4000, 4100 - 4 M x 1 бит; 4400 - 1 M x 4 бит

16400, 17400 - 4 M x 4 бит; 16100 - 16 M x 1 бит; 16160 - 1 M x 16 бит;

64400 - 16 M x 4 бит; 64800 - 8 M x 8 бит; 64160 - 4 M x 16 бит.