Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
курсовой проект / ЦП К580ВМ80 / МУСУ Сайков.docx
Скачиваний:
60
Добавлен:
21.02.2014
Размер:
15.05 Mб
Скачать

3 Разработка подсистемы памяти

3.1 Модуль озу кр565ру6

В микросхемах памяти динамического типа функции ЭП выполняет электрический конденсатор, образованный внутри МДП-структуры. Информация представляется в виде заряда:наличие заряда на конденсаторе соответствует логическому 0,отсутствие—'логической 1. Поскольку время сохранения конденсатором заряда ограничено, предусматривают периодическое восстановление (регенерацию) записанной информации. В этом состоит одна из отличительных особенностей динамических ОЗУ. Кроме того, для них необходима синхронизация, обеспечивающая требуемую последовательность включений и выключений функциональных узлов. Для изготовления микросхем динамических ОЗУ в основном применяют дг-МДП-технологию, которая позволяет повышать быстродействие и уровень интеграции микросхем, обеспечивать малые токи утечки и за этот счет увеличивать время сохранения заряда на запоминающем конденсаторе.

На рисунке 11 представлена цоколевка БИС ОЗУ КР565РУ6.

Рисунок 11 – Цоколевка БИС ОЗУ КР565РУ6

Таблица 7 — Описание выводов БИС ОЗУ КР565РУ6

Номера выводов

Обозначение

Назначение выводов

Тип сигн.

Сос-тояние

Англ.

Рус.

1

2

3

4

5

6

14

DO

ДО

Выход данных при чтении

выход

1

2; 5-7;

10-13

А(6-0)

А(6-0)

Входы данных с локальной шины МП

вход

1

2

DI

ДИ

Вход данных при записи

вход

1

3

ЗП/ЧТ

Сигнал записи/чтения

вход

0

4

Сигнал адресный строб строк

вход

0

15

Сигнал адресный строб столбцов

вход

0

8

5V

5B

Напряжение питания (+5 В)

вход

0

16

OV

ОБЩ

Напряжение питания (0 В)

вход

1

Приведенные значения параметров характеризуют микросхему в диапазоне рабочих температур — 10... +70° С.

Элемент памяти построен по однотранзисторной схеме и включает конденсатор и транзистор. Транзистор выполняет функции ключа: при сигнале на адресной шине строки Xj = 1 он открывается и соединяет конденсатор с j-разрядной шиной. Предварительно в паузах между обращениями к накопителю емкости полушин заряжает источник напряжения Uo через открытые ключевые транзисторы. При обращении к накопителю эти транзисторы закрываются и изолируют полушины от источника напряжения U0.

3.2 Модуль пзу к556рт5

Для расширения памяти программ микроЭВМ в соответствии с заданием используется К556РТ6. Это ППЗУ, изготовленная по ТТЛШ-технологии.

Условное обозначение микросхемы К556РТ5 приведено на рисунке 12. Назначение выводов БИС ПЗУ К556РТ5 представлено в таблице 8.

Матрица до программирования, т. е. в исходном состоянии, содержит однородный массив проводящих перемычек, соеди­няющих строки и столбцы во всех точках их пересечений. Пере­мычки устанавливают из поликристаллического кремния. Перемычка в матрице вы­полняет роль ЭП. Наличие перемычки кодируют логической 1, если усилитель считывания является повторителем, и логическим 0, если усилитель считывания – инвертор. Сле­довательно, микросхема ППЗУ в исходном состоянии перед программированием в зависимости от характеристики выходного усилителя может иметь заполнение матрицы либо логическим 0, либо логической 1.

Рисунок 12 – Микросхема БИС К556РТ5

Операция программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30 ... 50 мА. Технические средства для выпол­нения этой операции достаточно просты и могут быть построены самим пользователем.

Таблица 8 – Описание выводов БИС ПЗУ К556РТ5

Номера выводов

Обозначение

Назначение выводов

Тип сигн.

Сос-тояние

Англ.

Рус.

1

2

3

4

5

6

0-7

DO(7-0)

ДО(7-0)

Выходы данных

выход

1

1-8; 23

А(8-0)

А(8-0)

Входы данных с локальной шины МП

вход

1

18-21

CS (1-4)

ЦС(1-4)

Выбор микросхем, L-уровень сигнала подключения ПЗУ к системной шине

вход

1

24

UCC

UCC

Напряжение питания (+5 В)

вход

0

12

OV

ОБЩ

Напряжение питания (0 В)

вход

1

22

UPR

Uпр

Напряжение программирования

вход

1

Микросхемы ППЗУ потребляют боль­шую мощность от источника питания. Поэтому представляется целесообразным использовать их свойство работать в режиме импульсного питания, когда питание на микросхему подают только при обращении к ней для считывания информации. При использовании импульсного режима питания среднее значение потребляемого тока и, следовательно, уровень потреб­ляемой мощности существенно уменьшаются.

3.3 Подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине

Подключение БИС ОЗУ КР565РУ6 и БИС ПЗУ К556РТ5 к cистемной шине зависит от их разрядности, а для оперативной памяти - также от ее типа. В микропроцессорной системе построенной на базе МП серии К580, удобнее всего использовать восьмиразрядные запоминающие устройства. Подключение статических ОЗУ осуществляется аналогично ПЗУ. Объем памяти определяется количеством используемых БИС.

Схема подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине показа на рисунке 13.

Рисунок 13 - Подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке ЦП К580ВМ80